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原理图说明:+ K f$ H: }" Z
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6 S8 x8 B& ~2 t; H' d+ D上图DDR_I电路中需要注意到信号线有CLK+/-,DQS0/1等.% p9 j" m. c3 x, h+ C# F/ _) f. M) n
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/ q& G* F3 T2 o' x+ [- r2 a; s4 x: q* oPCB图说明:; W' F. _& H* J" j( W3 j) p" k3 W
: A: t# {) M5 Z* u) L: x, G
1: 13位地址线与16位数据线的宽度走6MIL就可以,每根线的间距为9MIL.
2 x: O: p# C! o }) x' Y2:时钟走线宽度12MIL,两边包地处理,尽可能多打过孔.时钟线一定不要有过孔.
; S/ k |/ Q$ N& K1 D, V2 H3 QS0/1线的线宽12MIL,两边包地处理,尽可能多打过孔一定不要打过孔.3 t4 P) R& X1 \& u( `& J
4 DR芯片的高频电容要靠近相应的供电脚放置,连线宽度>=12MIL.其供电线宽度>=30MIL.单元供电LDO靠近DDR芯片放置./ E& }6 C6 G: n( G( D; h
5:REF电路需要靠近芯片的引脚放置,线宽>=12MIL.
0 F& p# S* U. y% E$ ~, U8 o, x6:整个DDR单元电路与外界需要用地线隔离.1 X( B/ [9 w/ K% U
% e1 G0 b+ ^ o3 e9 q+ g* f' R; |" w, G, _( J( {3 L
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