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关于QSFP收发信号的处理

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发表于 2014-12-7 11:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 kevin890505 于 2014-12-7 11:31 编辑 / h- s6 i5 N# h+ q$ X/ _
3 U* L  I& \% \* W/ P
第一次弄QSFP+,完全没信心,请问各位大神,这种10G的差分(4对收,4对发)处理上有什么要注意的:
" ?# A* X4 N! ~4 L1,收/发的4对之间应该不用等长吧?
1 m% r8 h7 ?" w5 @2,对于高速的差分,从1mmBGA中出来,BGA下方应该有>2CM的走线.下图neck mode或者每根线各走一个通道,对于信号那种更好?2 K: W" H# V5 A: M
3,10G的信号,如果没有长距离的水平,垂直走线,大约小于5cm,用考虑十度走线么?
+ n2 S; P1 D: A* g, S/ b: M4 J如果各位大神有其他意见,建议,跪求!!
7 i/ ~! R. N9 n% r, t, O6 C& [2 I9 V8 ]
还有关于电源处理,内核0.9V电流>30A,设计的是48A,这种大电流在处理时候有什么要注意的?
- m( H( A  r2 v& O" M% F因为是长方形布局,电源在右侧偏下,芯片在左侧,中间偏上有2个DDR3颗粒(不一定会用),这一块地平面回流电流貌似非常大,将来会影响这2个DDR3么,准备跑2133M的。8 ^" d- A' \3 B( O3 i2 K
! q# ]2 X1 W3 r; d
我是很有分享精神的,不过大家懂得起,实在不方便上图。ORZ。
( n/ N7 F% V' E7 D& |% X

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发表于 2014-12-9 23:34 | 只看该作者
我也来说一下,个人意见,仅供参考:
3 I" X1 f& m& `; H$ L8 M1. 要严格等长;不管是差分线对还是TX,RX对,等长就是了,虽然我们知道后者是无所谓,万一软件调不出来,第一件事就是问你这个:等长了吗?你就可以胸有成竹地说,所有的都等了。: X& G; V" H/ p3 j8 X0 N0 j" W9 x
2. 不用说了,neck mode;) o1 ^. t: b2 |8 W7 y
3. 同上,需要十度走线;
0 X* n, @, N$ H# o' E4. 除了多铺铜,最好顶底层用2OZ以上的铜皮,电源是最为关键,对数字部分,我一般看重的是电源和回路。
% }# I; {$ K( z7 |2 D0 Q年底要发奖金,这个时候,一定要注意设计,如果因为一时痛快而被人抓了把柄,奖金分少了,就不好了。

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 楼主| 发表于 2014-12-9 13:08 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2014-12-9 10:276 @) m' ?9 [, n6 E6 s
1、收发之间无需等长,实际上走线拓扑一致,相差也不会太大;
( F3 I/ n! _+ A' R* a8 D2、BGA内用Neck模式,一般是4/4的线宽线距, ...
& x0 x- a8 G$ v1 k" K% J
多谢大神。关于内核电源处理,我目前使用4内层+1表层铜皮的方式。通流量绝对满足48A要求。4 F4 q: y$ e9 P6 G. U  ~
而且电源走向没有经过DDR,但是电源到芯片相当于一根较小的U形铜皮,   DDR大概位置' D+ k2 y& |  |4 n# S7 e3 s
刚好在U的中间偏上侧,虽然电源不影响DDR,但是我经过仿真发现直流回路在地平面
2 e) Y1 L4 U! R# T! R7 B  ]上的电流密度,DDR下方明显要大许多,这个问题应该怎么处理?  单独掏空DDR和内核电
$ h! E) y. y8 i8 e0 F源地中间形成一个隔离槽的话会影响DDR走线下方的参考地,所以纠结啊!!!或者不用管?
) s) j- |4 O) F7 O

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发表于 2014-12-8 08:32 | 只看该作者
大力支持LZ  奉献自己的经验

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发表于 2014-12-8 09:17 | 只看该作者
楼主算的应该不对吧?0.9V/30A??还没见过内核功耗如此大的IC,一个IC的内核电压就这么大的话,估计什么散热都没用,而且那整机功耗应该很吓人了

