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用MOS管设计的电源开关,各位帮忙检查一下有没有问题啊!!有图~~~

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发表于 2012-5-10 20:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 lance_hnu 于 2012-5-10 20:07 编辑
& T4 N$ R4 T& r6 S; W0 E% F4 R: d. k4 |4 y' s6 U
这一种用两个NMOS管实现:6 ~* |# i7 B, x- I

" v5 w# Y, S5 O4 b' L  `另外一种用NMOS和PMOS实现:2 m3 A0 V) n& a2 R, Y9 y4 _+ p

+ f: V5 [& {. S! ^. w) m7 M. [
- ?$ m% a0 t: j8 o2 }个人更倾向于NMOS管,它是多数载流子,比PMOS 开关速度快!!各位大哥有什么建议没有??
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发表于 2012-5-12 14:33 | 只看该作者
用pmos管的电路,就像7楼说的,NMOS是需要Vgs>0,需要的驱动电压比较高,用起来比较麻烦,PMOS就简单了。只要将你上面的第二幅图,PMOS+NMOS的原理图里面的NMOS管Q3换成NPN三极管就行了,基极接R25,发射极接地。

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发表于 2015-4-14 19:14 | 只看该作者
really2003 发表于 2012-5-12 15:49# z. g' a$ ]4 c8 F# Y
9#正解,
; ]/ N: h* f4 {: \, S, ^: a
你头像是本人吗,妞?

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发表于 2015-3-20 16:21 | 只看该作者
路过,学习一下

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发表于 2012-5-11 08:56 | 只看该作者
Q3换成三极管吧,这里只是控制用的,用MOS比较浪费。
  ^7 p& v; X2 X用NMOS的导通电阻小,工艺简单,成本比较低。

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发表于 2012-5-11 12:39 | 只看该作者
LZ要考虑你使用的电流大小,一般50mA以下被控制的功率管可以为sot23-3的,控制也为这个sot23-3,如果大于这个功率管在同样面积选择pmos功率管一般从2A-5A范围,控制管还是用三极管。

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 楼主| 发表于 2012-5-11 17:51 | 只看该作者
lxizj 发表于 2012-5-11 08:56
3 F7 g7 W" L5 R7 s" yQ3换成三极管吧,这里只是控制用的,用MOS比较浪费。( W) r1 j* f; P# [" j# B/ ^
用NMOS的导通电阻小,工艺简单,成本比较低。
; K5 H( f8 V9 G7 F7 w
如果我把Q3换成NPN三极管,最上面的电路图整体行得通吗,请帮我看看原理对不对,急着画板子,谢谢~~!!

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 楼主| 发表于 2012-5-11 17:54 | 只看该作者
willyeing 发表于 2012-5-11 12:39 - ~1 G7 m7 p8 m# U9 x- H
LZ要考虑你使用的电流大小,一般50mA以下被控制的功率管可以为sot23-3的,控制也为这个sot23-3,如果大于这 ...

& M- Y9 M; `7 a! Q从这个原理图上看,管子导通以后电流会比较小,SOT23—3应该可以满足要求!
8 Y0 N6 D5 K6 a9 ~) H+ m2 |你的意思是PMOS可以承受更大的电流对不对?

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 楼主| 发表于 2012-5-11 17:55 | 只看该作者
willyeing 发表于 2012-5-11 12:39
9 t0 |. d. L2 z) v$ D3 [LZ要考虑你使用的电流大小,一般50mA以下被控制的功率管可以为sot23-3的,控制也为这个sot23-3,如果大于这 ...
5 Q1 S9 ~  J4 O$ e5 p( W
从这个原理图上看,管子导通以后电流会比较小,SOT23—3应该可以满足要求!0 ?  Y+ |4 m' E5 s- P* P, v
你的意思是PMOS可以承受更大的电流对不对?

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发表于 2012-5-11 22:39 | 只看该作者
这个电路只能用pmos,不能用nmos,在这个地方就像是H桥的高端驱动,用nmos的话,驱动电压必须大于被控电压2.5v左右才能让nmos很好的导通。要用nmos必须使用升压电路

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发表于 2012-5-12 15:49 | 只看该作者
9#正解,

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你头像是本人吗,妞?  详情 回复 发表于 2015-4-14 19:14

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发表于 2012-5-12 15:50 | 只看该作者
pmos管的RDS会小一些,所以用pmos会更好

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 楼主| 发表于 2012-5-13 10:05 | 只看该作者
rx_78gp02a 发表于 2012-5-11 22:39 . A+ M: p, u3 u7 b5 f
这个电路只能用pmos,不能用nmos,在这个地方就像是H桥的高端驱动,用nmos的话,驱动电压必须大于被控电压2 ...
" l2 N( ]5 @% x8 a  G
非常感谢,我居然忘了增强型要满足开启电压才能导通!!

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 楼主| 发表于 2012-5-13 10:06 | 只看该作者
really2003 发表于 2012-5-12 15:49 . h) k" F& R$ v+ z: t
9#正解,

$ E  [: u5 X  b额。。。9楼是你自己啊

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 楼主| 发表于 2012-5-13 10:08 | 只看该作者
lxizj 发表于 2012-5-12 14:33
" t$ s  H6 B; d用pmos管的电路,就像7楼说的,NMOS是需要Vgs>0,需要的驱动电压比较高,用起来比较麻烦,PMOS就简单了。只 ...
: p$ o9 C* ~' o4 f+ E5 U& B1 Z
哈哈,好滴,现在全明白啦{:soso_e179:}

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发表于 2012-5-13 14:07 | 只看该作者
楼主第一个图中的Q4工作状态有问题吧!  NMOS还加一个电阻 R24不是就导通了吗

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lance_hnu + 2 是的 第一个图确实有错误!

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发表于 2012-5-13 14:36 | 只看该作者
不好意思,我说的是8#

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lance_hnu + 2 嘿嘿

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