找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

巢课
电巢直播8月计划
查看: 2269|回复: 17
打印 上一主题 下一主题

USB的VREF电压内部原理是什么??

[复制链接]

24

主题

107

帖子

1074

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1074
跳转到指定楼层
1#
发表于 2013-11-22 10:04 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
如题,设备在低温-40度时U口不能识别,现在抓到VREF电压有问题,应该是1.1V  ,在低温时升不起来,如图,只有一个脉冲。
  X7 ~8 y8 Q, }. v  c% |不了解VREF内部原理是咋样,请各位给分析一下

IMG_20131121_1706531.JPG (96.58 KB, 下载次数: 1)

IMG_20131121_1706531.JPG
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友 微信微信
收藏收藏1 支持!支持! 反对!反对!

24

主题

107

帖子

1074

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1074
推荐
 楼主| 发表于 2013-12-11 14:25 | 只看该作者
Vincent.M 发表于 2013-12-10 18:12
5 c7 b; W( j7 G有结果了吗?% ^6 g4 Z3 c  S+ s: G" j
先看芯片本身支持的工作环境吧。
3 N: C: c- y2 i- a1 j而且你这个-40°是已经保持一段时间了吧。

# Y: `" A- S  j2 a! c4 iUSB PHY厂家仿真说是在-40度没有问题,说要准备做FIB测试了,他们正在输出方案。2 B; o7 `) B: b9 p% X
是在-40度保持了一段时间出现的问题,但是在-10度至-40度之间都出现过这个问题,不一定非是-40度的情况。而且如果我们的设备通电状态下放到低温中,断电再立即上电是没有问题的。
2 P0 t* X/ c: G+ \. k板子原理非常简单,只有一个U口电流,1117电源,和主芯片一个。无钽电容电解电容,全部是瓷片电容。
: S5 T% x) {. }3 C5 ?2 y3 V% t4 m5 Z低温下各种仿真条件:- P/ R$ B9 b- I* A0 U9 E
1.VDD=1.62V ;  VCCA1= VCCA2=2.97V
& R5 Y6 c  I$ f! C: B4 Vmos           section=ss  h0 N, F, [' x! F
transistor  section=bjt_ss
8 r: m( k+ X& u2 h+ kresistor     section=res_ss4 P. R! z7 p; Z" c' N! e
2.VDD=1.62V ;   VCCA1=VCCA2=3.63V; Y4 ~6 h/ u5 v7 p. `
mos           section=ss9 X( \; h* \* d, F5 o+ `
transistor  section=bjt_ss: d: K" T! ]6 y) D
resistor     section=res_ss
: I) L& |# a2 s3.VDD=1.98;     VCCA1=VCCA2=2.97V
2 J' }$ e9 [& m: q. s4 y% Bmos            section=ss
& h$ s" E" x. A! `: [: Htransistor   section=bjt_ss& U: y% y5 t* O/ \) y
resistor      section=res_ss. A1 Y8 |- h7 n. H6 \0 G! w7 i+ j
4.VDD=1.98;   VCCA1=VCCA2=3.63V3 u  W8 w, x% r: H
mos             section=ss& @! s) Z5 D. K1 I8 {& ?4 O
transistor    section=bjt_ss
# C! s6 W  K+ f( N) m" Mresistor        section=res_ss
$ g+ A4 h4 d- p8 ~1 Z) s5.VDD=1.62V;   VCCA1=VCCA2=2.97V4 s6 \6 h/ _# ~# N. N/ i
mos           section=ff" v$ a" X; K( H7 k0 c
transistor  section=bjt_ff
4 {0 O6 f$ P. gresistor      section=res_ff
/ T4 T# ]3 k3 ?  j" f  o8 W# t) y6.VDD=1.62V;   VCCA1=VCCA2=3.63V& i( C3 c3 Y1 @. m- |2 H
  mos            section=ff1 p: o* `) N: l0 P
  transistor   section=bjt_ff& B9 F: S% I; u6 Q* ?5 Y0 ?7 _
  resistor      section=res_ff. Y! C4 z2 ^% q6 w/ `) ^
7.VDD=1.98;     VCCA1=VCCA2=2.97V
1 ~# r) {( C( L. z9 ~" ?   mos             section=ff
/ b6 ^% u3 S5 R' @+ X9 I1 A   transistor    section=bjt_ff& |) u, `6 G) d& L% y0 k& [6 g( h
   resistor       section=res_ff
3 J' x& z/ n$ [8.VDD=1.98;     VCCA1=VCCA1=2.97V
, K' d; v, l% h5 @: x    mos              section=ff' ~/ n$ `+ E. j+ m$ ^5 @. w
    transitor        section=bjt_ff
  D$ Y3 b. A4 ]/ I    resistor         section=res_ff. k; w3 b8 _, D2 U5 w/ w- I

