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用MOS管设计的电源开关,各位帮忙检查一下有没有问题啊!!有图~~~

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发表于 2012-5-10 20:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 lance_hnu 于 2012-5-10 20:07 编辑
+ w9 Y" O5 y" \# {/ B7 {
9 o# p0 [: c3 v% @这一种用两个NMOS管实现:
$ C' H8 g! p* n/ O
, Y  d; Y+ \$ F9 x, j( Q$ A( ]另外一种用NMOS和PMOS实现:
1 M2 ~+ M/ l0 k% k4 l0 {6 l ; |2 f, E! ]" D3 U) f+ |$ w, \
) p/ v7 c) ?% K  t8 l2 v
个人更倾向于NMOS管,它是多数载流子,比PMOS 开关速度快!!各位大哥有什么建议没有??
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发表于 2012-5-12 14:33 | 只看该作者
用pmos管的电路,就像7楼说的,NMOS是需要Vgs>0,需要的驱动电压比较高,用起来比较麻烦,PMOS就简单了。只要将你上面的第二幅图,PMOS+NMOS的原理图里面的NMOS管Q3换成NPN三极管就行了,基极接R25,发射极接地。

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发表于 2015-4-14 19:14 | 只看该作者
really2003 发表于 2012-5-12 15:496 M1 B$ A" b8 S
9#正解,

  @# U# n  e4 ~5 U' u2 {你头像是本人吗,妞?

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发表于 2015-3-20 16:21 | 只看该作者
路过,学习一下

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发表于 2012-5-11 08:56 | 只看该作者
Q3换成三极管吧,这里只是控制用的,用MOS比较浪费。  W2 c& C) v1 s) x
用NMOS的导通电阻小,工艺简单,成本比较低。

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发表于 2012-5-11 12:39 | 只看该作者
LZ要考虑你使用的电流大小,一般50mA以下被控制的功率管可以为sot23-3的,控制也为这个sot23-3,如果大于这个功率管在同样面积选择pmos功率管一般从2A-5A范围,控制管还是用三极管。

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 楼主| 发表于 2012-5-11 17:51 | 只看该作者
lxizj 发表于 2012-5-11 08:56
0 N0 P9 R- w8 d! m4 N# VQ3换成三极管吧,这里只是控制用的,用MOS比较浪费。
& v3 I* c# `/ _" A. D用NMOS的导通电阻小,工艺简单,成本比较低。

4 t8 Z0 C. w' R; f/ ]! ]如果我把Q3换成NPN三极管,最上面的电路图整体行得通吗,请帮我看看原理对不对,急着画板子,谢谢~~!!

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 楼主| 发表于 2012-5-11 17:54 | 只看该作者
willyeing 发表于 2012-5-11 12:39
6 l! s, A3 h) T2 vLZ要考虑你使用的电流大小,一般50mA以下被控制的功率管可以为sot23-3的,控制也为这个sot23-3,如果大于这 ...
5 M2 x7 `* O0 }, c2 n  h+ @/ D
从这个原理图上看,管子导通以后电流会比较小,SOT23—3应该可以满足要求!
/ K; Z) q5 G" d" p6 w% H你的意思是PMOS可以承受更大的电流对不对?

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 楼主| 发表于 2012-5-11 17:55 | 只看该作者
willyeing 发表于 2012-5-11 12:39 1 j, M0 c/ U) G# E0 @
LZ要考虑你使用的电流大小,一般50mA以下被控制的功率管可以为sot23-3的,控制也为这个sot23-3,如果大于这 ...
1 g" k+ a, F4 a" z) X- u0 [" T
从这个原理图上看,管子导通以后电流会比较小,SOT23—3应该可以满足要求!
5 y0 k- {' b4 }0 e. M# w你的意思是PMOS可以承受更大的电流对不对?

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发表于 2012-5-11 22:39 | 只看该作者
这个电路只能用pmos,不能用nmos,在这个地方就像是H桥的高端驱动,用nmos的话,驱动电压必须大于被控电压2.5v左右才能让nmos很好的导通。要用nmos必须使用升压电路

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发表于 2012-5-12 15:49 | 只看该作者
9#正解,

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你头像是本人吗,妞?  详情 回复 发表于 2015-4-14 19:14

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发表于 2012-5-12 15:50 | 只看该作者
pmos管的RDS会小一些,所以用pmos会更好

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 楼主| 发表于 2012-5-13 10:05 | 只看该作者
rx_78gp02a 发表于 2012-5-11 22:39 3 u& d7 I/ t  Y# l! x$ n4 f
这个电路只能用pmos,不能用nmos,在这个地方就像是H桥的高端驱动,用nmos的话,驱动电压必须大于被控电压2 ...
, C! @! Y" \- m% `; i/ Q
非常感谢,我居然忘了增强型要满足开启电压才能导通!!

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 楼主| 发表于 2012-5-13 10:06 | 只看该作者
really2003 发表于 2012-5-12 15:49
/ c6 l3 D% n5 W9#正解,

* Z4 H4 M) s0 J额。。。9楼是你自己啊

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 楼主| 发表于 2012-5-13 10:08 | 只看该作者
lxizj 发表于 2012-5-12 14:33
& K0 \2 @0 L; ^, H5 C; ^, S用pmos管的电路,就像7楼说的,NMOS是需要Vgs>0,需要的驱动电压比较高,用起来比较麻烦,PMOS就简单了。只 ...
6 Z7 ^+ B7 q0 u) I* e+ y
哈哈,好滴,现在全明白啦{:soso_e179:}

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发表于 2012-5-13 14:07 | 只看该作者
楼主第一个图中的Q4工作状态有问题吧!  NMOS还加一个电阻 R24不是就导通了吗

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lance_hnu + 2 是的 第一个图确实有错误!

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发表于 2012-5-13 14:36 | 只看该作者
不好意思,我说的是8#

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lance_hnu + 2 嘿嘿

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