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疑惑:USB阻抗匹配问题

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发表于 2015-7-3 10:57 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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1、USB协议要求数据线的差分阻抗要满足90Ω,想问下这是指工作时候的交流阻抗还是直流阻抗?
# a: j$ y. j# u$ d+ B2 Y9 H2、目前项目中为了抗干扰,在USB数据线上各串了一个磁珠,磁珠在12MHz时候的交流阻抗大概为30Ω,如果交流阻抗要求90Ω,那么我的差分走线阻抗只要满足60Ω即可?+ s: g- ]& L! T7 p! r" C
3、看到其他产品在USB源端数据线上各串联了47Ω的电阻,这是为了阻抗匹配吧?那么USB工作时是交流信号,而电阻的交流阻抗是0,那么有作用吗?2 H9 Y) W3 U4 b5 e/ l. U. v2 L7 }  S
还请各位大侠帮忙解答上面的疑惑,谢谢!8 I) O- k% D+ Z0 Z# n1 ^
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发表于 2015-7-10 20:21 | 只看该作者
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发表于 2015-7-4 07:38 | 只看该作者
学习了

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发表于 2015-7-3 16:38 | 只看该作者
坐等 各路大师 继续跟进啊,贴文章 文档,
3 Y- `7 x5 H( ]; K5 z1 ]9 f6 F都行

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发表于 2015-7-3 16:38 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-7-3 13:455 K! K% J/ p4 s3 |) ]9 a/ l# a
跟ODT有关系。4 K- y: ^) E( e* g. u
其他的你问问大师吧,
' f& \6 Z! v/ t
谢谢!!!哈哈,最近几个月 看了很多书,但是,! d  X3 F9 [( d- g
有些东西知道好像是那么一回事,但是又不是很确信
/ Z1 ?& l' {9 j3 a所以需要大师 给出确切的答复
& d* p  M) g, o8 {9 p. O9 p- e3 j1 J

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发表于 2015-7-3 13:45 | 只看该作者
Log07071222 发表于 2015-7-3 11:23  d' y/ n- x7 X2 M9 |
然后再请教一下,就是DDR2/DDR3设计的文档都提到需要做阻抗匹配,
! m' h# n2 A! \* O常见的就是源端50R串联匹配,消除二次 ...

2 {! a: R* T1 n. P6 @' M' D( \- K跟ODT有关系。& \2 s3 Y5 D: U& M/ {5 t1 F4 {/ t
其他的你问问大师吧,
! e0 V. ^6 d7 Y- Q" a

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发表于 2015-7-3 13:38 | 只看该作者
Log07071222 发表于 2015-7-3 11:16
1 u7 J1 A, j' E( c3 I2 s0 m我也想顺便请教下版主,这90欧的阻抗匹配;是只需要PCB设计的时候走线的阻抗匹配(通过SI9000计算所得,然 ...

9 j+ E3 K  [, E+ q" q: @保证走线90欧阻抗匹配。
$ E- r. M# w: A' ?0 F0R只是起到部分的作用,比如不可避免的要打过孔,以及走线的阻抗不连续。. b& O- I, x2 `0 }4 }2 O, B/ Y2 _

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发表于 2015-7-3 13:36 | 只看该作者
xingnuolgsx 发表于 2015-7-3 11:15
3 l7 I: L% ?6 v& c4 Z目前项目发现USB数据线上加上磁珠后,抗干扰性的确变好了,但USB的兼容性又变差了,会出现个别USB读 ...

