找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

巢课
电巢直播8月计划
查看: 2486|回复: 17
打印 上一主题 下一主题

有奖讨论《为什么IBIS model仅适用于相对低频段》

[复制链接]

55

主题

951

帖子

2740

积分

EDA365特邀版主

Rank: 6Rank: 6

积分
2740
跳转到指定楼层
1#
发表于 2008-11-5 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
RT
0 Y4 Y. V* B3 N凡积极参与讨论者均有积分获赠
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友 微信微信
收藏收藏 支持!支持! 反对!反对!
sagarmatha

1

主题

39

帖子

391

积分

三级会员(30)

Rank: 3Rank: 3Rank: 3

积分
391
2#
发表于 2008-11-6 10:42 | 只看该作者
论点就错了,还讨论什么啊

评分

参与人数 1贡献 +10 收起 理由
forevercgh + 10 tianya讲的极是

查看全部评分

2

主题

52

帖子

106

积分

二级会员(20)

Rank: 2Rank: 2

积分
106
3#
发表于 2008-11-6 20:48 | 只看该作者
哪错了??

评分

参与人数 1贡献 +5 收起 理由
forevercgh + 5 感谢参与

查看全部评分

55

主题

951

帖子

2740

积分

EDA365特邀版主

Rank: 6Rank: 6

积分
2740
4#
 楼主| 发表于 2008-11-6 21:51 | 只看该作者
原帖由 tianya 于 2008-11-6 10:42 发表
" G# K1 L4 c$ q6 G5 J* W5 K) l2 ?论点就错了,还讨论什么啊
0 o# P" G2 V* ?$ q" x% H" N* J

2 c3 Q. X0 A4 b* T; u! R4 ?tianya说的太对了,论点就有问题。
  f8 w) x4 Z( {+ E) W6 n  w并不存在ibis model适用频段的问题,只是看manufacturer愿不愿意花精力搞ibis model了
sagarmatha

1

主题

39

帖子

391

积分

三级会员(30)

Rank: 3Rank: 3Rank: 3

积分
391
5#
发表于 2008-11-6 22:22 | 只看该作者
对常见并行接口,如DDR2/3,做到精确,也不是很难,像Micron的ibis模型,都很准确;
( z( f6 e4 k; J对serdes,之前ibis4.2的AMS,现在ibis5.0的AMI,都可以做到很精确,SiSoft做过AMI和SPICE的对比,可以看一下。

评分

参与人数 1贡献 +5 收起 理由
forevercgh + 5 感谢分享

查看全部评分

55

主题

951

帖子

2740

积分

EDA365特邀版主

Rank: 6Rank: 6

积分
2740
6#
 楼主| 发表于 2008-11-7 09:36 | 只看该作者
micron在model supply和quality方面做得的确超好。
( F# f6 z) E! ^9 c2 L# t好久没关注IBIS forum了
$ N# }* d7 R, X看来得过去学习下了% s( Y0 p( n* k8 G1 W& I
感谢tianya
sagarmatha

2

主题

17

帖子

428

积分

三级会员(30)

Rank: 3Rank: 3Rank: 3

积分
428
7#
发表于 2008-11-7 13:17 | 只看该作者
崇拜!!!

0

主题

109

帖子

338

积分

三级会员(30)

Rank: 3Rank: 3Rank: 3

积分
338
8#
发表于 2008-11-9 13:58 | 只看该作者
我觉得一般的Flytime仿真,IBIS 还是挺好的。
% `6 F& S3 f9 B4 J8 T但是Overshoot就不好了。. P  C" T0 L  I# O
IBIS对于数字电路的一般就够了。
* M# ]9 g' L% G2 U不用太去关心 适用频段。
, w4 D! C4 N/ w) p. X4 L呵呵

评分

参与人数 1贡献 +5 收起 理由
forevercgh + 5 感谢分享

查看全部评分

0

主题

61

帖子

157

积分

二级会员(20)

Rank: 2Rank: 2

积分
157
9#
发表于 2008-11-13 01:11 | 只看该作者
IBIS 是可以仿真高频的, 但这要看多高频率,3GHz一下还是可以的,但要想更准确,还是要用Hspice.

评分

参与人数 1贡献 +5 收起 理由
forevercgh + 5 感谢分享

查看全部评分

0

主题

1

帖子

9

积分

初级新手(9)

Rank: 1

积分
9
10#
发表于 2008-11-14 11:36 | 只看该作者
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

评分

参与人数 1贡献 +5 收起 理由
forevercgh + 5 热心解答

查看全部评分

55

主题

951

帖子

2740

积分

EDA365特邀版主

Rank: 6Rank: 6

积分
2740
11#
 楼主| 发表于 2008-12-2 09:23 | 只看该作者
原帖由 leixiaoyu 于 2008-11-14 11:36 发表 7 s4 l& _! l% C4 H! V
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

( A3 T& Z; g, x
% e/ D1 T5 ]& \) A# M7 m7 @+ v烦劳详细解释 : @. t9 h3 W( P* G, B* ?

