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HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件？
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4 Y+ k- V8 l* X: d& f- u7 f+ D1 ^( [6 R) a9 d3 q: ]& V! d
因为之前尝试使用LUMPER PORT端口，辐射边界是包围电路的air腔体" y9 L+ j5 P$ V0 [: Y( g
& C; X1 F* i' A' X( }6 S; B在使用WAVE PORT，腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小
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请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界？这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗？这样的结果是否是准确的
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" ~/ b1 G1 P* O因为看hfss的一个full book里面的一个via模型，也是按WAVE PORT设置的，电路板的边界与空气腔体全接触，使用的也是辐射边界/ B7 r0 w* Y3 {+ G: i
& c3 a3 z9 H6 d9 [& U8 C
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另外，好像是有PML边界的时候不允许使用端口所在面
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% G3 C0 S, J. |& K0 C9 `* { k( a它跟辐射边界有什么区别么？( i& R. i2 G' m& T- {2 o3 x' e* D# T
: |3 _) c2 ^- d9 c9 H+ m) |3 Y
" A9 l/ Q$ \ r" P2 ~& j" d+ A
% T3 C1 L: \" w, e2 s) Y+ A
希望有经验的朋友指点指点，一直比较困惑
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发表于 2012-4-11 08:39
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