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请教jacklee_47pn版主仿真问题:MOS管不能关闭

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发表于 2016-8-9 15:03 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 chenlinfeng88 于 2016-8-9 15:14 编辑 ! B; @$ r/ ~* ]
: ~8 j, r9 W, z4 S
请教一下:
( ~+ g) u" a7 \% g              本人在仿真过程中发现(不仅仅是本次),PMOS管的D极和G极电压一样大,MOS管无法关断。+ w) F1 U; N& K: a2 v: A
如下原理图中,理论上如果Q9的G极被拉低,出现Vgs<Vth时,PMOS就会关断,但是为什么仿真的时候不能关断呢?* h% q3 @' K/ ~2 Q5 k
求教。4 |" f8 t: p0 G; P6 t

9 B: o- u9 p& H8 I/ }" k) _: F" w' f& i9 f$ m4 y

1.jpg (7.79 KB, 下载次数: 0)

G和S引脚接一起,MOS管自动开启

G和S引脚接一起,MOS管自动开启

2.jpg (8.34 KB, 下载次数: 0)

图1对应的仿真波形

图1对应的仿真波形

3.jpg (8.9 KB, 下载次数: 0)

G通过10K接地,任然不能关闭

G通过10K接地,任然不能关闭

4.jpg (8.46 KB, 下载次数: 0)

仿真波形

仿真波形

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  发表于 2016-8-12 16:15
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 楼主| 发表于 2016-8-15 14:55 | 只看该作者
jacklee_47pn 发表于 2016-8-10 14:55: q1 }( O: j& |
Si2305SD 在  http://www.analoglab.com/library/mydevice.lib 裡面有一段源。5 g3 c0 `7 ?1 v- s  d& g
) i  Y4 O7 L5 ^" }7 L: R) o
*////////////////////// ...

/ W/ a7 N  B: v/ `8 u版主,再请教一下,有没有模型里面的各个参数介绍啊?
* l/ O( w% R1 n) ?1 n6 r# a, M+ s6 D+ U9 b( n) Y
*p-MOSFET*50V 1100mA 0.8 Ohm*Add_in_Line$ ]) j$ S; D2 c7 W
.SUBCKT BSP315/INF 1 2 3; H, {- P1 O% X/ k, t  V- D
LS 5 2 7N
5 v/ L" s2 h; Y. q3 |0 CLD 102 3 5N- k! L8 w) N' `  ?+ [
RG 4 95 5.5M
( P% w) h1 O% I( I  Z5 K2 eRS 5 76 252M
/ p7 D. \9 u2 ~+ R  n, l. H( MD315 102 76 DREV
2 M2 @! R  ~. u) T: C.MODEL DREV D CJO=300P RS=20M TT=100N IS=300P BV=50" u/ {9 ^2 P' K! J0 V
M315 102 95 76 76 MBUZ
( A$ x( ]4 I1 H4 b! m6 c* ~.MODEL MBUZ PMOS  VTO=-1.246 KP=0.37
9 W8 A- D* Q9 W2 ?M2 11 102 8 8 MSW
2 C4 `8 d9 E( M7 f# ]& [.MODEL MSW PMOS VTO=-0.001 KP=52 g( |, @) H! H& A" X
M3 102 11 8 8 MSW
$ t$ c+ w# L7 u( ~" yCOX 11 8 180P
1 [+ U0 u, r* n: K. C$ l+ c" _DGD 102 8 DCGD
* Q/ c2 t! B' G% q" h- O! O.MODEL DCGD D CJO=527P M=0.605 VJ=0.913
& G9 T- a+ q# U2 WCGS 76 95 215P
( _! {6 T: X5 [: w& `/ xVGC 11 95 -20
- j" J8 n8 Z2 z/ K  N6 G4 ^" p* w* BESCHREIBT EINE IMPLANTIERTE LADUNG (VERSCHIEBT DIE EINSATZSPANNUNG)7 r3 E- H& S5 R4 X9 i: h
LG 4 1 7N% D" [* ~1 ?  f! T$ @6 a/ g
.ENDS
* c3 Y* u+ ^4 d

