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jacklee_47pn 发表于 2016-8-10 14:55: q1 }( O: j& |
Si2305SD 在 http://www.analoglab.com/library/mydevice.lib 裡面有一段源。5 g3 c0 `7 ?1 v- s d& g
) i Y4 O7 L5 ^" }7 L: R) o
*////////////////////// ...
/ W/ a7 N B: v/ `8 u版主,再请教一下,有没有模型里面的各个参数介绍啊?
* l/ O( w% R1 n) ?1 n6 r# a, M+ s6 D+ U9 b( n) Y
*p-MOSFET*50V 1100mA 0.8 Ohm*Add_in_Line$ ]) j$ S; D2 c7 W
.SUBCKT BSP315/INF 1 2 3; H, {- P1 O% X/ k, t V- D
LS 5 2 7N
5 v/ L" s2 h; Y. q3 |0 CLD 102 3 5N- k! L8 w) N' ` ?+ [
RG 4 95 5.5M
( P% w) h1 O% I( I Z5 K2 eRS 5 76 252M
/ p7 D. \9 u2 ~+ R n, l. H( MD315 102 76 DREV
2 M2 @! R ~. u) T: C.MODEL DREV D CJO=300P RS=20M TT=100N IS=300P BV=50" u/ {9 ^2 P' K! J0 V
M315 102 95 76 76 MBUZ
( A$ x( ]4 I1 H4 b! m6 c* ~.MODEL MBUZ PMOS VTO=-1.246 KP=0.37
9 W8 A- D* Q9 W2 ?M2 11 102 8 8 MSW
2 C4 `8 d9 E( M7 f# ]& [.MODEL MSW PMOS VTO=-0.001 KP=52 g( |, @) H! H& A" X
M3 102 11 8 8 MSW
$ t$ c+ w# L7 u( ~" yCOX 11 8 180P
1 [+ U0 u, r* n: K. C$ l+ c" _DGD 102 8 DCGD
* Q/ c2 t! B' G% q" h- O! O.MODEL DCGD D CJO=527P M=0.605 VJ=0.913
& G9 T- a+ q# U2 WCGS 76 95 215P
( _! {6 T: X5 [: w& `/ xVGC 11 95 -20
- j" J8 n8 Z2 z/ K N6 G4 ^" p* w* BESCHREIBT EINE IMPLANTIERTE LADUNG (VERSCHIEBT DIE EINSATZSPANNUNG)7 r3 E- H& S5 R4 X9 i: h
LG 4 1 7N% D" [* ~1 ? f! T$ @6 a/ g
.ENDS
* c3 Y* u+ ^4 d |
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