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本帖最后由 超級狗 于 2013-3-12 16:45 编辑 8 E% Z: d8 @# h. c1 [, D' s& |
4 ^' E4 Y7 s2 s' `9 KLDO 的選用技術 ; Q S( [3 E; W( }
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作者：美國研諾邏輯科技有限公司 顏重光
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9 w9 ?& x& u! B2 J7 ]LDO 的種類" I! O1 l- p Y* o1 r$ I
LDO 是新一代的集成電路穩壓器，它與三端穩壓器最大的不同點在於，LDO 是一個自耗很低的微型片上系統 (SoC)。LDO 按其靜態耗流來分，分為 OmniPower / MicroPower / NanoPower 三種產品。OmniPowerTM LDO的靜態電流在 100mA - 1mA，MicroPower LDO 的靜態電流在 10mA - 100mA，NanoPower LDO 的靜態電流小於 10mA，通常只有 1mA。OmniPower LDO 是一種靜態電流稍大但性能優於三端穩壓器的新型線性穩壓器，適用於使用 AC/DC 固定電源的所有電子、電器產品。因其需求量大，生產量大，而生產成本極低，價格十分便宜。MicroPower LDO 是一種微功耗的低壓差線性穩壓器，它具有極低的自有噪音和較高的電源紋波抑制 (PSRR)，具有快捷的使能控制功能，給它一個高或低的電平可使它進入工作狀態或睡眠狀態，具有最好的性能/功率比，適用於在需要低噪音的手機械和電器源中使用。NanoPower LDO 是一種毫微功耗的低壓差線性穩壓器，具有極低的靜態電流，穩壓十分精確，最適用於需要節電的手提電子、電器產品。
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LDO 的結構
- ? l2 Y, {! N" Y, tLDO 的結構是一個微型的片上系統，它由作電流主通道的、具有極低在線導通電阻 RDS(ON) 的 MOSFET、肖特基二極管、取樣電阻、分壓電阻、過流保護、過溫保護、精密基準源、差分放大器、延遲器、POK MOSFET 等專用晶體管電路在一個晶片上集成而成。POK (Power OK) 是新一代 LDO 都具備的輸出狀態自檢、延遲安全供電功能，也有稱之為 Power Good 即“電源好”。# r" Y+ N/ Y/ ~* m _5 t( F
5 {+ l+ H& ^/ [, a6 y5 c5 Q$ l, f工作原理及效率; J s) A9 G/ b1 p4 f2 v5 C4 d
LDO 的工作原理是通過負回饋調整輸出電流使輸出電壓保持不變。5 [; ~" n- H4 M+ z$ \! D
LDO 是一個步降型的 DC/DC 轉換器，因此 Vin > Vout，它的工作效率一般為 60% - 75%，靜態電流小的效率會好一些。
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LDO 選擇原則
W% s. l. m7 U& D+ j8 i( }當所設計的電路要求分路電源具有下列特點時：
z: ] `1 h" \2 {. E% Y● 低噪音、高紋波抑制；2 F' g$ n( R7 j3 E( K, c
● 占用 PCB 板面積小 (如手機、手持電子產品)；
% {) a" l6 L* @● 電路電源不允許使用電感器 (如手機)；
2 E ^7 z, [! n+ {; ~% z: w& _/ W- B● 電源需要具有瞬時校準和輸出狀態自檢功能；' ?; N* V0 Y9 H n3 U& s: i+ S$ E
● 要求穩壓器低壓降、自身低功耗；! T" t; u, C- |% P- X3 |! `/ m
● 線路要求低成本和簡單方案；
e3 q3 m# p# @$ @$ G此時，選用 LDO 是最確當、最實用、最方便、最經濟的。' P- o( f8 Q% g8 k" A& z1 V
# B% z) u0 L( ~% p) ?% W1 q7 H. j應用簡介) C( {) G; E; L
LDO 的應用電路十分方便簡單，工作時僅需要二個作輸入、輸出電壓退耦降噪的陶瓷電容器。
g' L2 F% g/ k4 U' @! AVin 和 Vout 的輸入和輸出濾波電容器，應當選用寬範圍的、低等效串聯電阻 (ESR)、低價陶瓷電容器，使 LDO 在零到滿負荷的全部量程範圍內穩壓效果穩定。
* q: [8 R6 `6 h! @- S+ a1 y a一些 LDO 有一個 Bypass 附加腳，由它連接一個小的電容器，可以進一步降低噪音。
' N* n. A( x+ Z電容器的選擇關係到設計產品的質量和成本，電容器的電容值、電介質材料類型、物理尺寸、等效串聯電阻 (ESR) 等這些重要參數都是設計工程師所要考慮的。在 LDO 使用電路的設計中，陶瓷電容器是最好的選擇，因為陶瓷電容器無極性和具有低的ESR，典型值 <100mW，電容器的 ESR 對輸出紋波有重大影響，而 ESR 受電容器的類型、容量、電介質材料和外殼尺寸影響，如常用的貼片電容器 X7R 電介質是最好的，但使用成本略高，X5R 電介質較好，性能/價格比適宜，而 Y5V 電介質較差，但成本較低。* ^! g- ~& C8 n. Y1 Q; `
LDO 在 PCB 板上的工藝走線十分重要，當工藝走線不良和靠近RF線時降噪性能會受影響。濾波電容器匯入地節點選擇不良時，由負載返回地的電流中，噪音和紋波都會增加。在通常的布線設計中常常遇到此類情況。如將此布線線路優化，則可在由負載返回地的電流中，噪音和紋波都降至最小。理想的 PCB 板布線設計是接地點盡可能的粗短和走捷徑，走線一定要考慮各個器件間的干擾和輻射，器件的合理排列可有利於有效地減少各個器件間的相互干擾和輻射。4 p; ]* z2 b [- w
新一代的 LDO 都是用 CMOS 工藝生產的，它和使用Bipolar工藝生產的 LDO 功能上沒有多大的區別，可是靜態電流、壓降、噪音和成本等的內在性能有很大的提高。
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LDO的優點% f: i. r% @4 p- Z q$ N
美國研諾邏輯科技有限公司 (AATI) 利用 CMOS 技術生產性能優秀的 LDO，如適用於手機、手持通信產品的低噪音MicroPower LDO AAT3215/150mA、AAT3236/300mA，具有高性能快速功率開關功能的 AAT3218/150mA、AAT3238/300mA，具有 POK 功能的 AAT3216/150mA、AAT3237/300mA；適用於 PDA、eBook、DSC、手持電子產品的極低靜態電流 NanoPower LDO AAT3220/21/22/150mA，具有 POK 功能的 AAT3223/250mA。適用於 AC/DC 固定電源的 OmniPower LDO AAT3219/3200/3201/150mA。LDO 的封裝除了現有的 SOT23 的小封裝外，還有 AATI 獨創專利的寬體、J 腳 SC70JW 超小尺寸封裝，適用於表面貼裝，在 PCB 板上所占空間很小，SC70JW 封裝使晶片占空比達 42%，占用 PCB 面積僅 4.2 平方毫米，晶片抬起安裝可利用空氣受熱自然流動散熱和多 3 個腳接地可充分利用 PCB 板散熱。
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发表于 2013-3-4 16:10
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楼主
发表于 2013-3-6 09:54
