sigrity DDR仿真的 rise time

嗜血大能猫

DDR 仿真中 analysis options 中 rise time 需要自己设吗？设了这个好像没有用

菩提老树

嗜血大能猫 发表于 2015-6-14 10:08
回版主，损耗小是整体损耗小，所以觉得是自己没设置好。在提取S参数之前只设置了叠层，电源和port（负极选 ...

楼主，你这样讲，设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样，我可以问我是不死你的长度不一样呢？按理说同一块板子，如果长度一样，其损耗不应该有via的会比没有via的整体偏小。是不是会有很多谐振点呢？能否把spd文件发出来看看。值得怀疑这个结果。

嗜血大能猫

菩提老树 发表于 2015-6-14 10:55
楼主，你这样讲，设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样，我可以问我是不死你的长度不一样呢？ ...

* Y. f$ t4 y3 c1 o+ I好的。请版主帮忙看下DQ7的损耗明显比dq12和DQ14小。按理说DQ7应该跟DQ4的损耗差不多的。他们都是2个过孔，等长也相差不大。
: U8 S- T. ~/ |" \

菩提老树

ann_wz 发表于 2015-6-13 11:16
敢问菩提老祖，过孔在powersi里面怎么设置模型，我如果提取pcb的s参数，是否需要设置，怎么样设置呢，，
. A5 A" N$ R: }3 ^ ...

6 R: W) y. \9 L. J+ Evia主要是由PCB转化的时候得到的参数，在PowerSI中主要是设置您的plating。具体设置在上面的帖子中已经有，可以参考。

kewen_huang

学习中，努力中......

Able

嗜血大能猫 发表于 2015-6-14 15:50
好的。请版主帮忙看下DQ7的损耗明显比dq12和DQ14小。按理说DQ7应该跟DQ4的损耗差不多的。他们都是2个过孔 ...

3 S) X  x. k# Q& M7 ~; nd4,d7 d12 d14
5 D4 O, H/ b8 O1 `' s4 @

ann_wz

不错，，菩提老祖，牛逼啊

嗜血大能猫

顶起来

嗜血大能猫

菩提老树 发表于 2015-6-14 10:55
5 Y, @- M5 }: m. b) j+ d- P楼主，你这样讲，设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样，我可以问我是不死你的长度不一样呢？ ...

2 P1 P4 z2 P, {/ t7 ^) @; K& e版主大大，https://www.eda365.com/thread-109884-1-1.html这个问题也帮忙回个呗。

菩提老树

嗜血大能猫 发表于 2015-6-14 10:22
仿真波形的rise time 多少是由IBIS模型决定的吧？仿出的波形上升沿比较抖，请问软件中可以调节吗？

7 U4 j4 W! H6 F' P不仅由IBIS决定，还取决于你的仿真速率和trace长短，via数量等等。

嗜血大能猫

仿真波形的rise time 多少是由IBIS模型决定的吧？仿出的波形上升沿比较抖，请问软件中可以调节吗？

嗜血大能猫

回版主，损耗小是整体损耗小，所以觉得是自己没设置好。在提取S参数之前只设置了叠层，电源和port（负极选了离正极最近的GNDpin如图），至于过孔模型如图只设置了outer coating material 种类 。

ann_wz

菩提老树 发表于 2015-6-12 15:38
8 _# Q+ E5 @( k" ]/ D这个需要自己设置，自己算出DDR的Rise time

ddr的rise time 也是 10-90时钟周期 T 吗，，还是会更小一点，应该怎么样算呢，，，菩提老祖，，

ann_wz

菩提老树 发表于 2015-6-12 21:47
via model 也是要设置的。至于损耗小，是整段小，还是800MHz的频点小呢？

, ^6 p: B! V: a! n& w敢问菩提老祖，过孔在powersi里面怎么设置模型，我如果提取pcb的s参数，是否需要设置，怎么样设置呢，，
7 V1 }& ]& G5 C+ B

菩提老树

嗜血大能猫 发表于 2015-6-12 16:26
" t  ?* n$ n* B2 V0 ?好的。谢谢版主。我把rise time 设成300ps后再仿真为什么波形rise time没有改变？还有我同样抽取了2根数据 ...

  V2 L/ P/ S: Q8 f. N9 vvia model 也是要设置的。至于损耗小，是整段小，还是800MHz的频点小呢？