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用PowerSI仿真时,大型芯片的片上电容怎么使用的?

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发表于 2016-4-20 10:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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现在大型FPGA都集成了大量的片上电容器,原理图设计时只需使用少量的外围电容就可以了,但在电路板仿真时就遇到了问题,外围电容很容易加入模型进行仿真,但片上电容怎么加入模型呢,如果少了这部分片上电容,电路板仿真就不真实了吧。
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发表于 2016-4-20 10:41 | 只看该作者
仿真PDN分端口的,你分析的端口位置在BGA pin上那就是pin上的结果,是真实的., I' r- C5 C! i& n' M3 }1 H. F, G' N6 k
如果是die 上,那就要考虑片上电容。片上电容大多为100pF以下容值,用于解决高频带的纹波问题,对pin上的低频带影响可忽略。; `9 N$ Q& ]# y( h( R' i
新年伊始,稳中求胜

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 楼主| 发表于 2016-4-20 15:33 | 只看该作者
谢谢!

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发表于 2016-7-22 09:08 | 只看该作者
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