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有專門在教學各種參數的書籍,你可以去購買書本或是上網搜索參數介紹。  发表于 2016-8-23 20:44

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发表于 2016-8-23 21:55 | 只看该作者
jacklee_47pn 发表于 2016-8-23 20:40
6 b" |; w/ m; Y  c6 {! \/ A(1)PMOS 在電子學及規格書上都說 VGS 為負電壓導通(輸出負電壓),所以 VGS 為正電壓的時候就不導通(沒有 ...
/ K, G' J& y: P# W& y# P0 ^
版主,从波形看,1、当电源为10v直流电时,v(R1)无输出; 说明mos是关断;
6 x9 H: H" {. x3 f. s/ a9 M                             2、当电源为-10v(即反接),负载两端电压为-8v左右;2 I' r- W0 e; @1 Y6 m. \& P% ~
  问题:  1、电路如何起到防止反接作用呢?
2 S# _* L; ^0 }0 f2 q- }3 Q. R* x               2、 g级与s级是串联在一起,如何能导通导通关断?/ p) c& e9 m- C; M
请版主指点。
" z4 w  }* g9 A9 b3 ^3 m' ?' F

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发表于 2016-8-23 20:40 | 只看该作者
muyidou 发表于 2016-8-23 20:272 s/ k4 y* d  w/ t9 p
为什么 绿色波形高电平是10v, 红色波形的高电平确实0v?
2 k4 T+ a3 \5 i* J  V! v5 ]6 ?
(1)PMOS 在電子學及規格書上都說 VGS 為負電壓導通(輸出負電壓),所以 VGS 為正電壓的時候就不導通(沒有輸出,即是0V)。就是要看參考點GND是在那兒。5 J( a! U+ y4 k. f8 h  `1 _
(2)此電路是防反電路,所以仿真的時候我的輸入都是正負變化的電源。
5 b: f  Y8 k, k% C4 f" l(3)通常防反電路 PMOS 用在 GND 端(或是負壓端),就是負電壓導通。NMOS 用在正電壓端,正電壓導通。
; m4 [) s! P0 M4 w; H' I1 T

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版主,从波形看,1、当电源为10v直流电时,v(R1)无输出; 说明mos是关断; 2、当电源为-10v(即反接),负载两端电压为-8v左右; 问题: 1、电路如何起到防止反接作用呢?  详情 回复 发表于 2016-8-23 21:55

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发表于 2016-8-27 10:02 | 只看该作者
你把负载改小 应该就可以了

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发表于 2016-8-23 20:27 | 只看该作者
jacklee_47pn 发表于 2016-8-10 09:479 o8 K, ~; V) d1 S. f0 E8 H
換個 PSPICE 自帶元件來訪真。

) e  U$ j5 |2 \; @ 为什么 绿色波形高电平是10v, 红色波形的高电平确实0v?
9 @0 r- j& A2 a5 O

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PMOS 在電子學及規格書上都說 VGS 為負電壓導通(輸出負電壓),所以 VGS 為正電壓的時候就不導通(沒有輸出,即是0V)。就是要看參考點GND是在那兒。 此電路是防反電路,所以仿真的時候我的輸入都是正負變化的電源。  详情 回复 发表于 2016-8-23 20:40

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 楼主| 发表于 2016-8-15 14:18 | 只看该作者
jacklee_47pn 发表于 2016-8-10 14:55
& q+ F( A, E1 F1 b/ G( e( _Si2305SD 在  http://www.analoglab.com/library/mydevice.lib 裡面有一段源。
7 E2 ]# S' E! D1 u' W; p9 c. J
& ^) N' h1 D+ w* j$ `$ l*////////////////////// ...
# G" ^2 U. B- d* X; b
版主,多谢了
( u6 [: ?7 I. L3 o% E

