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疑惑:USB阻抗匹配问题

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发表于 2015-7-3 10:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、USB协议要求数据线的差分阻抗要满足90Ω,想问下这是指工作时候的交流阻抗还是直流阻抗?8 V- I+ [( O; ?: ~) n
2、目前项目中为了抗干扰,在USB数据线上各串了一个磁珠,磁珠在12MHz时候的交流阻抗大概为30Ω,如果交流阻抗要求90Ω,那么我的差分走线阻抗只要满足60Ω即可?! M' i4 O9 g' q- @$ z; d7 c  S/ S
3、看到其他产品在USB源端数据线上各串联了47Ω的电阻,这是为了阻抗匹配吧?那么USB工作时是交流信号,而电阻的交流阻抗是0,那么有作用吗?: |* v9 v$ m0 z2 r
还请各位大侠帮忙解答上面的疑惑,谢谢!& S$ U; e; V# A8 G% `7 U- F/ Z" Y* L: @
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发表于 2015-7-3 11:03 | 只看该作者
1 那个是特征阻抗,不是交流和直流阻抗0 F2 q3 Q1 b4 _/ X* O
2 差分线依然需要满足90欧
4 n7 I; J5 F0 K$ W: \/ T$ w3 串接47R的,是USB1.0和US1.1,因为这些都是电压模式的。USB2.0以上的都是电流模式,串接的电阻必须很小,基本上都是用0R(用来吸收阻抗不连续的反射)

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 楼主| 发表于 2015-7-3 11:15 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-7-3 11:033 B8 n" i3 l' @* D) I
1 那个是特征阻抗,不是交流和直流阻抗
1 x6 [4 i6 \( R! q& e2 差分线依然需要满足90欧
5 W0 E4 l0 `  y7 a/ L8 [3 串接47R的,是USB1.0和US1.1,因为这 ...
$ l, n  {0 ^1 B( n7 k
     目前项目发现USB数据线上加上磁珠后,抗干扰性的确变好了,但USB的兼容性又变差了,会出现个别USB读取有问题。现在怀疑是磁珠在12MHz工作时候的存在交流阻抗导致的。关于这个问题版主有什么好的建议吗?应该从什么方面着手改善呢?3 M0 G  F! E* M. O" M. z

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发表于 2015-7-3 11:16 | 只看该作者
我也想顺便请教下版主,这90欧的阻抗匹配;是只需要PCB设计的时候走线的阻抗匹配(通过SI9000计算所得,然后交于板场处理);然后不需要端接电阻(100R)或者值端接你所说的0R电阻吸收阻抗不连续的反射。还是说既要保证差分走线的特征电阻,还必要端接100R(90R)的电阻!!

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发表于 2015-7-3 11:23 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-7-3 11:03: j: `% ?3 A5 L7 S, x4 s
1 那个是特征阻抗,不是交流和直流阻抗1 `' {1 c5 k- d* R. E# x" }
2 差分线依然需要满足90欧7 M+ G2 @/ o: ^2 \2 M! E4 l* }# B8 z( X
3 串接47R的,是USB1.0和US1.1,因为这 ...
# n6 b2 U% F9 v! h2 e1 `
然后再请教一下,就是DDR2/DDR3设计的文档都提到需要做阻抗匹配,
0 ^) a$ L& B+ i/ ?1 m& b( I常见的就是源端50R串联匹配,消除二次反射;一种就是负载端; x% Y  w1 ^7 u! ?5 C  T$ N6 L
戴维南并联匹配,消除一次反射;但是看了许多的实际电路设计时,
/ G/ N+ G4 Q" C  U1 E$ P很多使用的都是直连的;然后和通过控制走线的特征电阻
' x  S  W' N6 ]5 `1 L) z  _单端使用50R,差分使用90R;这是为什么呢!!是否跟ODT设置有关,
+ m+ A+ D# g3 e7 C% \) d* [4 }3 _然后时钟线和 地址线、数据线走线的长度 ,相互之间有什么关系,$ k! d, f3 x# L& ~
比如,时钟线略长与数据线。 还有一个蛇形走线的时候,
! B8 Y% }* `5 O, H; d# X+ r有没有一定的规则,比如绕几圈,多大的弧度,怎么绕;  A; U  U9 c0 }* S5 F# f/ Y, y. y
问题有点多,还请不不吝赐教啊!!! 也希望其他各位大神 指点迷津!
, [6 p% P# q6 o; l  @' H! C

