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欢迎讨论：SIWAVE与HFSS微带线仿真对比！: y* z9 C$ C8 X% |7 D
! W; O9 t' @; r: K6 E$ W
仅仅作为仿真，结构并不一定非常合理
6 c; u0 g3 E5 C% O" d- ~, R# H J
微带线宽10mil5 \, T( A/ |1 m2 U* X$ ^ [
微带线厚2mil
, X2 L, s; v3 @" P8 M4 e' h微带长度5010mil; u! l" u% d4 }/ S, y6 T' N
中间介质厚10mil，介电常数4.4（按仿真工具里面默认的FR4选择）& m6 `% A4 T$ c
参考面厚2mil
6 E( m, k1 Z+ z# t. j# k; s6 z; @/ N8 d' {/ K
( q( I5 M$ R$ l$ p. t, Q5 a
TDR仿真设置：8 \; M. M! S- g- b8 Q3 E
rise time：100ps；della time：10ps
4 j/ f* ?% n8 |6 n& j w5 c _' u5 l( U5 u
在SIWAVE中画一根5010mil的走线；有一个完整的参考平面5 N; J- j3 h1 Y! r' E, m
然后得出的S参数与TDR仿真结果如下- C6 J, U2 E- |' z2 d
` z) m. Q: e# W
' z. H- V( F" g* h
--------------------------------5 [2 N4 o+ K2 E# v' u5 B
8 E( A% o6 F$ l# T在HFSS中，画一个参数化结构，PCB长宽100mil X 100mi，端口使用内嵌deembed功能（-4190mil）
+ U' X" N8 z* g, k/ O0 o" R. {' e使用终端驱动摸索，waveport端口处的的设置：
. n3 u5 G( j2 l( G: h: B) Y9 \* Ysheet宽是走线的5倍关系，长是微带线与介质厚度的11倍关系/ M/ |, r6 f7 m- l, V& |7 J
然后得出的S参数与TDR仿真结果如下. @. k! O* u& o3 \/ O$ G+ S
0 t4 p; y- X) h2 y1 E* q3 N6 V
& n& X$ B! z3 d/ s
( E+ Q' i6 @+ B) T4 O4 N, _( Y
, M+ f" m5 \0 c+ \% p
0 X8 \ v$ r0 @# }0 g* U2 @
! T: l0 a4 Q7 \! q问题：/ x% G9 u! @- h4 o# [5 B
（1）siwave仿真的结果跟使用polar的仿真结果基本接近；hfss怎差了好几欧；这样的结果是否是正确的
4 j& R+ o5 A2 M7 W7 c3d与2d的适应范围与精度是如何进行评估呢？) ^; l6 [! |" n
, i: T/ ]% J6 ~; _3 C8 \
（2）因为目前没使用仪器测试过TDR，希望有经验的朋友能提供一些仿真与实测的数据对比结果% a0 o% @/ [8 D0 [ J: D
9 B$ y, }0 R. n8 [8 o4 M
（3）从史密斯园可以看出那些情况？转的圈数是不是就是谐振点数？也就是这跟走线上经过的波的数量？如何能快速了解这跟走线到底走了多少波长？
* R3 m0 m$ { E: A+ D' s5 J0 B$ \! _3 o
（4）如果在hfss按照微带5010mil长度建模，好像仿真得出的结果差异非常大，不知道这个结果是不是跟模型走线过长，存在严重的辐射边界反射导致的？在正确使用waveport的时候应该注意那些问题？下图是这个的仿真结果，看着比较诡异
9 a; ^9 z/ o0 Z* n O) T4 l! g
n( {" c) m0 x. |' X) Q. z: G# }: ~/ `) V
. p; u& N* ?. [" f: g3 O9 t7 l
# O" I/ C' I2 I$ N. d$ m0 k3 Y; a
$ F2 R3 G+ f) n+ M0 F( b/ _- ~( Q, [
# X8 l$ u6 d0 e
% H6 m6 f! @2 M
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发表于 2012-4-16 22:12
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