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用PowerSI仿真时,大型芯片的片上电容怎么使用的?

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发表于 2016-4-20 10:01 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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现在大型FPGA都集成了大量的片上电容器,原理图设计时只需使用少量的外围电容就可以了,但在电路板仿真时就遇到了问题,外围电容很容易加入模型进行仿真,但片上电容怎么加入模型呢,如果少了这部分片上电容,电路板仿真就不真实了吧。
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发表于 2016-7-22 09:08 | 只看该作者
同问

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 楼主| 发表于 2016-4-20 15:33 | 只看该作者
谢谢!

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发表于 2016-4-20 10:41 | 只看该作者
仿真PDN分端口的,你分析的端口位置在BGA pin上那就是pin上的结果,是真实的.
% k! T+ m6 G2 O7 q' ?如果是die 上,那就要考虑片上电容。片上电容大多为100pF以下容值,用于解决高频带的纹波问题,对pin上的低频带影响可忽略。
0 O$ z7 Y4 a9 e" a1 J$ U6 h. q# m
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