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HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件？
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; D9 D, S+ D8 c$ n! q5 B" X4 z- J: o0 q' R
9 ?$ w- h3 A/ n因为之前尝试使用LUMPER PORT端口，辐射边界是包围电路的air腔体
I. W3 F) Y2 B0 @: y+ B' D5 D; _- b' R5 ^ p( v r. n5 \. Z1 L/ }
在使用WAVE PORT，腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小1 P) Z! K% _! a. v6 O) {8 l8 [9 {
$ b3 H$ e5 ^4 ]) D- r( Q U/ b
+ P& C7 L0 D2 B, \' Y' q l
8 Z+ j7 {/ `% V3 P9 Q3 j2 [- @, N- l; X/ S6 I+ S, H: ~
/ u `7 C4 Z [8 G请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界？这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗？这样的结果是否是准确的
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因为看hfss的一个full book里面的一个via模型，也是按WAVE PORT设置的，电路板的边界与空气腔体全接触，使用的也是辐射边界
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7 n* d0 l4 z a k' ]* O5 Y, T
+ n0 B2 Y/ C0 K另外，好像是有PML边界的时候不允许使用端口所在面0 F5 \- |, g6 y! n3 h4 ~
( o3 S9 }; C5 M S) ~0 W. d它跟辐射边界有什么区别么？
- t7 w$ Q2 H9 u2 y
0 j5 Q$ T/ E# K. q @* \: ~, z6 {+ C
: R- ^% D' M. X% }& O, }+ M5 M. Z# E3 _
希望有经验的朋友指点指点，一直比较困惑
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发表于 2012-4-11 08:39
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