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yuxuan51 发表于 2012-2-8 16:22 6 e/ A& q6 M+ Y, Y$ ~# B" ?
你的工程我大致看了一下,也跑了一下,发现有一个问题,就是扫描参数设置那里,将DC extrapolation勾上 ...
) ^$ D( E6 c, Q* q6 i1 J& s* ?
% _9 x. p" |# E1 R! M线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch
4 ?6 s/ u) Z% M" f3 P算出来特征阻抗67.93ohm7 b4 w: `& |- ^8 u+ o" }
0 m b, ? h' c+ G, u6 f端口归一化 阶跃响应 TDR
- {8 {# E$ z6 E可以看到HFSS 仿真出来阻抗为86ohm 与si9000相去甚远- T( O" [8 A! E9 U [
1 ], \/ Y. I% d取消归一化 端口1 端口2 阻抗以高一低 且基本在100ohm上下 @* Z9 H: n( R4 |& _4 I
$ f6 }3 |6 C4 p( W8 K& e* d端口归一化后的 冲击响应TDR
- {2 c" K+ X7 S u0 S1 ?阻抗变化在1.16ns处,且阻抗仅在100ohm附近变化& V1 x6 @2 N x, C
% b8 P- F- A7 W端口未做归一化,阻抗在0.14ns出发生变化,这时阻抗为负数,在-100ohm附近变化。
_. X3 F* r" h( W# f
( O& T/ i% j. y( p0 T
+ o+ Y8 }5 Y& Z+ a8 A- g* x" D归一化后的s11. ?, ]+ D+ o9 M
- X5 s" A+ [# X- ^3 g: H7 P未做归一化的s114 x% w* w3 e R7 b _* h
1 _! J$ n" _ x( |. X. y2 n
首先HFSS仿出来的特征阻抗与si9000的结果相差很大,到底应该以谁为准?& e, a% S' u5 {; W6 B, w
端口做不做归一化对 S11 阶跃响应TDR 冲击响应TDR 的影响非常大。这几个参数 分别应该在什么条件下 才回得到正确的结果?, r, ^5 }) E d
为什么端口不做归一化 冲击响应TDR得到的阻抗是负数?" m: `3 o4 C8 o7 m1 C
此工程中的差分线是阻抗连续的,为什么TDR图中,阻抗变化点不是在0时刻 而且不同设置下 阶跃响应和冲击响应得到的/ M* V* p( r# Y. k
跳变时间不同?
3 h+ R6 Q" K* y9 s; r6 X) m9 e% t) ]4 e; Y0 F) ?% [& j
以下为具体设置和工程文件" x, v" N8 b- V; Y" y. a! @, P
/ d0 t0 X( ~' Y1 a8 S) \
0 b- p) {5 n: V8 c v0 f
% m/ V& U2 n# @+ c0 N7 ^9 H% u
- A" w( }" p, o7 f- g7 d
9 {8 h, B: n# M l# o h
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9 Q: d6 t4 [+ r; W9 L& ]
0 m8 n. a6 ?3 }8 a$ M
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; V* c: G+ g/ R
, W) P+ N0 A8 e
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# g' f- i+ A9 {& d8 C
3 `/ \: m! [4 ?4 e7 K
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