MOSFET的寄生二极管

liuhai2200 · 发表于 2013-6-13 18:43

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正常情况下，MOSFET的寄生二极管压降是0.5左右，如果测得的值是0.2左右，是否就有问题，前提是同一批芯片。

liuhai2200 · 发表于 2013-6-15 17:09

Vincent.M 发表于 2013-6-15 16:39 $ j, j! J2 C8 Z2 M' m) W( E! r: a
以我的认知，万用表是测不出MOSFET的body diode forward voltage的。7 V. J' F' ~4 |2 N' q' B1 s( h
打开任意mosfet的datasheet，可以 ...

好的，谢谢Vincent，还这么细心的把图贴了。
说下我的理解：芯片Datasheet的很多参数都是在一定的条件下测得的，但这并不意味着你用别的方法就测不了，当然我不是做芯片的，可能我的方法确实不太科学，当然你说的测试方法应该是严谨的，谢谢你！
最后我想说的是，经过我简单的测试，得出个结论：如果栅极悬空的话，是会影响测得的体二极管压降值；如果栅源短接测的话，体二极管压降基本差不多！

Vincent.M · 发表于 2013-6-15 16:39

本帖最后由 Vincent.M 于 2013-6-15 16:42 编辑

liuhai2200 发表于 2013-6-13 23:02
. f( c9 `/ ~) @# g拿N-MOSFET为例，用万用表二极管档点测源、漏极(红笔接源极、黑笔接漏极)，不知方法是否正确，请高手指正 ...

以我的认知，万用表是测不出MOSFET的body diode forward voltage的。
打开任意mosfet的datasheet，可以看到这个寄生的二极管的压降测试是有严格的条件的。

一般用curve tracer去测。
设置peak voltage；
附加可调串阻
设置极性；
设置pulse特性。

: @- i3 B. d p6 R( S8 C" ]* n即使你使Vgs=0，万用表测得也不能与datasheet上的体二极管压降作比较，因为测试条件就不同，用来判断极性，万用表倒是可以。

liuhai2200 · 发表于 2013-6-14 10:29

simplees 发表于 2013-6-14 09:38 1 V4 v6 t$ f/ i9 s( k+ ~
我看了一些测试的资料；测试出来没有价值。这些参数我认为厂家都未比测得出来

嗯，好的，谢谢！{:soso_e100:}

liuhai2200 · 发表于 2013-6-14 10:28

kully 发表于 2013-6-14 07:58 3 L6 z! a/ q4 i) ]! \ }
有规格书指示该body diode压降是0.5V？最好是以实际电路测试D，S对参考点电压。* G3 [9 [( w5 z4 x0 [
一般不会有那么大的压降才 ...

好的，谢谢！
MOSFET的手册都会有体二极管的参数说明，我这是从板上拆下来MOSFET测得的，有可能是有问题的片子。

liuhai2200 · 发表于 2013-6-14 10:25

liuhai2200 发表于 2013-6-13 23:02 2 L: X, S/ ]% N6 I/ Y4 f# O
拿N-MOSFET为例，用万用表二极管档点测源、漏极(红笔接源极、黑笔接漏极)，不知方法是否正确，请高手指正 ...

好的，谢谢Super Girl，这个确实没注意到栅极电平问题，改变下测试方法！

simplees · 发表于 2013-6-14 09:38

我看了一些测试的资料；测试出来没有价值。这些参数我认为厂家都未比测得出来

kully · 发表于 2013-6-14 07:58

有规格书指示该body diode压降是0.5V？最好是以实际电路测试D，S对参考点电压。
一般不会有那么大的压降才对。

liuhai2200 · 发表于 2013-6-13 23:02

simplees 发表于 2013-6-13 22:35
* f1 t2 v% |/ I+ [, C4 }寄生二极管压降你都能测试得出来。。。。。。。！全体敬礼

拿N-MOSFET为例，用万用表二极管档点测源、漏极(红笔接源极、黑笔接漏极)，不知方法是否正确，请高手指正！
谢谢！

simplees · 发表于 2013-6-13 22:35

寄生二极管压降你都能测试得出来。。。。。。。！全体敬礼

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