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NRF51822 ADC检测,关机后耗电大,请做过的朋友建议

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发表于 2018-3-6 10:51 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 21:51 编辑 . C, f* m. L' {# L; ]7 j

) e/ w/ L+ k( B& ^) y0 h: qNRF51822  ADC检测电池,原本用100K/200K分压。嵌入式觉得电压检测不准,直接改成10K/20K,那么带来了新问题,就是关机功耗大。0 f% v# g' a, b( p/ i8 l
3.7V/30K=123ua,51822内部也分流,导致实际关机功耗200ua+,大大超出计划,请问做过的朋友有何见解?" m; ^3 s; D! F2 W
% N5 K7 Q' g/ Y8 u

7 Z" A, D! a2 @# S: _, |) i  |. M! T' I
2 J% R! ?: h9 N

nRF51822_PS_v3.1.pdf

7.02 MB, 下载次数: 7, 下载积分: 威望 -5

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洋人的圖晚上給樓主!^_^  发表于 2018-3-6 15:51
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发表于 2018-3-8 20:35 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2018-3-8 22:53 编辑 0 }2 w# Q& Z+ M0 U8 [4 M
hwz2824262 发表于 2018-3-8 09:58) ~5 X, O- u  y, z) Z" N8 r
请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?

  b! e5 n6 t- S/ G7 KMOSFET 電晶體閘極電阻Gate Resistance的功用' k! J& D( Q8 R. t7 d
MOSFET 電晶體會在閘極Gate)管腳串接一顆電阻,這顆電阻被稱為閘極電阻GateResistor通常被標記為 Rg rg

# I3 Z" F% ~! ]# b0 r+ K) E- i9 Y, T' m  f
閘極電阻GateResistor的功用於防止 MOSFET 開關時產生振鈴Ringing)現象,閘極Gate)本身有寄生電容Parasitic Capacitance),若閘極Gate)的控制走線帶有過大的電感,LC 會產生振盪。

" s$ ~* U6 Y5 b5 U5 U' o3 E  _) h* b3 ]! X/ a9 Z) h* ^, b
振鈴Ringing)現象會讓 MOSFET 電晶體,處於要開不開、要關不關的異常狀態,電晶體會因此消耗不必要的功率而發燙,嚴重時可能導致電晶體過熱而燒毀。閘極電阻GateResistor有點類似數字電路中的阻尼電阻DampingResistor能衰減振鈴Ringing)的強度而這種設計常見於的電源供應器上的 Power MOSFET IGBT 電晶體的控制電路。

. K" u+ i# f4 B1 w( v- u& c( r6 j0 w) k4 k8 V

4 M6 M* h& a6 B) t( o* N8 ^* y) y1 l2 n! f# W, P

Gate Resitance.jpg (14.25 KB, 下载次数: 4)

Gate Resitance.jpg

Ringing.jpg (99.34 KB, 下载次数: 4)

Ringing.jpg

Gate Resistance v.s. Ringing.jpg (38.16 KB, 下载次数: 4)

Gate Resistance v.s. Ringing.jpg

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谢谢版主的指导,那为了保护电晶体吗,应该需要加电阻才是咯?,这个电阻的取值为100R就好?还是有其他的推荐值,本人是小白,还请版主多指点  详情 回复 发表于 2018-3-9 08:35
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 楼主| 发表于 2018-3-8 15:35 | 只看该作者
超級狗 发表于 2018-3-7 11:316 p$ q* f3 I6 R. ^
系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。

- h8 x# L, r! M0 k- s$ H我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电容的问题。所以就好奇洋大人这个470M/470M分压不放电容,是不是算法上做了补偿优化?
* v: L; U4 T& y" F6 N7 i( c& `, {! k1 F- [6 Z

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不必太過認真,洋人給的是示意圖,不是原理圖。 再則他也只說功能沒問題,有沒有做過詳細測試未知。  详情 回复 发表于 2018-3-8 16:32

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发表于 2018-3-6 15:17 | 只看该作者
不要将电压检测直接加在电源端,通过一个N管加一个P管和一个IO口来控制,当输入高电平才检测电压值,这样就不会一直耗电

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发表于 2018-3-6 15:42 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 15:45 编辑
% D* X9 U  o. _' y- H- L% |
2 A+ j2 l. d' _9 K( j/ A4 Q3 m如果關機時只把電源芯片關掉,電池電壓還是會從沒電的 NRF51822 ADC 管腳灌入,漏電也有可能造成開機後 ADC 功能異常。5 N; p) a9 }' u4 g1 B  Z) a. l% [" {& h
4 p3 Q# l+ V0 T, }
網路上有人說,他用 NRF51822 搭配兩個外接 470M 分壓電阻偵測電池電壓沒問題,但他的架構是用一個開關,關機時就把電池切掉。
: E, @  c5 O) r7 K! @$ M
, f, Z8 C# r  e% e
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发表于 2018-3-6 17:02 | 只看该作者
我是用MOS管开关,定时测一下,待机的时候直接关断 MOS用开漏引脚控制

