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关于DDR信号辐射问题

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发表于 2010-5-23 23:05 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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请教一下各位,我在做机器的EMI辐射实验时发现频点在DDR1时钟频率(133MHz)和它的倍频上老是超标,很难压下去。
4 v0 s* E, U8 G* k+ t: j" w# c我看我师父的DDR1供电和参考电压引脚周围都放的是几个100n的贴片电容,稍远一点就是220微法的铝电解电容(看其他的参考设计也是这样)。请问高手是不是DDR附近一定只能放100n的电容(上面的设计是否有问题),还有就是是否有降低辐射的好办法。我是新手,问题有点低级,麻烦各位了
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发表于 2015-1-20 10:00 | 只看该作者
我这里从SI/PI的角度分析下这个问题:
+ B2 ^( r: G' k4 C0 q( M1 P) T+ R133MHz刚好是时钟信号的频率,产生EMI的根源很可能是时钟信号,也可能是数据信号和地址信号
+ c- s' t$ [3 {$ ]" ]6 l因为数据信号的频率是266MHz,地址是133MHz;5 C8 X5 i- O( U$ E) v9 r; H
产生原因可能有:3 n7 B: Z' b- _8 u- D
+ m4 B; {& i  h: {7 G8 d0 i- y
1.CPU的驱动能力过强,负载较轻导致信号过冲过大,高频分量增加,导致EMI;如很多芯片有不同驱动强度,这个1 q9 s6 g( c# I; T4 `! b7 h
和负载大小,走线长度相关;+ S9 U: ]4 V* i! b( S. b
- a- }! l/ b8 E) ~9 d& Y3 K7 |
dq_full             Full-Strength IO Driver7 {5 s: A2 ^, V
dq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver
' o; |* ~" F/ }7 [2 N8 S+ g- X+ Y) M* q. d
2.整个链路的阻抗不匹配,如CPU的输出阻抗,PCB走线阻抗,DDR的输入阻抗,不一致,导致反射大,导致EMI;DDR的数据线上需要串接电阻进行端接;地址和时钟信号
, n7 U4 u6 C$ h1 g, i+ t如果存在多负载也需要端接;% v) N9 I* W+ l# n3 a! v* ?
# |' i8 x% s1 W: X$ E- |5 N
3.DDR的电源完整性,如去耦不足,电源噪声大,影响信号质量;1 s" i# F3 y8 n8 n- I* }  a+ o

+ N3 j8 _8 i  o: _+ C* Y1 W4.SSN,DDR的信号I/O同时翻转导致,信号之间的串扰也会导致EMI;( P4 K: s/ q$ g/ A+ r) m1 }' u# ^

( b: t7 M  p: X$ e  [& B+ Q, |解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

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发表于 2015-1-25 23:22 | 只看该作者
专业分析,受益匪浅

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发表于 2013-5-15 13:33 | 只看该作者
看的不是很明白

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发表于 2013-4-18 10:11 | 只看该作者
学习了

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发表于 2011-8-18 10:14 | 只看该作者
学习了!!!

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发表于 2011-8-17 10:25 | 只看该作者
学习了7 [" s+ w8 j: H: r7 k: n

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发表于 2011-1-19 19:56 | 只看该作者
对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的,还要考虑寄生参数的影响,在高速最怕的就是寄生电感,你的电源线如果不够粗的话,那么它的寄生电感将会很大,如果在某一时刻,你的总线全部处于驱动状态,那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流,这样,即使很小的寄生电感,也会带来很大的电压差,当然会有更大的辐射。

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发表于 2010-12-20 17:49 | 只看该作者
下载来看看,谢谢楼主   o  B5 q1 v; ]; u

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发表于 2010-12-19 15:13 | 只看该作者
高手好多啊   学习了

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发表于 2010-12-17 15:24 | 只看该作者
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发表于 2010-11-15 16:14 | 只看该作者
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发表于 2010-7-4 23:48 | 只看该作者
学习了!

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发表于 2010-5-27 15:33 | 只看该作者
回复 8# shqlcdd ; u. F- W6 X9 s, m8 J- C% i7 Y9 p: y

4 v2 a: ]! @% A# }3 a( ?5 `7 z. C0 i- t7 j& e- ^" m  W
"3. 想问一下,好多地方说加宽电源走线的宽度,但我感觉走线只要能够达到电流容量了,为什么还要加宽啊。"/ B+ G/ J8 K* J* s3 I2 N9 C
较宽的电源走线具有较低的等效电感,这样对于数字IC有较低的高频阻抗,提高电源完整性。; F& K6 j$ `( v! f
IC在低频情况下电流阻抗很小,但在高频下受到趋肤效应,以及高频本身特性就会导致阻抗过高。' H( A/ B# X% I- M

/ d$ t# G2 v2 I- Y6 n- e一旦IC内部电路有瞬态电流要求时,高阻抗不能很好满足其电源平稳特性,可能会带来功能甚至是性能的问题
" j. w  h  [! h) x7 ^) B. Q  a1 _5 `所以对于高速电路的电源线路,都要加宽些。

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 楼主| 发表于 2010-5-26 22:53 | 只看该作者
回复 7# honejing 2 d, p- ]4 {. r2 L9 y: E

+ C! Y2 ]7 `  Y  b/ O2 w$ a
" r' p5 ]. p3 D& P% l. H    谢谢你的建议。这个板子DDR下面电容有过孔到地,只是只打了3个过孔,
& i8 c9 h3 ^% R3 G可能少了点。用软件计算了一下,信号线的特性阻抗差不多到140ohm了,
. v# j2 i1 s- [) d3 o+ O" H我试试用100ohm的端接电阻试试。另外我试了一下减小时钟差分电阻好像
6 w( _& |+ b4 ]. m6 X' ^1 j6 ]也有效果的。
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