24

主题

107

帖子

1074

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1074
推荐
 楼主| 发表于 2014-1-2 11:19 | 只看该作者
问题解决了,是芯片内部的原因,做了FIB后低温高温测试都正常了,原因是内部有对温度敏感的器件。& u- @" |! H6 K2 j0 s
以下是客户的回答,也谢谢大家的关注。
* t/ R6 v; U+ M: ]: T# P0 J- I3 c我们这边研究分析后认为,2、3、4点基本上都是纯数字逻辑,而数字逻辑在低温下出错或出现timing问题的可能性很小。因此我们将重点怀疑对象放在了PHY的linestate输出即HS linestate的检测上。虽然在现有工艺模型的各个corner下我们仿真验证都没有发现问题,但考虑到我们linestate 检测所用的比较器中有使用与温度相关的PTAT电流,因此我们推测和低温下该电流有关。: R- B$ K- l! p) j
实际上我们对设计进行了恶化仿真与分析,当我们将设计中的电流人为降低到30%后,在低温下仿真会看到linestate的检测出错的情况。原因主要是由于电流过小后比较器中部分器件工作到了压阈值区,比较器增益下降,比较出错。( I: @* N- O( ?6 \
在FIB方案中我们将该电流增加了一倍,从FIB测试结果看,我们的推测是正确的。但由于现有模型仿真上无法验证到该问题(我们之前应贵司的要求做了各种低温仿真),因此我们推测可能和model的准确性有关,也有可能和生产中poly 电阻的偏差有关。- k: o0 [0 n; I

24

主题

107

帖子

1074

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1074
推荐
 楼主| 发表于 2013-12-9 10:48 | 只看该作者
多谢大家回复,问题正在查找中,找到USB PHY厂家 抓了握手信号后,他们分析的原因是
  z- V1 U- U" }1.             此时PHY的linestate输出不正常;2 N2 s7 u8 q/ W. s( Y; E6 [. X
2.             SIE检测linestate出错;- ]3 N' y; T" ~; r5 m
3.             SIE检测到Chirp-JK至驱动TermSelect出错;( m, t) ?/ F+ ?- I6 I+ x1 X
4.            PHY内部的45R终端电阻或控制出错" ]( p' _8 s/ \9 ?, g

0 d  F: w3 N5 ~) [7 C0 V* f对芯片内部的东东一点都不懂,他们说今天给回复,我会及时更新问题结果告诉大家* t, {" p, y! \# j3 }3 Z5 U

1

主题

59

帖子

-9834

积分

未知游客(0)

积分
-9834
17#
发表于 2013-12-31 16:51 | 只看该作者
frankdhc 发表于 2013-12-10 16:12
8 s% p# ]( Y& _' T% p- ^3 `大侠能说的具体一点吗?  查电容是基于什么考虑的?, n# G- u4 W! I
知道在低温时电流会消耗增大,特意在电源那加了一个 ...

