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楼主 |
发表于 2013-12-11 14:25
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" b3 }& P' g8 n S" {6 d/ l0 zUSB PHY厂家仿真说是在-40度没有问题，说要准备做FIB测试了，他们正在输出方案。8 E( J1 M: o2 ]5 k
是在-40度保持了一段时间出现的问题，但是在-10度至-40度之间都出现过这个问题，不一定非是-40度的情况。而且如果我们的设备通电状态下放到低温中，断电再立即上电是没有问题的。& X5 y2 q6 ^" m
板子原理非常简单，只有一个U口电流，1117电源，和主芯片一个。无钽电容电解电容，全部是瓷片电容。8 \0 M1 V9 d+ q' U' P$ Z
低温下各种仿真条件：' [* N* }5 M. e& {- g
1.VDD=1.62V ; VCCA1= VCCA2=2.97V8 i& q4 K* d S# B
mos section=ss5 {* D/ G) I. j7 A6 O; h1 \( D
transistor section=bjt_ss2 M* d5 d( t5 w
resistor section=res_ss
& y# p2 x v" q$ F* f0 t/ S0 `2.VDD=1.62V ; VCCA1=VCCA2=3.63V
" J0 L& [: q; ~! }( J3 hmos section=ss
0 z) n& |2 n. ^6 P9 K+ x# atransistor section=bjt_ss
# {) T9 J- y( e, D( J& i& nresistor section=res_ss
% _4 f6 C6 s. k" u0 l0 u& {3.VDD=1.98; VCCA1=VCCA2=2.97V3 Y& K; n1 \ @5 i6 k2 T! V& C
mos section=ss% ~: m( D+ b7 y
transistor section=bjt_ss- o' s$ E7 O: {, i, Q
resistor section=res_ss) d( o/ K1 S# X2 R
4.VDD=1.98; VCCA1=VCCA2=3.63V' I" L' [6 V1 b0 ]
mos section=ss6 B, ^: H! }7 ~# a$ Z7 D
transistor section=bjt_ss0 A Q- R @+ d+ |) i f1 b
resistor section=res_ss
% s7 A" r. {" ?3 ?1 Z' K8 Z) Q5.VDD=1.62V; VCCA1=VCCA2=2.97V' R- ~4 f5 |" I
mos section=ff
1 y0 {( T- Z8 `1 c2 X: _transistor section=bjt_ff/ M) ]& g9 R, O, L
resistor section=res_ff
2 p5 l1 |: R: e( q. U: `; U' [6.VDD=1.62V; VCCA1=VCCA2=3.63V
4 k9 ] f" N" W9 ^) x: {2 v mos section=ff' _7 |) U' ^8 T5 F
transistor section=bjt_ff1 N; W+ e- Z5 y7 y+ F _- Q
resistor section=res_ff6 @$ c% r5 s( g; `' ~+ o
7.VDD=1.98; VCCA1=VCCA2=2.97V. v5 O! k7 k- c) O$ P" K# o. B3 ?, J& T
mos section=ff" ?, P% U! L) O; a+ ]* ?1 z
transistor section=bjt_ff) w/ W, c6 c. o/ j) [- w
resistor section=res_ff8 Z$ ~' y6 l: B$ m) Q2 v ` e
8.VDD=1.98; VCCA1=VCCA1=2.97V
8 B0 f! P% s4 [4 [+ T mos section=ff5 E" p" o0 m5 D5 F+ m* b2 D
transitor section=bjt_ff
. q, T( l6 J1 V1 m resistor section=res_ff0 h2 M$ \1 R7 H g
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发表于 2013-11-22 10:04
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发表于 2013-12-6 17:42