点评

应该是瞬态电流吧,这么大的电流  发表于 2014-12-8 09:53
这个很正常了,我看到还有60A的,据说还有100A级别的不过没看到过。只不过在自己设计中,第一次遇到这种级别的。而且这个30A是DATASHEET要求的。  发表于 2014-12-8 09:19

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 楼主| 发表于 2014-12-8 19:36 | 只看该作者
cvntao 发表于 2014-12-8 09:17
' l1 X4 G1 o8 l5 z. l1 s楼主算的应该不对吧?0.9V/30A??还没见过内核功耗如此大的IC,一个IC的内核电压就这么大的话,估计什么散 ...
7 e8 ~7 D8 ^! \) ~5 L4 E
呃 我觉得这个虽然挺大的  但是芯片是分功能行业差异的    随便找个I7处理器  基本要求都是100A,150A级别的,比较一下,所以30A的稳态电流其实并不大。' ]" i; Z7 c$ o
更别说一些专用通信芯片,核心网,接入网专用的IC,内核五六十A都是小CASE的。或者高端的FPGA,内核几十A也是正常水平。
! D( p, j; J: }! Y/ ^
: b3 ~" v/ ~8 \/ T9 Z+ b

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 楼主| 发表于 2014-12-8 20:40 | 只看该作者
呼叫超级狗,跪求狗粮  

点评

楼主在哪里上班 方便私下留个联系方式么? 谢谢~!  发表于 2014-12-9 16:40

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发表于 2014-12-8 22:08 | 只看该作者
1. 关于高速信号,我认为一根走一个通道比较好,两个走在一起,一个阻抗不连续比较严重,第二个线太细损耗严重;

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发表于 2014-12-8 22:10 | 只看该作者
关于低压大电流,主要考虑两点,1,不要有瓶颈,2,板级频率范围内目标阻抗能满足设计要求

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发表于 2014-12-9 10:27 | 只看该作者
1、收发之间无需等长,实际上走线拓扑一致,相差也不会太大;
8 Z  O, `" i# V$ T/ A  [2、BGA内用Neck模式,一般是4/4的线宽线距,可以通过控制叠层,使其阻抗接近100欧;0 S! W& U1 _' a, @1 v0 ^0 }
3、如果可能,尽量走十度吧。! L  a) _7 F6 b. J. {7 X

6 b* |' W) B1 m! V' z设计一个紧靠在0.9V的电源层一起的地层,两个层的铜厚加大,建议2oz,该电源平面不要到DDR区域去。
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发表于 2014-12-9 15:28 | 只看该作者
我想,直流应该对DDR的影响不大
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发表于 2014-12-9 22:24 | 只看该作者
1.不需要等长; i; j, c5 F  p
2.neck mode
# _) g* U6 m. ?! _/ \; ~, Q3。不需十度走线
6 ^; T* |: t6 o4。可以在信号层多铺几个铜皮
5 D2 l+ e% e5 F0 o, F" ]! ~2 q$ c# X个人处理方法,仅供参考

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 楼主| 发表于 2014-12-9 22:31 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2014-12-9 15:28
- y# G5 n' I9 _# w+ F  |我想,直流应该对DDR的影响不大
% e: H  [& U: m5 }% N: ^8 C2 o
多谢大神帮忙。
* S+ p# W1 w0 u  p( z$ A

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 楼主| 发表于 2014-12-9 22:32 | 只看该作者
jhh610528 发表于 2014-12-9 22:24
+ ]& T* P# c& S1.不需要等长
, L# h/ M" v3 u$ k! H0 C2.neck mode
1 J5 s5 u; b( h3。不需十度走线
4 r5 }* I9 {9 s- @/ r4 d/ L
3Q   y5 g. Y$ c/ E8 z# w

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发表于 2014-12-12 16:45 | 只看该作者
本帖最后由 panpan 于 2014-12-12 16:47 编辑
+ z; d$ b8 ~, d7 S9 c
- }6 z, E! c7 P  k; h1,收发之间不需等长
* n% L- \$ i8 m& v( |2,必须用neck mode3,什么是“十度走线”?5 r  T/ S. O( w9 d* x
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