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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑 / C9 l( s; }4 [* P) X
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做一个六层板& x0 i5 ~8 ?$ j8 m* j# u
主芯片是DM642# v; W9 |( T+ f1 v" P$ Q
在做SDRAM信号线仿真* [. ]+ f6 b* D1 k1 @: w' a, @
) c4 S5 e. d; E0 D1 z6 k( N看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻
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9 F" x' B, G) M1 O' p我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil,阻抗为73欧姆6 ?' o8 t# M/ Y% |' @( Q
匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil,阻抗为66欧姆
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但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V
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6 g* ~8 V3 z1 w: k$ Y" u改为68欧姆的匹配电阻做仿真,波形大为改善# B8 m* }% \' `5 p( V! d5 u3 i1 y
?' o2 O1 ? e5 Q; U( l请问我应该用哪一个组织的电阻呢?
' R' S% ^* m5 s用68欧姆的电阻波形好点,但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢?
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$ O, i, {7 E' P o8 G% C还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长,是不是起不到匹配的作用呀?- T* m- B) D: i$ P- u. e
请大家不吝赐教,我都快急死了) J( M! O9 g3 M3 `% Q& W/ L) J
拜托了! |
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