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发表于 2015-7-3 11:26 | 只看该作者
还有 就是告诉设计时的过孔 设计原则,如果选择合适的过孔,还有如何换层!!( v# W$ g8 |/ a  _' g
上面 写错了事是 特征阻抗 不是电阻!!!还有铺铜时的网格密度选择!

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发表于 2015-7-3 12:35 | 只看该作者
建议楼主赶紧找本信号完整性的书集看看,好多问题

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发表于 2015-7-3 12:39 | 只看该作者
Log07071222 发表于 2015-7-3 11:23
% L9 B2 X" C! j) ^" y# C1 V然后再请教一下,就是DDR2/DDR3设计的文档都提到需要做阻抗匹配,; e! e  C6 h7 v  ?) [0 _% W
常见的就是源端50R串联匹配,消除二次 ...

0 Z5 ^' q: V7 p是与ODT有关系。

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发表于 2015-7-3 13:36 | 只看该作者
xingnuolgsx 发表于 2015-7-3 11:15( ^' {  j- W* U$ ]
目前项目发现USB数据线上加上磁珠后,抗干扰性的确变好了,但USB的兼容性又变差了,会出现个别USB读 ...

  Q+ q. K. P. X. f% D: o4 `没什么好的建议,你可以不用磁珠改用共模电感试试,使用磁珠的见的少。

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发表于 2015-7-3 13:38 | 只看该作者
Log07071222 发表于 2015-7-3 11:16# m3 g; {! D* H7 q' x. _
我也想顺便请教下版主,这90欧的阻抗匹配;是只需要PCB设计的时候走线的阻抗匹配(通过SI9000计算所得,然 ...
" o# P# b5 o% g
保证走线90欧阻抗匹配。% r% e0 \& D3 c! z+ H! ?4 n
0R只是起到部分的作用,比如不可避免的要打过孔,以及走线的阻抗不连续。
' r* e$ {7 z# r, z6 q0 j

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发表于 2015-7-3 13:45 | 只看该作者
Log07071222 发表于 2015-7-3 11:23$ B2 J3 _3 K4 h
然后再请教一下,就是DDR2/DDR3设计的文档都提到需要做阻抗匹配,
1 d+ A; V# z! d4 {常见的就是源端50R串联匹配,消除二次 ...

8 J! r9 X: h* Q1 ?. D' C, e跟ODT有关系。
( [! P6 ~* `  {9 s其他的你问问大师吧,
, L! @  t/ \: \/ \% j0 h7 V

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发表于 2015-7-3 16:38 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-7-3 13:456 B( T2 R2 `$ N6 L  t
跟ODT有关系。
# b5 s- I! P8 \9 e! g其他的你问问大师吧,
- H, _6 {! a8 m5 H  [! q
谢谢!!!哈哈,最近几个月 看了很多书,但是,
5 i8 {8 Q2 x3 M0 W有些东西知道好像是那么一回事,但是又不是很确信7 z  |) c' J1 j2 z4 O
所以需要大师 给出确切的答复
& a  u" O9 z7 x  h& x7 m0 p

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发表于 2015-7-3 16:38 | 只看该作者
坐等 各路大师 继续跟进啊,贴文章 文档,
% l, x7 n# G1 J/ ]4 ^& X都行

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发表于 2015-7-10 20:21 | 只看该作者
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