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看了大家说法,貌似都知道,但说的不清晰,我就我的理解来解释下,不对的还望大家多多指点:
1 k( W' H6 G# b; D5 I0 g1,首先大家必须知道一点,就是DCDC中,基本用的都是NMOS,打开(大多是NMOS,PMOS的导通电阻很大)时候Vgs要大于开启电压。(PMOS其实也一样)6 `% M* k, z3 }. S" s2 r
2,而S端的电压在DCDC中可以理解为输入电压,有可能会很高(这里是12V,当然有的可能会有三五十V),那就是说栅极电压必须要高于12V才可以打开MOS,而且需要一定的电流(MOS的GS电容充电): `7 P, T3 R1 t V, L
3,如果全部靠DCDC转换的IC提供,显然是不合理的,因为IC的栅极驱动端不可能提供高达12甚至30V或者更高的电压,而且提供的电流也不会很大很迅速
! q& X2 j5 J3 B+ |, S5 J- e4,此时就需要自举电容,在NMOS关断(低电平不存在问题)的时候,电容会通过自举二极管迅速充电,也就是图中的1N4148,电容的最终电压就是S,D端的压差,接近于输入电压。
$ X; K6 l" v* K) {5,当要打开NMOS(高电平)的时候,栅极电压从0开始升高,此时由于电容电压不能突变,Vgs=电容两端的电压=此处约为12V,从而保证电压满足导通条件+ ^9 u5 u3 o% N
6,同时,电容放电时会给栅极提供电流,给MOS的GS间电容充电,从而有效驱动MOS的开关
/ b% Y6 a1 Q0 t8 t" D4 h7,自举电容串联的电阻是为了延长MOSFET的导通过渡时间。这有助于EMI。但很显然,它会增加开关损耗,所以很少使用。
2 X0 }" `: R1 a6 ?1 y# ]. S8,对于这个电路的Q1,Q2是构成半桥拓扑,在原理上和单端的没有太大区别。 |
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