+ @8 s/ h# ?. M  x2 v表格形式和带宽应该没有直接关系吧' H- U  k: o) V( O

" j9 K( l& W3 ^7 E2 E% t& `8 w$ _倒是netlist会牵涉到带宽的问题
sagarmatha

4

主题

60

帖子

1063

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1063
12#
发表于 2008-12-2 21:43 | 只看该作者
当器件工作在晶体管的饱和与截止区时,IBIS模型缺乏足够详细的信息来描述,在瞬态响应的非线性区域,用IBIS模型仿真的结果不能像晶体管级模型那样产生精确的响应信息。然而,对于ECL类型器件,可以得到和晶体管级模型仿真结果很吻合的IBIS模型,原因很简单,ECL驱动器工作在晶体管的线性区域,输出波形更接近于理想的波形,按IBIS标准可以得到较为精确的IBIS模型。
0 h5 y9 Z" j2 W: K! k( \) o: E6 `) I5 [  N) w, @% B
由于IBIS模型不适用于描述有源电路,对于许多有预加重电路进行损耗补偿的Gbps器件,IBIS模型并不合适。因此,在千兆位系统设计中,IBIS模型只有在下列情况下才可以有效工作:
/ |" C5 {9 p" f  1.差分器件工作在放大区(线性V-I曲线)
% c, n* L* r6 D* q' b4 W7 g$ K  2.器件没有有源预加重电路 5 [6 N8 F3 {+ k$ i
  3.器件有预加重电路但是没有启动(短的互联系统下启动预加重功能可能导致更差的结果)
) `5 G; _9 K# I; B9 h: H/ L* P  4.器件有无源预加重电路,但是电路可以从器件的裸片上分离。 ; T3 X: \0 b6 H' g" ?( P
  数据速率在10Gbps或以上时,输出的波形更像正弦波,这时Spice模型就更适用。

评分

参与人数 2贡献 +20 收起 理由
forevercgh + 10 感谢分享
Allen + 10 谢谢参与

查看全部评分

以平心阅人情 以虚心求学问

7

主题

106

帖子

678

积分

三级会员(30)

Rank: 3Rank: 3Rank: 3

积分
678
13#
发表于 2008-12-3 21:56 | 只看该作者
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

评分

参与人数 1贡献 +10 收起 理由
forevercgh + 10 感谢讨论

查看全部评分

55

主题

951

帖子

2740

积分

EDA365特邀版主

Rank: 6Rank: 6

积分
2740
14#
 楼主| 发表于 2008-12-5 09:12 | 只看该作者
原帖由 xooo 于 2008-12-3 21:56 发表
  N; C6 {% B5 z& |% PIBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。
/ C7 d$ H- _$ N7 t
; D% S* o4 k$ j# m, [
IBIS就是个TABLE,表格大小应该不是主要的限制,至于精度,参照IBIS cookbook都晓得,IBIS模型对照spice模型的验证与校正也是建立IBIS模型的关键步骤之一。
sagarmatha

0

主题

8

帖子

-1万

积分

未知游客(0)

积分
-14918
15#
发表于 2008-12-14 14:27 | 只看该作者
个人觉得,对ibis仿真精度影响最大的VT曲线。1 a( m- h9 K- _5 G. t4 @
所以对于接收端的modeling来讲,ibis在很高的频率段仍然能有很好的精度;0 |# a9 d! H4 |% Q, a
而对于发送端模型,% e2 b; s+ j) Y  z% K
一个是VT曲线的时间长度(T)决定了仿真的最高频率,对于高频仿真,T要很短,很难精确建模。' k# u$ {! r* x- H
另一个就是ibis对真正差分端口的modeling能力有限(特别是PN不够对称得时候),而高速信号又一般是差分信号,并带有预加重和均衡,这些ibis都无能为力。0 I0 u, G9 b) V0 A/ L+ V' `4 i
! v/ r5 o2 R2 r6 I2 S( z/ U  j
但是情况可能在ibis5.0以后会改观,因为AMI扩展使用时频域混合的方法来进行建模仿真,这大大增强了ibis的建模能力。
4 @( T$ V7 g+ i; Y  c; e( V) H1 L4 t! Z
说句题外话,一个模型重要的是它的质量,而不是格式。ibis模型经过精心设计,同样可以跑很高频率~~

评分

参与人数 1贡献 +10 收起 理由
forevercgh + 10 感谢分享

查看全部评分

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

巢课

技术风云榜

关于我们|手机版|EDA365 ( 粤ICP备18020198号 )

GMT+8, 2024-12-26 14:18 , Processed in 0.083625 second(s), 51 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表