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[Ansys仿真] SIWAVE仿真讨论:PI仿真流程问题与疑惑!

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发表于 2009-6-4 20:06 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 mengzhuhao 于 2009-6-4 20:54 编辑 3 C2 K/ L# F/ }0 X! O4 y1 U; {; R

* t, @6 p& Y! I5 m' _: B在进行PI仿真的时候,首先导入PCB文件
9 O  \$ o" L+ P/ x% B这个时候是不是先所有的退耦电容先无效或者去掉
5 ^0 j; f8 a0 v4 ^9 x5 U6 x5 y* \1 ^% z8 ]3 v, P6 H
在电源网络的各个端口设置S参数探针
7 Z, Y6 e- @2 `/ s6 g# |: X; V( q( [直接进行S参数仿真,查看Z曲线,看改电源网络在交流阻抗上的变化趋势
2 Z# @5 s) M1 `: e, m
& ~" Y& Y2 ^( o3 ?2 M& P! `/ P  }, W找出阻抗峰值点的频率
# \6 |2 {* ~3 ]! g5 T! h0 m  Y( n- D( b% r. Q" L
这个时候再进行裸板谐振仿真
2 a+ B* n. r9 g  G找出谐振幅度最大最小的地方
8 W0 \: v; B- G- f) {* K
* N9 n- s* O5 O* j, ?- _这个时候的一个疑惑是:在S参数里面出现较大阻抗的地方未必在谐振频率点上!那加电容的对策应该如何考虑?7 ^0 i+ A' h* z

: o0 \( I$ q+ s/ p# l加入像我下图中,在412mhz的地方出现一个较大阻抗,差不多20欧姆,但是谐振仿真出来是3个频段,没有包含那个
% H0 @% e9 h9 O
. f: }5 {  l0 A7 F5 k6 O7 u他们之间有什么关系吗?还是一点关系都没有?
# z$ e8 G) `& X* g7 N6 w% _2 b4 e" [( i9 P& S5 D2 g- Z6 f( \
裸板的那个谐振仿真是所有vcc与gnd间的谐振,是带默认激励源吗?这个激励源应该如何理解?% r  j0 m' w% V5 ]
: _$ f- s4 h* N- g0 C- h9 m! {
见一些资料说,这个仿真意义不大,需要加激励源仿真,那么这个激励远加在什么样的网络上?在进行AC扫描的时候需要选择的是同层与参考层?还是继续使用vcc层与gnd层?

加的时候在5V那点一下,然后在旁边点一下,选择对应的层!!.jpg (62.23 KB, 下载次数: 22)

加的时候在5V那点一下,然后在旁边点一下,选择对应的层!!.jpg

我在5V网络上加几个S参数端口!.jpg (60.28 KB, 下载次数: 11)

我在5V网络上加几个S参数端口!.jpg

3.然后点那个扫描选择项!.jpg (80.21 KB, 下载次数: 5)

3.然后点那个扫描选择项!.jpg

4.点ok进行计算.jpg (52.57 KB, 下载次数: 6)

4.点ok进行计算.jpg

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abbr_32e6a3664696362c32ba34f3657002e1.jpg

6.我点谐振模仿真进行计算!.jpg (242.46 KB, 下载次数: 7)

6.我点谐振模仿真进行计算!.jpg

7.设置参数.jpg (91.85 KB, 下载次数: 2)

7.设置参数.jpg

8.选择电源层与地层间的谐振仿真!.jpg (37.67 KB, 下载次数: 4)

8.选择电源层与地层间的谐振仿真!.jpg

9.得出的结果!.jpg (138.83 KB, 下载次数: 2)

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 楼主| 发表于 2009-6-5 09:57 | 只看该作者
是不是可以这样理解:, Q5 Y3 @7 C4 ^$ Z7 |3 b
例如我在5V网络的各个端口处加上S参数探针(在加的时候,提示有个参考阻抗,这个地方我
* \. S: ]5 u& l应该如何填?默认是50欧姆。但是我发现即使填个0.01的时候也跟50的一样)  P0 M% ?: E) ]! T0 r1 y( A
这个时候出来的曲线是不是一般只需要关注Z曲线就够了8 X6 n$ ]( H2 \4 U; ^
1 ~+ F  F( L  C0 G- M
从计算出来的Z曲线可以看出,在180mhz以下的时候阻抗一直都在1欧姆以上,在224mhz的地* i1 O$ E5 A: `0 m" Q8 X2 V- K! _: N
方出现一个最低值,然后从268mhz--421mhz之间阻抗一直保持在1欧姆,并呈上升趋势,在4: i; X& u. e& V2 i; r
21mhz的时候出现一个峰值47.5欧姆
& m# f/ P+ ?& Y: F! N
! t( t1 C1 b; e在裸板的谐振分析发现,不加探针的时候只有2个点,加上就出现3个点6 y$ V) a4 U+ y% w. [
分别在505mhz,788mhz与1.132ghz那6 f0 J& O- @( C$ S

& D) Y/ L! d  L那么实际的情况是:因为阻抗出现峰值的地方在谐振点之下,那么加对策的时候是不是这样
4 D/ g9 k0 ~% X8 |& M# y的,看看505mhz的时候谐振区域在那,在看看加的那个S参数探针是不是在这个区域,如果- a( b( l' ~& I
在就加上一组电容,既考虑505mhz之下的情况又考虑在505mhz时的情况
0 U, m9 f4 }6 g. v
7 U8 v4 }# z. c这样的理解对吗?

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发表于 2009-6-5 11:13 | 只看该作者
VNA测试S参数是的端接阻抗就是50ohm9 f' T7 R/ m* ]' m  h, ]
S参数主要看下插损和回损,当然看Z曲线也行,S<==>Z 可以通过相互转换
sagarmatha

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发表于 2009-6-10 08:44 | 只看该作者
根据siwave的参考资料,至少需要给电容加载模型后才能进行谐振平面的仿真,因此,需要把你对应电源网络的电容的等效参数输入到器件中,这样你的谐振点才可能是准确的,否则滤波电容的谐振点以及对电源平面的去耦效应无从谈起了。个人意见!

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发表于 2009-6-17 11:40 | 只看该作者
作谐振仿真应该加电容模型吧,要不所有的电容都是理想的,做出来的结果没有意义吧?

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发表于 2009-8-7 19:59 | 只看该作者
这个不懂,听大家继续讨论

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发表于 2009-9-8 17:31 | 只看该作者
使用siwave出现下图所示问题,仿真菜单中只显示上面两项,其他都是灰色,哪位高手能帮忙解答一下,先谢谢了
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