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发表于 2016-8-10 14:55 | 只看该作者
Si2305SD 在  http://www.analoglab.com/library/mydevice.lib 裡面有一段源。
/ _8 Y5 K  |) G+ ?
5 j2 D$ k+ |( v: v; D& y" [6 w1 o*//////////////////////////////////////////////*8 T1 z. O" h+ v8 e/ j
.SUBCKT Si2305DS 4 1 2
2 W+ X" |7 n' B.
/ E) x- l! l& X9 q# K. `.! v0 m6 P/ m- W
.# v$ r( u1 [* N4 B8 q
.
8 M1 g' |' a/ G.
7 L) ^" y( }% ]  e4 j.* l. z  |- b7 ]. X2 I- W
.MODEL RTEMP RES (TC1=3.5E-3   TC2=5.5E-6)( a; c6 f8 }$ c0 p$ S
************************************************************************** x% H) L  z) z# m4 I. A
.ENDS

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版主,再请教一下,有没有模型里面的各个参数介绍啊? *p-MOSFET*50V 1100mA 0.8 Ohm*Add_in_Line .SUBCKT BSP315/INF 1 2 3 LS 5 2 7N LD 102 3 5N RG 4 95 5.5M RS 5 76 252M D315 102 76 DREV .MODEL D  详情 回复 发表于 2016-8-15 14:55
版主,多谢了  详情 回复 发表于 2016-8-15 14:18

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发表于 2016-8-10 14:39 | 只看该作者
SI2305 是網路上抓到的。附上我系統上的仿真庫。

Pwrmos.rar

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 楼主| 发表于 2016-8-10 14:30 | 只看该作者
HengliangYau 发表于 2016-8-10 13:48
2 N" c& x7 @7 k" D+ e" L0 A* F- ^9 K5 [我随便在库里找的pMos。
: G( k, p3 M2 t# z
好的,我再多找几个PMOS试试,非常感谢~+ V  [1 e& y; t- Y7 `

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发表于 2016-8-10 13:48 | 只看该作者
chenlinfeng88 发表于 2016-8-10 12:132 Q8 i/ p& Y* @& ~: R5 z
有可能,能不能把你的MOS管波模型发给我用下,814753869.非常感谢!

& ^3 v$ W" E0 l9 B& B我随便在库里找的pMos。
& K4 j% s5 m5 e" p

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好的,我再多找几个PMOS试试,非常感谢~  详情 回复 发表于 2016-8-10 14:30

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 楼主| 发表于 2016-8-10 12:13 | 只看该作者
HengliangYau 发表于 2016-8-10 09:40
! C1 p2 C  g) s; o是不是仿真模型的问题?
2 F9 \* S9 n3 ~/ B
有可能,能不能把你的MOS管波模型发给我用下,814753869.非常感谢!
9 E! a% ]1 P# U# n  t8 s+ P' {1 Z8 P

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我随便在库里找的pMos。  详情 回复 发表于 2016-8-10 13:48

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 楼主| 发表于 2016-8-10 10:53 | 只看该作者
jacklee_47pn 发表于 2016-8-10 09:47
" e; R: H2 j8 `( ]4 i" m' F4 j/ t換個 PSPICE 自帶元件來訪真。

/ z' b+ @2 j- e4 |2 x3 c" n2 P, d: Q版主,可以把你的pspice仿真模型发给我用一下吗?我用的系统库里面的发现不行。。。
9 G- v3 H$ Z: B0 w' M3 U

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发表于 2016-8-10 09:47 | 只看该作者
換個 PSPICE 自帶元件來訪真。

new pmos 1.PNG (12.04 KB, 下载次数: 0)

new pmos 1.PNG

new pmos 2.PNG (29.51 KB, 下载次数: 0)

new pmos 2.PNG

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为什么 绿色波形高电平是10v, 红色波形的高电平确实0v?  详情 回复 发表于 2016-8-23 20:27
版主,可以把你的pspice仿真模型发给我用一下吗?我用的系统库里面的发现不行。。。  详情 回复 发表于 2016-8-10 10:53

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发表于 2016-8-10 09:40 | 只看该作者
是不是仿真模型的问题?8 I- T* t6 R% B  O' x! l
- g- @' u* c0 O

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原理

原理

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有可能,能不能把你的MOS管波模型发给我用下,814753869.非常感谢!  详情 回复 发表于 2016-8-10 12:13
支持!: 5
這個仿真看起來就對了。 應該是仿真模型的問題。  发表于 2016-8-10 09:44
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