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楼主: ctq1235
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这个电路为什么上电瞬间三极管J9基极有一个低电平

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发表于 2015-1-28 21:55 | 只看该作者
r6改为10K,试试

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发表于 2015-1-28 23:25 | 只看该作者
本帖最后由 myl593799546 于 2015-1-28 23:34 编辑 : d7 C8 M  N* B

( ~6 \" n3 l+ l4 Z# {$ M' U应该这样接吧

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进步很快!赞一个!  发表于 2015-1-29 10:07

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 楼主| 发表于 2015-1-29 09:04 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-1-28 17:47, d' r- |" G, P" k8 N' x5 F* X
按照你目前的实验来看,加快基级的电压了,那你可以把R6减小,并且尝试在上面并联电容,看是否有改善。

. V  r; ^' d6 b0 V3 @4 S8 s我仿真过,R6改小的话,IO1的电平上升过程中,有些过程出现J9处于放大区,我这个电阻配置,能让它直接从截止区直接过度到饱和区。
- |, k" k- p2 }% y

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这个该小是基于你说的,把IO断开后还是有脉冲造成的。如果你IO没有断开,改小那个上拉电阻的话,会导致关闭不了。  发表于 2015-1-29 10:10

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发表于 2015-1-29 10:06 | 只看该作者
把R1和R7都改成10K试试

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发表于 2015-1-29 11:58 | 只看该作者
楼主,IO口上电瞬间有可能是输出低电平的,再说你的VCC是多大?也是12v么?12v能上拉IO口么?那么高的电平?控制pmos用一个三极管就搞定了,基极下拉,用IO上拉来导通三极管。

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发表于 2015-1-29 13:03 | 只看该作者
可以試試在 J10 基極對地接一個電容看看,延長J10的開啟時間。

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发表于 2015-1-29 15:51 | 只看该作者
改用MOS管 2N7002试试吧,讲J9,J10用2N7002代替,再往J10的GS上并一个1uf电容

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发表于 2015-2-1 15:08 | 只看该作者
上电时你的IO1-2管脚应该是低电平,并不是上电顺序的问题,还有你是用什么做的仿真啊

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发表于 2015-3-6 17:19 | 只看该作者
搞定了没?

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发表于 2015-3-10 22:26 | 只看该作者
分析9 |2 K' e; c) J, b* U
1. 将J10 去掉看看是否还会有瞬间导通情况,如果还是不行就是R7电阻大且有C1延时使得PMOS的Gate不能最快达到高电平。
) W  I; Z6 M; e; F2.上一步线路优化完毕后,可以将R2去掉看看是否是IO端影响了。
2 x( B/ c* I8 d7 A3. J10的基极可以加一个0.1UF的电容延时一下试试。
& x$ ^0 ]0 t' G; r; \7 q- J你这个电路感觉复杂了点,可以用一个3904控制的。

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发表于 2015-3-11 15:20 | 只看该作者
1. J10基极加100nF电容(可适当加大,推迟J10导通)
: [% X  k5 Q" {2 X( K2. R7改为10K(可适当减小,跟PMOS结电容有关)
* s1 S. S1 i, e: z" T- q3. R6改为100K(可适当减小,加快J9导通)
. ]' b$ N# E! |0 J

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发表于 2015-3-11 19:06 | 只看该作者
把C1改接到Q1的GS两个脚上就可以.因为上电初期C1上的电容是没有充电的,在上电期间g极就是从0V缓慢上升的,所以Q1是从导通再到截止的.0 d" P; u- q+ N3 b# w3 G: w
/ N6 c  p: j- L8 d% ?/ |  l
电路的阻容参数要优化
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