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看了大家说法,貌似都知道,但说的不清晰,我就我的理解来解释下,不对的还望大家多多指点:
Y+ o% c4 v- M1,首先大家必须知道一点,就是DCDC中,基本用的都是NMOS,打开(大多是NMOS,PMOS的导通电阻很大)时候Vgs要大于开启电压。(PMOS其实也一样)2 N; C' \! v3 J. A% y; m) ?9 R" W
2,而S端的电压在DCDC中可以理解为输入电压,有可能会很高(这里是12V,当然有的可能会有三五十V),那就是说栅极电压必须要高于12V才可以打开MOS,而且需要一定的电流(MOS的GS电容充电)
6 `$ e# ?, c1 \$ h7 p6 j2 o1 [3,如果全部靠DCDC转换的IC提供,显然是不合理的,因为IC的栅极驱动端不可能提供高达12甚至30V或者更高的电压,而且提供的电流也不会很大很迅速
4 H# C# b& B: p% [' P4,此时就需要自举电容,在NMOS关断(低电平不存在问题)的时候,电容会通过自举二极管迅速充电,也就是图中的1N4148,电容的最终电压就是S,D端的压差,接近于输入电压。
" d# D/ c: D9 n/ `( H( d+ P9 o5,当要打开NMOS(高电平)的时候,栅极电压从0开始升高,此时由于电容电压不能突变,Vgs=电容两端的电压=此处约为12V,从而保证电压满足导通条件: C7 E. D2 ?; z. v m6 Y
6,同时,电容放电时会给栅极提供电流,给MOS的GS间电容充电,从而有效驱动MOS的开关
$ z S) }4 F, z' O7,自举电容串联的电阻是为了延长MOSFET的导通过渡时间。这有助于EMI。但很显然,它会增加开关损耗,所以很少使用。
1 U3 H; {$ p" H0 p" E8,对于这个电路的Q1,Q2是构成半桥拓扑,在原理上和单端的没有太大区别。 |
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