i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊

Aubrey

生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

# e6 r2 O5 g) D! S) NDDR Freq: 396 MHz
2 i) A9 E5 F8 t9 \( g. ~  a7 z
ddr_mr1=0x00000000
7 O$ H0 N7 y4 r7 c) WStart write leveling calibration...
/ N+ V% c# v/ e6 G9 n/ m6 G: trunning Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
* d+ W6 X3 ?0 h4 x; \# _    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
; m  e- O" L8 ^Write DQS delay result:
9 N3 L  Q# G! d0 r   Write DQS0 delay: 7/256 CK
0 `( v- \& K. h5 I/ d   Write DQS1 delay: 3/256 CK
5 C# [8 ?( o! d0 ?. @
Starting DQS gating calibration
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
/ J- R& f! P2 g/ \# U. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
# r7 G; |  {& d- x2 Z  Y. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
  T8 `* j# R- \* }+ `' i. E& W- H. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
  U8 S# d- Z9 F+ i9 C. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
; @7 s- K6 T9 |& T+ q. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
9 ?, m. c( [; c# ]; o# d) V3 q. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
3 H% @( s4 e$ ~2 a4 _8 o8 XERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
- |6 K0 w) A3 S8 edram test fails for all values.

4 Q" Y- ~- b1 g# z, ~Error: failed during ddr calibration
2 }2 U  `1 _+ b! d
8 V- d5 O$ |  ?

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
, t/ l5 E0 ^. G( q9 U2 c: o; ^可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

试过，也不行
! b9 p) n6 I: J8 L* J$ x

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

% P# ^0 j6 Y' }" }& C- @填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz

ddr_mr1=0x00000000
! W; T: h+ S0 Q) d5 `Start write leveling calibration...
running Write level HW calibration
# O4 R. \0 B+ [) p& b  I- `Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
9 F# W2 r6 l9 z2 N0 K8 ~1 C# B" r    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
# C) f* n7 G2 e: I3 o) S$ j   Write DQS0 delay: 7/256 CK
" A: W' ]% M4 t, z+ w+ F   Write DQS1 delay: 3/256 CK

( E0 F9 j3 N5 b4 L+ X2 V8 C% iStarting DQS gating calibration
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
& L' x1 U# C5 W8 D9 V# r. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
7 X+ k8 `) \( T. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
- U  X( [# w# B0 ]1 L( n4 @! i! w. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
, H+ o( j+ x. n) A0 S, V. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
" I+ k* ?! O, U* P4 E& W' K3 K7 z. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
" A6 _* b; J1 g: r( p% EERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.

/ |( t; I  l7 c6 t" {Error: failed during ddr calibration
6 w2 d) t7 p" o% S" y

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
试过，也不行

我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
  Q7 Z& u$ d) O' J1 _7 J2 w; H我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。
: D( R. [1 w# g. S( F1 C) V; _) _
' W& l; G! k& b4 U# V3 b

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
! d, l: R# S/ k1 b( C" `. j
4 T# R1 i0 b6 y/ b  ]/ Z1 S$ \6 chttps://community.nxp.com/thread/365106


$ a& L1 N) F# [5 I

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  6 \2 K& W! V* A% H' ?8 xhttps://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  10 : LPDDR2
  11 : DDR3
  1 R) D' Z% s: K" U, V. [

) g: S# c# Z; I1 N7 [9 ~! j

超級狗

+ [7 w1 O( _1 P, x& ~2 Z

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

/ T, W- ^! \& O: b9 k2 f" x 走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。

0 o# B) d2 r7 K3 R如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。
" E# B4 R$ C1 p  P4 _. l3 D2 F

, N6 o) B" Z$ H5 G6 }+ o

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

zxk

路过，学习一下 mark