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用MOS管设计的电源开关,各位帮忙检查一下有没有问题啊!!有图~~~

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发表于 2012-5-10 20:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 lance_hnu 于 2012-5-10 20:07 编辑
1 i! |; a9 l2 y! G: n  N  C- b
# h( {) l/ v" Y, _2 A5 P$ @1 C8 U+ V  G5 p这一种用两个NMOS管实现:
: Z; ]7 \" Q9 \$ t# h
4 P) B- G7 V, W; T% Z. i9 [另外一种用NMOS和PMOS实现:+ y4 F5 N9 u4 m" Y9 J# S

9 A$ i6 P3 E( p2 ~/ x6 f
6 J* X# e  `" m个人更倾向于NMOS管,它是多数载流子,比PMOS 开关速度快!!各位大哥有什么建议没有??
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发表于 2012-5-12 14:33 | 只看该作者
用pmos管的电路,就像7楼说的,NMOS是需要Vgs>0,需要的驱动电压比较高,用起来比较麻烦,PMOS就简单了。只要将你上面的第二幅图,PMOS+NMOS的原理图里面的NMOS管Q3换成NPN三极管就行了,基极接R25,发射极接地。

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发表于 2015-4-14 19:14 | 只看该作者
really2003 发表于 2012-5-12 15:49& R# a" I  E) z0 d* ~! g
9#正解,

0 o7 ~! ~$ T2 D% A* O# J8 C5 a4 g- S你头像是本人吗,妞?

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发表于 2015-3-20 16:21 | 只看该作者
路过,学习一下

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发表于 2012-5-11 08:56 | 只看该作者
Q3换成三极管吧,这里只是控制用的,用MOS比较浪费。
0 V5 Q  d0 L) _用NMOS的导通电阻小,工艺简单,成本比较低。

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发表于 2012-5-11 12:39 | 只看该作者
LZ要考虑你使用的电流大小,一般50mA以下被控制的功率管可以为sot23-3的,控制也为这个sot23-3,如果大于这个功率管在同样面积选择pmos功率管一般从2A-5A范围,控制管还是用三极管。

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 楼主| 发表于 2012-5-11 17:51 | 只看该作者
lxizj 发表于 2012-5-11 08:56
& e3 T: n! |/ d7 q- LQ3换成三极管吧,这里只是控制用的,用MOS比较浪费。, {. _2 k5 H" p, m" T
用NMOS的导通电阻小,工艺简单,成本比较低。

) r( T% Z( O1 j3 F7 l% H如果我把Q3换成NPN三极管,最上面的电路图整体行得通吗,请帮我看看原理对不对,急着画板子,谢谢~~!!

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 楼主| 发表于 2012-5-11 17:54 | 只看该作者
willyeing 发表于 2012-5-11 12:39 7 \  m  i+ M- N  g# M& \( j
LZ要考虑你使用的电流大小,一般50mA以下被控制的功率管可以为sot23-3的,控制也为这个sot23-3,如果大于这 ...

& M0 W3 K; H# t( ~从这个原理图上看,管子导通以后电流会比较小,SOT23—3应该可以满足要求!3 v5 h9 b. B+ h0 w/ t# R
你的意思是PMOS可以承受更大的电流对不对?

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 楼主| 发表于 2012-5-11 17:55 | 只看该作者
willyeing 发表于 2012-5-11 12:39
# o$ n8 U. ], F3 j6 |- eLZ要考虑你使用的电流大小,一般50mA以下被控制的功率管可以为sot23-3的,控制也为这个sot23-3,如果大于这 ...
4 O) i9 Y# @) a7 s
从这个原理图上看,管子导通以后电流会比较小,SOT23—3应该可以满足要求!
4 e1 L# b9 a- ~5 E0 q& ?, p, f你的意思是PMOS可以承受更大的电流对不对?

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发表于 2012-5-11 22:39 | 只看该作者
这个电路只能用pmos,不能用nmos,在这个地方就像是H桥的高端驱动,用nmos的话,驱动电压必须大于被控电压2.5v左右才能让nmos很好的导通。要用nmos必须使用升压电路

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发表于 2012-5-12 15:49 | 只看该作者
9#正解,

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你头像是本人吗,妞?  详情 回复 发表于 2015-4-14 19:14

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发表于 2012-5-12 15:50 | 只看该作者
pmos管的RDS会小一些,所以用pmos会更好

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 楼主| 发表于 2012-5-13 10:05 | 只看该作者
rx_78gp02a 发表于 2012-5-11 22:39 7 ?- _8 i$ S9 h! a4 \
这个电路只能用pmos,不能用nmos,在这个地方就像是H桥的高端驱动,用nmos的话,驱动电压必须大于被控电压2 ...
) r7 h. _8 p/ n7 e
非常感谢,我居然忘了增强型要满足开启电压才能导通!!

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 楼主| 发表于 2012-5-13 10:06 | 只看该作者
really2003 发表于 2012-5-12 15:49
. V& F  t( a5 S* e$ b# |) g7 \9#正解,

0 K9 o; ~. ^" d! k额。。。9楼是你自己啊

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 楼主| 发表于 2012-5-13 10:08 | 只看该作者
lxizj 发表于 2012-5-12 14:33
9 L& r" I! k( H) u' {用pmos管的电路,就像7楼说的,NMOS是需要Vgs>0,需要的驱动电压比较高,用起来比较麻烦,PMOS就简单了。只 ...
2 e5 T0 i2 {, E. ?% h
哈哈,好滴,现在全明白啦{:soso_e179:}

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发表于 2012-5-13 14:07 | 只看该作者
楼主第一个图中的Q4工作状态有问题吧!  NMOS还加一个电阻 R24不是就导通了吗

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lance_hnu + 2 是的 第一个图确实有错误!

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发表于 2012-5-13 14:36 | 只看该作者
不好意思,我说的是8#

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lance_hnu + 2 嘿嘿

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