电压检测.png (13.26 KB, 下载次数: 1)

电压检测.png

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如果關機後 VCC_Batt 還在,電壓還是會透過 R21 往 PMOS 控制管腳灌。最好還是透過 OD 門或 OC 門控制。^_^  发表于 2018-3-6 20:48

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发表于 2018-3-6 17:10 | 只看该作者
电池电测,分压一般用M级的吧。

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发表于 2018-3-6 17:14 | 只看该作者
一般用的M级的。

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小电容补偿IC读信号时候的电流补偿。  详情 回复 发表于 2018-3-6 17:15

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发表于 2018-3-6 17:15 | 只看该作者
yidanshuxuexi 发表于 2018-3-6 17:14
1 q* w' g/ V5 i: {5 y, e$ ^一般用的M级的。
" W2 z; r7 l" i1 W; O" N
小电容补偿IC读信号时候的电流补偿。

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请问 小电容是如何做电流补偿的??能不能详细解释一下,谢谢; 我感觉是不是因为电阻太大了,产生的白噪声有点大,才加了个小电容降噪?  详情 回复 发表于 2018-3-9 08:40

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发表于 2018-3-6 20:39 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 20:41 编辑 ' ]+ l0 u& ~0 Z. F8 a8 |% _
$ R) b3 ?6 j; `" X
有洋人說他這樣接沒問題,但他關機時是用開關把所有的電都斷乾淨。
" Y4 M9 G' _- t+ c+ g' j2 d. w8 g  v, E4 \1 B7 K, G7 u- J$ P  A  c

6837_1.png (40.34 KB, 下载次数: 0)

6837_1.png

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版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律做了补偿?  详情 回复 发表于 2018-3-7 09:45
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发表于 2018-3-6 21:03 | 只看该作者
系統關機後如果 VBAT 電源還存在,這樣的做法較妥當!
% w* ^1 y: Q1 Y/ c; y- Y) Z
0 ?+ c: |, T8 X7 |
, o) S7 H. i- n

VBAT Switch.jpg (17.26 KB, 下载次数: 0)

VBAT Switch.jpg

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请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?  详情 回复 发表于 2018-3-8 09:58

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 楼主| 发表于 2018-3-7 09:45 | 只看该作者
超級狗 发表于 2018-3-6 20:39) B: q* z9 R5 t5 k
有洋人說他這樣接沒問題,但他關機時是用開關把所有的電都斷乾淨。
/ F5 j6 z+ S# }# k. C
版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律做了补偿?

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系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。  详情 回复 发表于 2018-3-7 11:31

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meng110928 发表于 2018-3-7 09:45$ l9 ^3 _) O: U6 r2 E6 u2 g9 \
版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律 ...

2 n: |) Z! t2 O/ ~系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。
. ?: Q9 q; D( L: ^. ^# r: `) m5 T& R: j. c+ s+ z5 r3 V
) q8 S/ q0 c( V$ W( v, `) f

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我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电容的问题。所以就好奇洋大人这个470M/470M分压不放电容,是不是算法上做了补偿优化?  详情 回复 发表于 2018-3-8 15:35
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超級狗 发表于 2018-3-6 21:03
2 Z- f! S; [2 K: z& @0 R' O# b系統關機後如果 VBAT 電源還存在,這樣的做法較妥當!
$ K9 e* j1 n9 X; `
请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?
" A( E, ~9 V' c; ?; ?- P# |1 ^

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MOSFET 電晶體閘極電阻(Gate Resistance)的功用 MOSFET 電晶體會在閘極(Gate)管腳串接一顆電阻,這顆電阻被稱為閘極電阻(GateResistor),通常被標記為 Rg 或 rg。 閘極電阻(GateResistor)的功用於防止 M  详情 回复 发表于 2018-3-8 20:35
这是MOS,电压控制。  详情 回复 发表于 2018-3-8 15:31

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 楼主| 发表于 2018-3-8 15:31 | 只看该作者
hwz2824262 发表于 2018-3-8 09:58% i2 B8 Q- w4 M9 E9 _" M0 U- j
请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?
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这是MOS,电压控制。2 r+ n, K2 B% k1 J- _3 o- e; h+ B4 j) d

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meng110928 发表于 2018-3-8 15:35
) u9 H. k7 T! H, F' N3 z我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电 ...
  l  }" x  v  H! `
不必太過認真,洋人給的是示意圖,不是原理圖。. d8 a+ ~# p5 J/ {( g3 }# a2 R' S9 A

2 h7 R+ }6 g2 B* p) a0 @再則他也只說功能沒問題,有沒有做過詳細測試未知。& D6 Z* \2 ^/ [6 `8 J1 i/ T3 W% }, B8 B
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