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fallen 发表于 2015-7-3 11:03: j: `% ?3 A5 L7 S, x4 s
1 那个是特征阻抗,不是交流和直流阻抗1 `' {1 c5 k- d* R. E# x" }
2 差分线依然需要满足90欧7 M+ G2 @/ o: ^2 \2 M! E4 l* }# B8 z( X
3 串接47R的,是USB1.0和US1.1,因为这 ... # n6 b2 U% F9 v! h2 e1 `
然后再请教一下,就是DDR2/DDR3设计的文档都提到需要做阻抗匹配,
0 ^) a$ L& B+ i/ ?1 m& b( I常见的就是源端50R串联匹配,消除二次反射;一种就是负载端; x% Y w1 ^7 u! ?5 C T$ N6 L
戴维南并联匹配,消除一次反射;但是看了许多的实际电路设计时,
/ G/ N+ G4 Q" C U1 E$ P很多使用的都是直连的;然后和通过控制走线的特征电阻
' x S W' N6 ]5 `1 L) z _单端使用50R,差分使用90R;这是为什么呢!!是否跟ODT设置有关,
+ m+ A+ D# g3 e7 C% \) d* [4 }3 _然后时钟线和 地址线、数据线走线的长度 ,相互之间有什么关系,$ k! d, f3 x# L& ~
比如,时钟线略长与数据线。 还有一个蛇形走线的时候,
! B8 Y% }* `5 O, H; d# X+ r有没有一定的规则,比如绕几圈,多大的弧度,怎么绕; A; U U9 c0 }* S5 F# f/ Y, y. y
问题有点多,还请不不吝赐教啊!!! 也希望其他各位大神 指点迷津!
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