  O- P. R# R' _, ^/ S没什么好的建议,你可以不用磁珠改用共模电感试试,使用磁珠的见的少。

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发表于 2015-7-3 12:39 | 只看该作者
Log07071222 发表于 2015-7-3 11:236 w# k/ z7 B% g3 P1 E
然后再请教一下,就是DDR2/DDR3设计的文档都提到需要做阻抗匹配,2 L0 g; `7 _* c/ |  _
常见的就是源端50R串联匹配,消除二次 ...
  a6 I+ V/ J& y0 a
是与ODT有关系。

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发表于 2015-7-3 12:35 | 只看该作者
建议楼主赶紧找本信号完整性的书集看看,好多问题

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发表于 2015-7-3 11:26 | 只看该作者
还有 就是告诉设计时的过孔 设计原则,如果选择合适的过孔,还有如何换层!!) A# [/ n# l1 t
上面 写错了事是 特征阻抗 不是电阻!!!还有铺铜时的网格密度选择!

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发表于 2015-7-3 11:23 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-7-3 11:03
+ g% d! J0 O7 Z; [1 那个是特征阻抗,不是交流和直流阻抗
- v4 j8 Y# }+ R  y" a( j. w+ U2 差分线依然需要满足90欧
. p3 O  o$ K+ S8 k# V2 g: b9 g3 串接47R的,是USB1.0和US1.1,因为这 ...

4 T0 g7 ^, [" m9 }2 c4 V) ~然后再请教一下,就是DDR2/DDR3设计的文档都提到需要做阻抗匹配,
: K3 t$ T% o" W! z& G0 H& u& \% {常见的就是源端50R串联匹配,消除二次反射;一种就是负载端
5 L4 S; |% i4 z5 d, i戴维南并联匹配,消除一次反射;但是看了许多的实际电路设计时,( r! o0 x' Y+ W7 z3 q
很多使用的都是直连的;然后和通过控制走线的特征电阻9 t9 \3 u9 \/ J; `# q9 {; q- ^
单端使用50R,差分使用90R;这是为什么呢!!是否跟ODT设置有关,$ M( A* V& k. p
然后时钟线和 地址线、数据线走线的长度 ,相互之间有什么关系,
& D8 R8 l, ~1 U: t' Z+ w比如,时钟线略长与数据线。 还有一个蛇形走线的时候,
% Z: I+ N! M/ i1 \" p: x& e有没有一定的规则,比如绕几圈,多大的弧度,怎么绕;
9 [% `7 L. V1 s& L# P0 \. n& k问题有点多,还请不不吝赐教啊!!! 也希望其他各位大神 指点迷津!* O+ ], _0 n0 x3 o2 O  I: Z6 O

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发表于 2015-7-3 11:16 | 只看该作者
我也想顺便请教下版主,这90欧的阻抗匹配;是只需要PCB设计的时候走线的阻抗匹配(通过SI9000计算所得,然后交于板场处理);然后不需要端接电阻(100R)或者值端接你所说的0R电阻吸收阻抗不连续的反射。还是说既要保证差分走线的特征电阻,还必要端接100R(90R)的电阻!!

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 楼主| 发表于 2015-7-3 11:15 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-7-3 11:03- H- @5 @3 n" ~- l$ O+ ~: m! b
1 那个是特征阻抗,不是交流和直流阻抗
. L3 E) T1 k4 i% P. u2 差分线依然需要满足90欧/ }( l* l* P& m- u/ t
3 串接47R的,是USB1.0和US1.1,因为这 ...

1 f$ W/ U' i2 s6 q     目前项目发现USB数据线上加上磁珠后,抗干扰性的确变好了,但USB的兼容性又变差了,会出现个别USB读取有问题。现在怀疑是磁珠在12MHz工作时候的存在交流阻抗导致的。关于这个问题版主有什么好的建议吗?应该从什么方面着手改善呢?
% }4 @7 X; I* u* o* O# c+ @- v

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发表于 2015-7-3 11:03 | 只看该作者
1 那个是特征阻抗,不是交流和直流阻抗
$ W! b  n$ Y8 C9 i$ ]! W9 i2 差分线依然需要满足90欧/ W8 `; P4 w2 q% _! A
3 串接47R的,是USB1.0和US1.1,因为这些都是电压模式的。USB2.0以上的都是电流模式,串接的电阻必须很小,基本上都是用0R(用来吸收阻抗不连续的反射)
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