FLASH被异常改写的问题分享

stm32f103zet6

stm32l0内部EEPROM和FLASH程序访问方法一样
! f$ N" u  u! x7 }3 E它们的共同点：
1，统一排地址：但地址不一样
$ z6 I+ Q7 A+ l3 ~2，编程方法和的函数一样
1，先HAL_FLASH_Unlock();开锁写
2，Write_eeprom_int32(uint16_t addr,uint32_t data32)；写
5 K( l: B$ A2 `7 Z5 o$ F; }# K其实是调用HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, EEPROM_START_ADDR+addr, data32)；
4 I: J" u7 W8 b/ {5 i$ b$ ?3，HAL_FLASH_Lock();锁住写
3，擦出方法和函数一样
8 I9 V. Y2 P7 f- jHAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)
0 ]- c$ D. y. v( [: v4，读方法和函数一样
/ c- [  M- R- C; iRead_eeprom_int32(uint16_t addr)
不同点：
地址不一样：
  N& u% {0 }: R7 q4 _EEPROM：0x08080000开始的2K字节
9 d# ~3 _( d/ Q" M+ qFLASH： 0x08000000开始的空间（大小型号决定）， 其中你想用的FLASH空间。