自举电路工作原理

yyzwj99

哪位高手帮忙解释一下这个电路的工作原理。
! Z& O% a2 m" j9 `. H0 Q
& L( W" @$ M$ a' \从图片上面得知Vout来是由FB电路所控制的，那么Rboot，C2，Q1，Q2这部分电路的工作原理是怎么样的。
尤其是自举电路，是不是电容选择不当，电路工作可能就有问题了。

liny123

zgq800712 发表于 2012-11-25 11:44
先固定 D1二极管输入是5V吧
Rboot,电容充电电阻，怎么充电的，比如Q2拉低不是充上电了？这个时候C2两端电压 ...

楼上，整体对念是对的，有几部份线路分析不同于我的理解，如下
1  依楼上供电设为5V ，那Q2 导通后， C2处于充电状态充满故两端电压为5V ，如果此时输出是9V， 以地为参考C2两端的电压是5V，不是楼上所说的14V，以输出端为参考那C2两端的电压是4V， 因输出电压9V是电感L1的感应电动势，左一 右+ 所以这个电压是不能直接和C2的电压相加，而是相减. 这都是在Q2导通时成立.
' x$ Z+ r% x* d) i8 \7 {9 F$ Y2  Q1的源极（S) 不会是9V，上面已经说过，电感L1的电压是左- 右+ ，这个电压不能拿到Q1源极来做参考，   如果Q2停止，芯片会上要打开Q1，此时Q1 G极电压会上升，这个上升的电压再加上C2两端的5V ,来达到Q1的导通条件.
) [6 m9 C* \4 q  r  k" m以上是我个人的理解，如果不对勿喷，大家共同讨伦，共同参与.....
9 `9 `1 T7 T' ^3 i' G
我觉得14楼分析得好.

kobeismygod

kevin890505 发表于 2013-5-30 20:14
1 T  \/ e/ @) Z0 K) m" v是的，没说清，我想表达的是DCDC电源等于Vin，充电是在下管导通时，此时高端MOS的S极电势约为0，那么自举 ...

5 x0 @  V& G5 |2 m# B恩，了解。

kevin890505

kobeismygod 发表于 2013-5-30 19:30
有一点不太明白，你说自居电容充电后的压降是SD两端的电压，不对吧？驱动高端NMOS比较困难主要是NMOS的S及 ...

是的，没说清，我想表达的是DCDC电源等于Vin，充电是在下管导通时，此时高端MOS的S极电势约为0，那么自举电容电压就是约为Vin。
在高端MOS导通前，低端MOS是导通的，但是当高端MOS导通后，8脚电势会从0V左右抬高到Vin，自举电容压差不变，那么BOOT脚电压
0 z, ], P' S5 N9 J" C/ H就会抬高Vin，那么内部就是你说的：叠加芯片本身的驱动电压Vdrv之后，也就是VIN+Vdrv，才能满足高端NMOS导通要求.

8 V4 W, h6 ]* d0 z- b3 c抬高8脚电势是扯淡，BOOT是抬高高端MOS的栅极驱动电压的，也就是2脚

kobeismygod

kevin890505 发表于 2012-8-2 16:10
看了大家说法，貌似都知道，但说的不清晰，我就我的理解来解释下，不对的还望大家多多指点：
1，首先大家必 ...

& h; y* o0 C# e2 N* z) T" ?有一点不太明白，你说自居电容充电后的压降是SD两端的电压，不对吧？驱动高端NMOS比较困难主要是NMOS的S及不是接地的，S级电位不是0，所以很难满足VGS>0的导通要求，而这个自居电容充电后的电压应该是S级的电压，最后芯片用这个电压去叠加芯片本身的驱动电压Vdrv之后，也就是VS+Vdrv，才能满足高端NMOS导通要求，是不是这样的？？另外，上面有兄弟说自举电容的目的是为了抬高8脚的电位，这更加是不能理解的，8脚也就是S极的电位抬高了，想使Vgs>0不是更难了吗？不是更加的难以驱动了吗？？？？

wuxuelin2006

同意27楼的，多看看datasheet！

yuhuikeji

强烈建议楼主应该多看看芯片手册。

zgq800712

! \: g1 |* }' d/ s# \
8 G, Q- r1 ?2 N8 t先固定 D1二极管输入是5V吧
Rboot,电容充电电阻，怎么充电的，比如Q2拉低不是充上电了？这个时候C2两端电压多少？ 就是5V。 PWM斩波多是动态的，有高就有低，现在充电充上了，输出端比如输出的是9V，9V和C2电压一叠加就是9V+5V=14V，这个是对地的，如果以输出端坐参考，C2两端就是5V。 再来看Q1 ,Q1源级是9V，     然后Q1栅极呢，Vgs肯定要大于开启电压，电压大点导通电阻也会小点，比如2V以上开启。栅极电压哪里来呢，就是上面这个C2电容，C2电容一端接在输出的9V上，他自己2端的电压是5V，那C2另外一端的对地电压就是14V，这个电压作用于Q1也就是高管的栅极， 栅极电压14V,源极电压9V，Vgs=14-9=5V管子可以开起来了。


! m  L& P. c+ Y, |' H7 F( U# R如果是电机驱动的IGBT的话这个电容就要10uF以上了，以为IGBT里面有三极管，电流大。

7 c8 B0 v8 K  Z- q

我给一个电容用5V充电，然后我吧这个电容和一个5V的电池连接起来，就有10V了。

qiangqssong

仔细看了各位的解释，这块的原理总算是整明白了，谢谢！！

timerc

4 U1 ?% h. z- y9 z
从这张图，我觉得BOOT跟PHASE有点像个比较，类似三极管调静态工作点的功能

小平

2#和14#都说的好。14#理论好强，看的书多。{:soso_e160:}

txdxs

学习了，呵呵

kevin890505

xd365 发表于 2012-9-6 18:48
8 N3 R* N! j% p" E! p0 T你可以查看这个芯片的资料，自举电容的电压只给了上管，没给下管。
自举电容的真正作用是：当上管导通后 ...

" ]' d- c! X, [. U$ X8 ?6 {( B/ L请看第八条 谢谢

xd365

kevin890505 发表于 2012-9-6 15:34
! V; ~. H$ j! k% f% E- m如果不是提供Vgs电压和栅极电流的话  那我还真不知道是什么原因了   求教

你可以查看这个芯片的资料，自举电容的电压只给了上管，没给下管。
& T" T. P! N2 V& j8 B; ~) D自举电容的真正作用是：当上管导通后，要保持Vgs是个高电平，让上管处于导通状态。

太仓一黍

kevin的解释是对的  自举电容就是帮助芯片打开UGATE的没其他作用   做个实验就知道了把它去掉看是什么效果 不 对 求 喷