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本帖最后由 yuju 于 2015-7-20 16:49 编辑 ! B6 H6 U9 [" R+ e
) m- W( r, T, t% B' o) A9 _ 传感器产品新常态SIP和SOC谁也别逞强 7 I; ^" |' {, j, N
2015-07-20 半导体行业观察 SMICASIC SMICASIC ; n; Y) X6 f# @) i( o
莫大康注:文章短小,哲理很重要。SIP and SoC各有利弊。然而从MCU与sensors的组合在可穿戴市场中的应用,在现阶段仍是SIP为主,因为MCU是数字电路,而sensors大多是模拟电路,两者工艺差别大,要作成SoC会成本更高,而采用SIP较为快,成本低。只有当数量很大时,才值得去做SoC。
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在包括传感器在内的诸多行业,极具创新的高科技技术都是厂商们争夺的焦点所在。由于MCU与传感器是两种不同的产品,若将它们集成在一起,按常规思维来理解,MCU厂商与传感器厂商之间应该相互配合研发,但事实并非如此。1 |( m1 ~& G" g& {- s
! r: I$ X4 X* c+ ]% z哈波科技总经理郑毅向记者解释到:“现在传感器厂家和MCU厂家间的直接合作基本没有,一般都是类似我们这样的第三方研发公司把这两个产品整合在一起,自己将传感器算法写在MCU里。”
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8 y) y H! u9 H: q1 [按照郑毅的观点,士兰微可是非同“一般”。“与其他公司不同,士兰微内部本身就有传感器和MCU开发团队,因此无需与其他厂商合作也可以更好地控制市场规划、产品上市时间,在新产品的性能优化以及客户支持上都会有先天优势。”士兰微研发经理陈国栋说到。
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: O/ l4 W6 ?: d* u1 g' K# x2 _! CSIP封装技术娴熟SoC方案续航更佳/ U3 S! y$ r% [
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目前,虽然MCU加传感器的组合在可穿戴领域已经得到应用,但并不是两者工艺上的简单整合,市场上还是以系统封装(SIP)方案为主。细究原因,MCU主要是数字电路,会用到90nm的COMS工艺,而传感器主要是模拟电路,要把两种不同工艺整合在同一个平台上,难度非常大。郑毅告诉记者,以目前的技术成熟度,对于一些简单的传感器,如加速度、触摸控制、地磁等传感器整合相对容易一些,估计短时间内就可能实现,但对心率、血氧、温湿度等复杂的传感器整合可能还需要很长一段时间才能实现SoC。$ ` T5 b/ ~2 v5 `0 F
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对于郑毅的说法,陈国栋表示赞同,同时他也补充道:“从市场角度看,基于MEMS制造工艺的传感器与MCU整合在很长一段时间内应该还是以SIP封装为主,甚至还是分离的为主,一般在应用相对明确后才有厂商再进行SoC化。我们可以看到,很多大厂都在推行智能手表,可穿戴设备现在虽然是百花齐放,但是多数应用尚在试水阶段,而且SoC的规格也还未最终确定下来。对于目前的可穿戴设备,现阶段各个器件(传感,MCU,电源)最迫切需要的是微型化,即更小的体积以及更低功耗从而实现超长的待机时间。”
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传感器SoC化成行业大势软硬件齐备更高效0 u$ e9 K( [) i7 K8 S. w
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关于MCU与传感器的SoC化,业内人士预测28nm将是最后一个相对简单的工艺制程,业界也密切关注是否能在28nm工艺上实现整合。那么如果两者SoC化后,目前主流的SIP方案会被完全替代吗?“首先,SoC方案与SIP方案是一定会共存的,因为它们各有优势,而这种优势是不可替代的。例如SoC方案在成本控制、性能提升(比如低功耗)上会有优势,而SIP方案则在成品率控制、应用灵活性上保持优势,正因为这种不可替代的优势使得SIP方案仍具有一定的生存空间。其次,需要指出的是除了28nm工艺,针对不同的市场,110nm、55nm在SoC上都还会有各自的优势与机会。”士兰微陈国栋向记者阐述到。
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SoC方案有两个显著的特点:一是硬件规模庞大,通常基于IP设计模式;二是软件比重大,需要进行软硬件协同设计。SoC方案在性能、成本、功耗、可靠性,以及生命周期与适用范围各方面都有明显的优势,因此它是集成电路设计发展的必然趋势。目前在性能和功耗敏感的终端芯片领域,SoC已占据主导地位;而且其应用正在扩展到更广的领域。单芯片实现完整的电子系统,是IC产业未来的发展方向。
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& v, \! n0 g0 R2 M哈波科技郑毅同样认为SoC方案并不会完全取代SIP方案,一些高要求或特殊使用环境上的SIP方案仍会存在。同时他也表示,一旦实现SoC化,目前市场上的大部分SIP方案在智能穿戴领域将会消失,这也是符合技术发展规律的。
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/ T3 Z. _% W% N5 ` 市场竞争中,不同性能与价位的商品之间争夺市场早已成为常态,新的技术与新的商品刚推出市场时肯定会遇到难题,但如果真的极具竞争力,一旦形成口碑,用户必将趋之若鹜,这需要引起研发人员和营销人员的重视与关注1 k$ Z& K6 V) @2 B' d( V
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