|
jacklee_47pn 发表于 2016-8-10 14:55 I% x- Q" w; e4 d
Si2305SD 在 http://www.analoglab.com/library/mydevice.lib 裡面有一段源。
; Z, M' G* F) r# T/ t7 K, W6 T" Z
& w# i+ F+ R! F8 v, v*////////////////////// ...
4 i( I! X, p) J版主,再请教一下,有没有模型里面的各个参数介绍啊?) @1 E& B7 N3 `1 { s, E- w
% L2 f+ R# M0 ~ d( r' w- Y
*p-MOSFET*50V 1100mA 0.8 Ohm*Add_in_Line
: V1 p7 ~9 W5 Y/ F% N/ g- R) v.SUBCKT BSP315/INF 1 2 3. W3 v: u& }. F2 @% r9 l3 _" _ |6 T
LS 5 2 7N
3 w1 Z s' y, R3 Y9 l7 X3 `) @0 c( YLD 102 3 5N
" X6 H, q3 H! LRG 4 95 5.5M( G+ q7 Y" {9 J0 f8 l% N
RS 5 76 252M/ y; V0 H5 T' Q9 \: h
D315 102 76 DREV) V1 H, l d6 W( u
.MODEL DREV D CJO=300P RS=20M TT=100N IS=300P BV=50& W$ t$ E/ `5 j
M315 102 95 76 76 MBUZ G& g! c, \# V7 V
.MODEL MBUZ PMOS VTO=-1.246 KP=0.37! M6 N& u6 Z, L( M v+ Y' b6 V+ ^
M2 11 102 8 8 MSW5 Z1 A. T. U' p& W
.MODEL MSW PMOS VTO=-0.001 KP=5& l; r) u b2 h, Y; U' T+ X
M3 102 11 8 8 MSW
) A7 S; H3 i. N3 F, p c0 hCOX 11 8 180P% I0 a6 }# Z$ h1 I/ {: E7 L
DGD 102 8 DCGD3 S4 F( i) e8 q" _8 n; Y
.MODEL DCGD D CJO=527P M=0.605 VJ=0.9137 c8 R+ ]6 F+ f; E
CGS 76 95 215P
% U1 u$ G& \3 o0 ?6 ?1 P! [1 Y' NVGC 11 95 -20
7 } ]3 `" Z) y3 A$ {* BESCHREIBT EINE IMPLANTIERTE LADUNG (VERSCHIEBT DIE EINSATZSPANNUNG)
/ d/ b: o9 _+ N. _) pLG 4 1 7N9 f4 J$ ~6 S0 [6 X+ H+ i/ {
.ENDS
$ A3 P' Y& G8 z/ H5 `6 Q |
|