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敷铜连接方式疑和晶体电容位置的疑问

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发表于 2017-8-18 11:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1.敷铜连接方式疑问. 哪种更好些?
+ o. F8 ~  k7 x- ?& h4 ^8 V  十字型连接或者直接相连.如下图所示这两种。% p" Q( S: i% h: S
   哪种更好,对于贴片是否有影响?我只知道第二种手工焊接的话GND焊盘很难上锡。
8 _" G( q* t/ g2 ]5 A( X& o   
+ z: S, n' x9 `8 l2.就是上图中晶体的电容放置的位置,是放置在如图所示电容末端,还是放置在电容前端更好? 谢谢指教。, }; w- q2 c+ ~* ~  Y
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发表于 2017-8-18 12:18 | 只看该作者
1、电流不大的前提下,还是十字连接好些。不然散热太快,不好焊接8 ~3 K' f/ d/ P2 U& l% `: B3 D
2、电容最好放在晶体前端,以防stub

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发表于 2017-8-18 13:11 | 只看该作者
本帖最后由 yihafewu 于 2017-8-18 13:12 编辑
* D" k  h- N, l6 j% }8 ^! i$ O  G! e7 l- I( S' m
同意楼上
" Q8 S2 m( S& x& V5 q* u1、手工焊不好焊,回流焊易立碑
6 I8 O# V( \) g8 X# }/ o  L& w2、另外,电容地最好就近接IC地脚。这块地与系统地最好做分割,只在IC地脚相连。晶振底下不要走信号线,我说的是上面那几条。

点评

同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。 [attachimg]130601[/attachimg]  详情 回复 发表于 2017-9-12 14:18

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 楼主| 发表于 2017-8-18 14:38 | 只看该作者
谢谢!
* [# ^: A/ Q0 S: q: g2 q, l1 w1. 如果器件较大 0603 是不是无所谓。 我问过同事 他说贴片没问题...3 C: V: h6 N! h/ t5 C9 N
2.这个是PIC单片机,8MHz. 量产的就是这么设计,我之前看过评审建议电容放前端,因此有疑问,那么下一版如果是我负责就改过来

点评

就是该放前面,而且焊盘必须放在走线上  详情 回复 发表于 2017-8-18 18:41
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发表于 2017-8-18 18:41 来自手机 | 只看该作者
本帖最后由 WattleHua 于 2017-8-18 18:44 编辑 + w+ p. m* L! X7 B
lize314 发表于 2017-8-18 14:38
: Z/ i1 d7 V! Z谢谢!/ y- s* c. T# X+ ^3 G. W3 S
1. 如果器件较大 0603 是不是无所谓。 我问过同事 他说贴片没问题...# [! X; p# y7 [! Y. e, _/ I
2.这个是PIC单片机,8MHz.  ...
1 q" ~& K+ B( S  D
我目前只要没有特殊要求,6层以板子全部都是直接连的,不用十字。
* q. j( O5 [8 c+ o  {  @. w电容应该放在晶振和单片机之间,而且焊盘必须放在走线上。不然你就放背面,和晶振管腿只隔一个阻焊桥。

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发表于 2017-9-12 14:18 | 只看该作者
yihafewu 发表于 2017-8-18 13:11
' {) t8 P7 O% R同意楼上
5 I( @0 I0 z0 G/ B1、手工焊不好焊,回流焊易立碑$ s4 Z1 ]: A% S( m: W, S
2、另外,电容地最好就近接IC地脚。这块地与系统地最好做分割, ...
0 j/ I( z" d, y
同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。
& [: E8 }4 D8 U. `5 o: g - }4 n, i& y: ?; N& M9 V

点评

我个人的看法是,负载电容的位置,在内侧、在外侧、在晶振两侧等都不是问题,问题在于相对于工作频率的Xin和Xout走线长度,尽量短。当然在频率较低时较长的走线长度也是允许的,但是使Xin和Xout走线最短这个原则是没  详情 回复 发表于 2017-9-13 09:41

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发表于 2017-9-13 09:41 | 只看该作者
疾风飘流 发表于 2017-9-12 14:18
; L+ I2 z2 N) h( s3 z同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。

+ [# v5 U4 Q/ M1 I" E/ u& U我个人的看法是,负载电容的位置,在内侧、在外侧、在晶振两侧等都不是问题,问题在于相对于工作频率的Xin和Xout走线长度,尽量短。当然在频率较低时较长的走线长度也是允许的,但是使Xin和Xout走线最短这个原则是没错的,条件允许的情况下越短越好。7 R+ j/ K: u& w6 M% p/ [
第二个问题是,避免出现stub,对于高速信号来说(即上升沿下降沿很陡的信号),会导致信号反射。第三个问题,各自信号到负载电容的走线要尽量一样,至少误差不能太大。针对这两个问题,将电容放内侧,并使信号线直接走到电容焊盘再到晶振,即避免了stub的出现,又使各自信号到负载电容的走线一样长。6 g; ?2 T( y0 n+ u1 _  O- l3 I
8 S- O: i6 o( ^" `1 u; [
- P) I1 ~5 \: m- o
其实我也是根据厂家推荐的方式来布局晶振,也没有太多的理论知识,因此上述看法仅供参考。4 u5 p7 P! n" N& a( L
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