, Y: Q# y- D/ a最近没上论坛。。。问题解决了吗?对于一般器件来说,电容受温度的影响是最大的。普通Y5V的MLCC或者普通铝电解电容在不同的温度下容值和ESR变化非常大。

0

主题

29

帖子

238

积分

三级会员(30)

Rank: 3Rank: 3Rank: 3

积分
238
16#
发表于 2013-12-24 10:19 | 只看该作者
期待结果解答

7

主题

102

帖子

314

积分

三级会员(30)

Rank: 3Rank: 3Rank: 3

积分
314
15#
发表于 2013-12-23 14:04 | 只看该作者
来学习的

21

主题

424

帖子

3599

积分

五级会员(50)

Rank: 5

积分
3599
13#
发表于 2013-12-10 18:12 | 只看该作者
有结果了吗?
; a5 O9 \. C/ J: O/ y6 v先看芯片本身支持的工作环境吧。6 d. j  G( @: L! q3 E  G
而且你这个-40°是已经保持一段时间了吧。
6 p( L0 h$ t7 _4 a" d( {% Y+ ~/ ]芯片如果支持-40°,那么再去查外围的吧,而且MLCC在-40°一般不会有问题,除非你有普通铝电解在用。; d& H( x; V: K) Q) L
希望你给出更多的信息才好判断.

24

主题

107

帖子

1074

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1074
12#
 楼主| 发表于 2013-12-10 16:12 | 只看该作者
wesnly 发表于 2013-12-10 13:220 x, e& P* A! [: P: p( H* h
查电容
0 Q' L0 \) q+ Y; Y
大侠能说的具体一点吗?  查电容是基于什么考虑的?, O4 w4 r1 p' T
知道在低温时电流会消耗增大,特意在电源那加了一个100UF的电解,没什么效果。
* v4 {3 s" c3 h( T5 C' p我们这个芯片有多种封装,我实验了64pin和80pin的芯片且电路不同,都出现了低温U口不识别的问题。

1

主题

59

帖子

-9834

积分

未知游客(0)

积分
-9834
11#
发表于 2013-12-10 13:22 | 只看该作者
查电容

31

主题

4315

帖子

1万

积分

EDA365特邀版主

"學會了" 就簡單了.

Rank: 6Rank: 6

积分
19089
9#
发表于 2013-12-6 17:42 | 只看该作者
先確認芯片工作溫度範圍有沒有支持 -40度C。芯片工作溫度沒有支持 -40度C,不管怎麼調整USB都不會工作,即使有一、二芯片個會工作,那是算你幸運,不保證你的上千上萬的產品都會順利工作。

24

主题

1796

帖子

8046

积分

六级会员(60)

Rank: 6Rank: 6

积分
8046
8#
发表于 2013-12-6 17:21 | 只看该作者
常温正常?如果只是低温不正常那就查芯片电容吧。

1

主题

59

帖子

-9834

积分

未知游客(0)

积分
-9834
7#
发表于 2013-12-6 16:05 | 只看该作者
电容

5

主题

205

帖子

509

积分

三级会员(30)

Rank: 3Rank: 3Rank: 3

积分
509
6#
发表于 2013-11-28 17:44 来自手机 | 只看该作者
常温下让vref尽量高不就行了吗?

24

主题

107

帖子

1074

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1074
5#
 楼主| 发表于 2013-11-22 18:02 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2013-11-22 17:44
5 D) f9 ^+ B, e8 f3 hUSB的不太清楚,但是一般IC内部是有一个bandgap产生VREF输出的,但是这个bandgap的特点就是温度特性比较稳 ...

, h3 m- E! K; s& j3 v我们这个芯片只有3.3V供电,其它的是芯片内部做的转换。你的意思是 芯片内部bandgap的电源有问题?
: Y' w  R- H, l/ H% y  z
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

巢课

技术风云榜

关于我们|手机版|EDA365 ( 粤ICP备18020198号 )

GMT+8, 2024-11-15 11:35 , Processed in 0.080572 second(s), 38 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表