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稳压管跟nmos管

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发表于 2015-2-26 11:52 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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大家新年好:
  `& _5 g$ ~; L  L9 Y7 ~& [请教一个问题,如图,Q3和D7组成的电路是什么作用?,如果BAT+是24V,REGIN是多少?
& D3 r" p3 \/ X- a

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发表于 2015-3-6 15:34 | 只看该作者
我的结论是   BAT电压必须要大于5.6V  REGIN端 才会有输出BAT电压

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和这楼的观点一致 GS<0 Mos管才会导通  发表于 2015-3-11 08:44

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发表于 2015-3-11 19:28 | 只看该作者
这个电路如果把NMOS换成三极管估计大家都能看明白.作用还是一样的.就是最经典的稳压电路) u9 [* R) \: m2 ^6 V
8 ^( v/ c; Y& J  i* Q; r; |
可是这个电路是2N7002,就没什么意义了.
* o; k5 @2 n$ ?& l# v三极管或NOMS的优缺点:三极管形式由于PN结电压较稳定,所以输出电压精度高一点,缺点是三极管需要较高的电流来驱动基极,所以带载能力差。如果想带载能力好,就需要复合管驱动,这样又会使得元件增加,功耗增大(当然这种是电路也不在乎这一点);* y1 g! n7 q$ n5 B0 Q# g

# R6 @- q& S8 ?NMOS管的唯好处是元件少一点,不需要驱动电流,但是成本高,稳定性或温度特性就更差了.基本上得不偿失。所以实际应用极少

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"學會了" 就簡單了.

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发表于 2015-4-8 12:01 | 只看该作者
fjnhzhm 发表于 2015-4-8 10:359 @6 Z9 D4 E! n! l
实测验证神奇杰克的仿真,如下图:

! [- I7 P4 K" B/ T1 a8 L' [+ Y18V 會造成 MOS 燒毀?
6 E7 y% ]- N8 G5 T1 pVDS 和 VGS 大於外部電源電壓18V,計算 MOS 消耗功率小於 0.06W,以上都符合規格書,所以我認為 MOS 應該不會燒毀。* V7 v9 n7 x6 d1 E; _( [
造成 MOS 燒壞原因有可能是實際 MOS 接錯了,或是 ESD 才會造成 MOS 會燒毀。其他不明原因我想不出來!
8 _' Z# x2 M2 V# ?6 d/ E

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"學會了" 就簡單了.

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发表于 2015-2-26 12:30 | 只看该作者
看圖片

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实测验证神奇杰克的仿真,如下图:  详情 回复 发表于 2015-4-8 10:35
可以分析一下电路的原理吗?  详情 回复 发表于 2015-2-26 13:02

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 楼主| 发表于 2015-2-26 13:02 | 只看该作者
. `" s6 }  K. Y
可以分析一下电路的原理吗?/ e& p# `4 w9 Y& Z& \8 d

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发表于 2015-2-26 14:08 | 只看该作者
MOS管就是一开关啦;
不疯魔,不成佛.

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发表于 2015-2-26 16:46 | 只看该作者
D7是一稳压二极管,当电压低于5.6V是不起作有。当电压超过5.6V时,起作用。把Q3的G极拉低。: Z, @# S' F% l: B* T- j' F
如果BAT+是24V,REGIN应该没有电压。因为D7已起作用。Q3已关闭。

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搞错了!6楼才是正解...  发表于 2015-2-28 16:43
这明显不是正解!  发表于 2015-2-28 15:22
正解  发表于 2015-2-28 14:37

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发表于 2015-2-28 10:53 | 只看该作者
我的理解是当BAT+的电压低Q3的VGS(2.1V)电压,Q3关断,REGIN没有电压输出,当BAT+的电压高于VGS电压时,Q3部分打开,REGIN电压为D7上的电压-VGS

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这个才是正解!  发表于 2015-2-28 15:22

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发表于 2015-2-28 13:55 | 只看该作者
看了半天没看懂这个图的意义,楼主如果可以的话,请上传PDF(完整),或者告知你的目的。

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这是一个电池检测芯片的部分电路,型号是bq34z110,可以看下  详情 回复 发表于 2015-2-28 14:18

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 楼主| 发表于 2015-2-28 14:18 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-2-28 13:55
3 K" v+ i& C- k. f- v5 U看了半天没看懂这个图的意义,楼主如果可以的话,请上传PDF(完整),或者告知你的目的。

. J& t/ S! v& M0 P5 V6 C/ j这是一个电池检测芯片的部分电路,型号是bq34z110,可以看下$ I3 `0 U' N5 m; y

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发表于 2015-2-28 15:39 | 只看该作者
楼主这个稳压管和N-MOSFET组合做一个类似稳压的作用。6楼已经分析出来了。- @' H# |+ l* A+ t6 L+ A
MOSFET工作在线性状态。

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发表于 2015-2-28 17:07 | 只看该作者
刚才查了下MOS管的线性区指的是VDS电压较低的时候,这个电路MOS管也不是工作在线性区,而是当电池电压超过5.6时G电压恒定,MOS管导通后S极电压开始升高当升高到5.6-Vth时MOS管关断,在MOS管S极电压降低到5.6-Vth以下时MOS管导通,使S极电压维持在5.6-Vth;6楼说的很好

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QQ图片20150228170100.png

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那如果将这个稳压管换成3K电阻,通过电阻降压使得24v稳定后G级电压在5.6v,这样效果是不是也差不多?  详情 回复 发表于 2015-3-5 09:48
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  发表于 2015-3-5 09:46

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 楼主| 发表于 2015-3-2 11:28 | 只看该作者
非常感谢各位的热心解答,谢了

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发表于 2015-3-5 01:11 | 只看该作者
电路设计的不错,用稳压管"制造"一个源。高电压转成低电压逻辑电平,得积累一下~~谢楼主。

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发表于 2015-3-5 09:48 | 只看该作者
本帖最后由 littlepig 于 2015-3-5 09:49 编辑 2 B1 g2 ]0 ?3 Z" N
风吹摇摆 发表于 2015-2-28 17:07: y) |6 a4 ~9 A: ~8 D
刚才查了下MOS管的线性区指的是VDS电压较低的时候,这个电路MOS管也不是工作在线性区,而是当电池电压超过5 ...
- K: _/ O; e! V, s/ y8 k
. k3 W# o8 T* b8 {6 R) s' S3 Q

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为什么你这个提醒一直在,都跟了我10几天了.....  详情 回复 发表于 2015-3-18 15:28

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发表于 2015-3-10 15:27 | 只看该作者
1、电压保护电路,约大于6.1V时(实际应用5.6V稳压管,6.1V时才彻底饱和导通), REGIN端便无电压+ {7 \" p2 J& E' d2 d# }7 k
(<0.2V);而VBAT低于6.1V时, REGIN端跟随VBAT电压变化;
+ S# R  Z" Y! f7 E2、另外若BAT+接24V, 稳压管比较热,R3适当增大为佳,当然看你用什么类型的电阻与稳压管;
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