|
本帖最后由 超級狗 于 2018-3-8 22:53 编辑 0 }2 w# Q& Z+ M0 U8 [4 M
b! e5 n6 t- S/ G7 KMOSFET 電晶體閘極電阻(Gate Resistance)的功用' k! J& D( Q8 R. t7 d
MOSFET 電晶體會在閘極(Gate)管腳串接一顆電阻,這顆電阻被稱為閘極電阻(GateResistor),通常被標記為 Rg 或 rg。
# I3 Z" F% ~! ]# b0 r+ K) E- i9 Y, T' m f
閘極電阻(GateResistor)的功用於防止 MOSFET 開關時產生振鈴(Ringing)現象,閘極(Gate)本身有寄生電容(Parasitic Capacitance),若閘極(Gate)的控制走線帶有過大的電感,LC 會產生振盪。
" s$ ~* U6 Y5 b5 U5 U' o3 E _) h* b3 ]! X/ a9 Z) h* ^, b
振鈴(Ringing)現象會讓 MOSFET 電晶體,處於要開不開、要關不關的異常狀態,電晶體會因此消耗不必要的功率而發燙,嚴重時可能導致電晶體過熱而燒毀。閘極電阻(GateResistor)有點類似數字電路中的阻尼電阻(DampingResistor),能衰減振鈴(Ringing)的強度,而這種設計常見於的電源供應器上的 Power MOSFET 或 IGBT 電晶體的控制電路。
. K" u+ i# f4 B1 w( v- u& c( r6 j0 w) k4 k8 V
4 M6 M* h& a6 B) t( o* N8 ^* y) y1 l2 n! f# W, P
|
|