MOSFET的寄生二极管

liuhai2200

正常情况下，MOSFET的寄生二极管压降是0.5左右，如果测得的值是0.2左右，是否就有问题，前提是同一批芯片。

simplees

寄生二极管压降你都能测试得出来。。。。。。。！全体敬礼

liuhai2200

simplees 发表于 2013-6-13 22:35
寄生二极管压降你都能测试得出来。。。。。。。！全体敬礼

拿N-MOSFET为例，用万用表二极管档点测源、漏极(红笔接源极、黑笔接漏极)，不知方法是否正确，请高手指正！
/ b8 U2 I) }$ d) @% q* b, y谢谢！

kully

有规格书指示该body diode压降是0.5V？最好是以实际电路测试D，S对参考点电压。
一般不会有那么大的压降才对。

simplees

我看了一些测试的资料；测试出来没有价值。这些参数我认为厂家都未比测得出来

liuhai2200

liuhai2200 发表于 2013-6-13 23:02
0 {; `$ l$ r4 N  {, Q, ]1 M拿N-MOSFET为例，用万用表二极管档点测源、漏极(红笔接源极、黑笔接漏极)，不知方法是否正确，请高手指正 ...

7 y: V9 R9 M" Z, `( Z8 _4 L2 S好的，谢谢Super Girl，这个确实没注意到栅极电平问题，改变下测试方法！

liuhai2200

kully 发表于 2013-6-14 07:58
有规格书指示该body diode压降是0.5V？最好是以实际电路测试D，S对参考点电压。
6 |- I: D7 @7 m一般不会有那么大的压降才 ...

好的，谢谢！
MOSFET的手册都会有体二极管的参数说明，我这是从板上拆下来MOSFET测得的，有可能是有问题的片子。

liuhai2200

simplees 发表于 2013-6-14 09:38
0 P# [% U) [: i2 s$ l. Y我看了一些测试的资料；测试出来没有价值。这些参数我认为厂家都未比测得出来

嗯，好的，谢谢！{:soso_e100:}

Vincent.M

# Z) r' t# x8 Q, L5 f/ `- O" H

liuhai2200 发表于 2013-6-13 23:02
拿N-MOSFET为例，用万用表二极管档点测源、漏极(红笔接源极、黑笔接漏极)，不知方法是否正确，请高手指正 ...

4 J& {! Y8 C9 E$ h6 H1 I
( q" t7 d0 f7 l1 o) a$ I" |. c1 F8 `以我的认知，万用表是测不出MOSFET的body diode forward voltage的。
打开任意mosfet的datasheet，可以看到这个寄生的二极管的压降测试是有严格的条件的。

一般用curve tracer去测。
设置peak voltage；
4 d$ l" t; O* [. D- \9 v' ]附加可调串阻
# P: D- L2 W( K& Q设置极性；
设置pulse特性。


即使你使Vgs=0，万用表测得也不能与datasheet上的体二极管压降作比较，因为测试条件就不同，用来判断极性，万用表倒是可以。

liuhai2200

Vincent.M 发表于 2013-6-15 16:39
以我的认知，万用表是测不出MOSFET的body diode forward voltage的。
! h, u" {8 N& h$ ~0 J& s8 _4 m2 j% @打开任意mosfet的datasheet，可以 ...

1 l: W! v# d0 o* R好的，谢谢Vincent，还这么细心的把图贴了。
说下我的理解：芯片Datasheet的很多参数都是在一定的条件下测得的，但这并不意味着你用别的方法就测不了，当然我不是做芯片的，可能我的方法确实不太科学，当然你说的测试方法应该是严谨的，谢谢你！
最后我想说的是，经过我简单的测试，得出个结论：如果栅极悬空的话，是会影响测得的体二极管压降值；如果栅源短接测的话，体二极管压降基本差不多！