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有奖讨论《为什么IBIS model仅适用于相对低频段》

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发表于 2008-11-5 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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发表于 2008-11-6 10:42 | 只看该作者
论点就错了,还讨论什么啊

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forevercgh + 10 tianya讲的极是

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发表于 2008-11-6 20:48 | 只看该作者
哪错了??

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 楼主| 发表于 2008-11-6 21:51 | 只看该作者
原帖由 tianya 于 2008-11-6 10:42 发表 2 k# p( H# D5 G8 H
论点就错了,还讨论什么啊
/ [2 C2 D$ d' t+ m- x

* B% i, u4 ?- |+ Y- w! jtianya说的太对了,论点就有问题。
3 E% j2 s! p/ L4 n0 t并不存在ibis model适用频段的问题,只是看manufacturer愿不愿意花精力搞ibis model了
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发表于 2008-11-6 22:22 | 只看该作者
对常见并行接口,如DDR2/3,做到精确,也不是很难,像Micron的ibis模型,都很准确;: G) e: @- _0 p: s" }( A
对serdes,之前ibis4.2的AMS,现在ibis5.0的AMI,都可以做到很精确,SiSoft做过AMI和SPICE的对比,可以看一下。

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 楼主| 发表于 2008-11-7 09:36 | 只看该作者
micron在model supply和quality方面做得的确超好。
, ?' W8 Q( b9 @& N好久没关注IBIS forum了
# e6 k+ X) q2 P. ^: T9 l% b9 U看来得过去学习下了
6 A" B0 ]; g( J) w7 ~" @感谢tianya
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发表于 2008-11-7 13:17 | 只看该作者
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发表于 2008-11-9 13:58 | 只看该作者
我觉得一般的Flytime仿真,IBIS 还是挺好的。2 o; |( r) K& p% _; ~! P
但是Overshoot就不好了。* G  c3 a9 w: ^* {+ ^
IBIS对于数字电路的一般就够了。
& q( A0 p5 J) L) l; I不用太去关心 适用频段。
9 q! F; C9 j. D+ B2 z2 l  f呵呵

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发表于 2008-11-13 01:11 | 只看该作者
IBIS 是可以仿真高频的, 但这要看多高频率,3GHz一下还是可以的,但要想更准确,还是要用Hspice.

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发表于 2008-11-14 11:36 | 只看该作者
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

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 楼主| 发表于 2008-12-2 09:23 | 只看该作者
原帖由 leixiaoyu 于 2008-11-14 11:36 发表
3 v  |5 u' u5 S/ [1 A: _模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

, D7 S: O$ z" D+ c7 H: Q7 S7 u
# @5 w' }9 @( f/ c7 K4 a3 J6 w! {烦劳详细解释 " |) W* f& K8 f; z2 [

9 P; R' O- A& F0 v/ T+ g) I3 n表格形式和带宽应该没有直接关系吧( J/ y/ R6 y$ d# `. n+ O+ O3 T5 ]
% ]3 |4 S" a/ V- ^4 u$ e
倒是netlist会牵涉到带宽的问题
sagarmatha

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发表于 2008-12-2 21:43 | 只看该作者
当器件工作在晶体管的饱和与截止区时,IBIS模型缺乏足够详细的信息来描述,在瞬态响应的非线性区域,用IBIS模型仿真的结果不能像晶体管级模型那样产生精确的响应信息。然而,对于ECL类型器件,可以得到和晶体管级模型仿真结果很吻合的IBIS模型,原因很简单,ECL驱动器工作在晶体管的线性区域,输出波形更接近于理想的波形,按IBIS标准可以得到较为精确的IBIS模型。 # P' I* u8 D0 l8 Z0 j- g) u' `0 o
# o  z. N. R6 a% M$ p. |
由于IBIS模型不适用于描述有源电路,对于许多有预加重电路进行损耗补偿的Gbps器件,IBIS模型并不合适。因此,在千兆位系统设计中,IBIS模型只有在下列情况下才可以有效工作: : O* u9 K" L$ N$ d/ F5 W8 }
  1.差分器件工作在放大区(线性V-I曲线)
( X1 Z9 \# |3 O* b, a2 L  2.器件没有有源预加重电路 6 h+ i) ?7 c; Y% S
  3.器件有预加重电路但是没有启动(短的互联系统下启动预加重功能可能导致更差的结果) 5 a1 g; O: m, `4 n
  4.器件有无源预加重电路,但是电路可以从器件的裸片上分离。 5 j& u* U. k. P; E4 h
  数据速率在10Gbps或以上时,输出的波形更像正弦波,这时Spice模型就更适用。

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发表于 2008-12-3 21:56 | 只看该作者
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

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原帖由 xooo 于 2008-12-3 21:56 发表 3 g% \2 X1 M' r- T
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。
/ g: {* y6 e3 }9 {2 e" U7 _) D$ [, _

' a& O, Q3 \7 I9 [; n6 R# l4 |IBIS就是个TABLE,表格大小应该不是主要的限制,至于精度,参照IBIS cookbook都晓得,IBIS模型对照spice模型的验证与校正也是建立IBIS模型的关键步骤之一。
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发表于 2008-12-14 14:27 | 只看该作者
个人觉得,对ibis仿真精度影响最大的VT曲线。
8 G5 l7 G  I1 X2 G* G, f4 y% J所以对于接收端的modeling来讲,ibis在很高的频率段仍然能有很好的精度;1 l: B3 [6 G: Z* \# L
而对于发送端模型,4 E) y5 Z" C. E) S+ _' o
一个是VT曲线的时间长度(T)决定了仿真的最高频率,对于高频仿真,T要很短,很难精确建模。6 e, W: E: x% _$ Z$ T( d
另一个就是ibis对真正差分端口的modeling能力有限(特别是PN不够对称得时候),而高速信号又一般是差分信号,并带有预加重和均衡,这些ibis都无能为力。/ ~& ]" F9 `7 r( O, P: O: F

% {0 e7 D; @1 d0 Z& V! D但是情况可能在ibis5.0以后会改观,因为AMI扩展使用时频域混合的方法来进行建模仿真,这大大增强了ibis的建模能力。
( D- l( k+ o: q, u/ `$ @) m* c' r/ k# E/ ]. F
说句题外话,一个模型重要的是它的质量,而不是格式。ibis模型经过精心设计,同样可以跑很高频率~~

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