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很急,求助:LVDS的走线

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发表于 2013-7-10 11:09 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 jimmy 于 2013-7-11 13:29 编辑 4 u$ G# |3 \2 T6 [3 t

5 O( \& p: H$ H0 m0 X7 y我板子里面有LVDS和DDR2走线离得比较近,我DDR走线向右挪动了一下,这样LVDS线和DDR线之间有一块地铺进来了。但是不能打地孔,因为下层有走线,请问这样的话能保证DDR和LVDS都能正常工作吗?

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发表于 2013-7-10 11:23 | 只看该作者
期待答案,学习。

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 楼主| 发表于 2013-7-10 13:28 | 只看该作者
怎么没人回答呢?自己顶一下

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发表于 2013-7-10 16:37 | 只看该作者
这要看你的DDR和LVDS走线所对应的平面层是否是完整的地平面,在两者之间的铜皮地最好有地孔,是为了减少信号的返回路径,减少干扰,还有LVDS线间应该也要有包地,LVDS都市差分走线,每对差分线之间都要包地,严格点,阻抗要达到100欧姆+/-10%的误差,此处的差分走线必须等长为先
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发表于 2013-7-10 16:50 | 只看该作者
没问题的,但是要注意LVDS的时钟线和数据走线保证4W以上,LVDS的时钟线和DDR走线不能靠太近,至少5W以上

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发表于 2013-7-10 17:05 | 只看该作者
如果没有打孔,建议删除中间的地铜,避免天线效应

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 楼主| 发表于 2013-7-10 17:54 | 只看该作者
shirly229 发表于 2013-7-10 16:37
& `; ?& |; `/ [) J- T0 {这要看你的DDR和LVDS走线所对应的平面层是否是完整的地平面,在两者之间的铜皮地最好有地孔,是为了减少信号 ...
! d% E5 R1 U6 j& p! J
我把线调整了一下,LVDS走线做了禁铺,禁铺两边有包地,如何?

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发表于 2013-7-10 19:51 | 只看该作者
最好在LVDS的 CLK Pairs上增加包地,比全包有效,还要保证养分对的阻抗!

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发表于 2013-7-10 23:34 | 只看该作者
评论的很给力  

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 楼主| 发表于 2013-7-11 10:03 | 只看该作者
sony365 发表于 2013-7-10 19:51 : b# T6 N: G6 j, j
最好在LVDS的 CLK Pairs上增加包地,比全包有效,还要保证养分对的阻抗!
: ^- ]- ], g, U, V! Z6 r
那这个禁铺还用画吗?

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发表于 2013-7-11 10:59 | 只看该作者
建议删除中间孤立的地铜,或者想办法在DDR与LVDS之间的地铜加一些过孔。至少加两到三个,一端加在插座处,一端加在CPU处,中间再想办法加一个。, [- m: D# h6 z) c6 I

) y, I4 F# P% [' D: C如果没办法加。那就删除中间孤立的地铜。完全可以跑起来,请放心使用。
专业服务:(价格面议)
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 楼主| 发表于 2013-7-11 11:26 | 只看该作者
jimmy 发表于 2013-7-11 10:59
% t/ O% ?1 j  j  ?8 b9 u建议删除中间孤立的地铜,或者想办法在DDR与LVDS之间的地铜加一些过孔。至少加两到三个,一端加在插座处,一 ...

) {# ?5 x- ^+ Y3 M: q谢谢!

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发表于 2013-7-11 11:30 | 只看该作者
如果你这个板是双面板,在有空间的情况每个差分对用20~24mil走线包地,并且在地线上打过孔效果肯定最好的,可以保证由于底面地平面分割造成的EMI。如果是四层或六层有参考地,那可以按楼主的方式,用Keepout把差分对内的Copperpour禁布。

QQ图片20130711112818.jpg (411.32 KB, 下载次数: 1)

两层板LVDS线GND包地打孔

两层板LVDS线GND包地打孔

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 楼主| 发表于 2013-7-11 11:47 | 只看该作者
sony365 发表于 2013-7-11 11:30 " a4 Y/ |' S9 ^. b7 t" K
如果你这个板是双面板,在有空间的情况每个差分对用20~24mil走线包地,并且在地线上打过孔效果肯定最好的,可 ...

5 T2 m, M5 Y* I6 D1 F+ x  C请问差分对用20~24mil走线包地和只打地孔不连底线有什么区别吗?

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发表于 2013-7-11 12:56 | 只看该作者
如果只包地,不打孔,阻抗会不连续吧,我们一般都边地打孔。
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