Hyperlynx使用咨询

anjingcoward

上传一图片！
请问：
    如果我想仿真使用去耦电容对EM辐射的抑制作用，
    我们知道去耦电容应该加在IC芯片的电源和地引脚之间，并要尽量靠近，
+ D/ I: u! G4 h+ U6 _   
    那在Hyperlynx中按照我上传图片所加的地方对不对？这种加法是加在电地引脚之间吗？
6 {, T1 `  M$ i& A/ v% n

willyeing

好像不应该加那么大的电容吧一般不会超过30pF的。几个pF应该就可以了。这样加会降低信号沿，也就是降低高频分量也就是那个Fknee频率，应该可以降低EM辐射的。

anjingcoward

willyeing 发表于 2010-12-28 14:30
/ C0 w& A7 o: I$ L! b+ g) M$ }& Z好像不应该加那么大的电容吧一般不会超过30pF的。几个pF应该就可以了。这样加会降低信号沿，也就是降低高频 ...

恩，我只是随便加个电容试试，呵呵！
主要是我想知道，这样加是不是正确的？
你认为是对的吗？

mf3780

应该加在微带线后面

anjingcoward

个人感觉好像不对啊！！
对于IC来说，去耦电容不是应该加在IC的电源和地引脚之间嘛？而按照图上的加法，明显是针对输出信号的啊，这似乎应该属于滤波吧？
4 c; X- O) i1 Q' g, H9 O

anjingcoward

我总觉得，好像linesim中应该修改驱动芯片的IBIS模型中某些部分，这部分可能会对应去耦电容部分，可是也不会改

willyeing

个人认为不对，IBIS模型里是DIE+PACKAGE的寄生电容，它代表封装好后芯片的pin的特性。如果加在里面等于改芯片的封装了。个人理解应该加在你加的地方，电容是pF级，一般情况可用串阻的方法来抑制EMI,还有改变驱动电流以及传输线长等！

forevercgh

回复 anjingcoward 的帖子

1 u! ^+ H+ {8 v* a参考附图

anjingcoward

上传一篇文章，其中有块是作者使用Hyperlynx做的去耦电容抑制EMI，
* T& s7 n, `5 B- F7 p) S不过没说怎么做
8 t9 y* P0 E0 t- F6 f+ X

willyeing

搞电容的目的还是降低信号沿，不管咋样，EMI都是电流发生瞬变产生的，解决EMC就是解决电流的问题！！！

anjingcoward

我在找些资料看看吧

honejing

Linesim 無法把電容掛在 Power rail 上。
  N- ?$ U+ f) p! |( J# o, T. fLZ 的圖示把電容掛在互連線上，並非去藕電容的作用。

anjingcoward

honejing 发表于 2011-1-5 18:39
Linesim 無法把電容掛在 Power rail 上。
LZ 的圖示把電容掛在互連線上，並非去藕電容的作用。

" M2 s$ ~5 V8 \' Q2 _$ l  \! \那honejing有什么办法做做这方面的仿真没？
  ^8 }8 H" K+ r5 g

honejing

曾經嘗試， 但 Hyperlynx LineSim 似乎無解。不過可以用 BoardSim,
5 D; }+ G; g; T4 H 自己抽的 Model 含  Power pin, 把電容掛在上面試試，但是它提供的 IBIS model
就沒有辦法拉出 Power pin, 無法做 Power 的連接，不確定仿真 EMI 是否會有效果。
試試，若有結果，麻煩分享。