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电流监测电路工作原理 求指教

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发表于 2015-3-25 15:04 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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这个电流监测电路的工作原理是如何实现的,求大侠指教,在线坐等回复
, \  [. O6 y3 U

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发表于 2015-3-26 17:03 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-26 16:45
- g. s. }. s* D/ P* WPMOS我的那个电路不能导通mos吧,反过来想,运放输出端要高于电源电压,不能做到。我的这个是跟楼主芯片 ...

! Y' l% d  M* e4 p8 w5 a+ x3 A0 e恩,没错。所以该PMOS,运放正负端交换即可" B- i0 u! d; D+ G
If by life,you were deceived.
Don't be dismal ,don't be wild!
In the day of grief,be mild!
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发表于 2015-3-26 16:45 | 只看该作者
zlpkcnm 发表于 2015-3-26 13:460 l( b0 G5 q* v8 o  N0 E$ n; l- O
我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~

5 _2 O# R) V) M$ r. _PMOS我的那个电路不能导通mos吧,反过来想,运放输出端要高于电源电压,不能做到。我的这个是跟楼主芯片正相、反相接法相反的,当然楼主的芯片确实应该用PMOS$ Q3 f4 w/ I% M& a

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恩,没错。所以该PMOS,运放正负端交换即可  详情 回复 发表于 2015-3-26 17:03

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发表于 2015-3-26 13:46 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-26 12:43
. Q/ ^8 n4 K! L4 \4 G/ w/ U原理很简单的,简单画了个图。原理如下:MOS管U2引入负反馈,满足虚短条件,即运放正反相输入端的电压值相 ...
. Z4 i/ `9 y7 f- l4 z2 b
我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~
" W4 h& g5 t) ?. C6 Q4 h/ e7 h0 F; ]* {& J: z- x0 S

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PMOS我的那个电路不能导通mos吧,反过来想,运放输出端要高于电源电压,不能做到。我的这个是跟楼主芯片正相、反相接法相反的,当然楼主的芯片确实应该用PMOS  详情 回复 发表于 2015-3-26 16:45
If by life,you were deceived.
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发表于 2015-3-26 12:43 | 只看该作者
原理很简单的,简单画了个图。原理如下:MOS管U2引入负反馈,满足虚短条件,即运放正反相输入端的电压值相等。那么R1*Icheck=R2*I2(Icheck为检测电流,I2为流过R2电流)。又mos栅极及运放输入端阻抗极大,故流过R2的电流与R3的电流一致所以mos管源级电压为Vout=R1*Icheck*R3/ R2。   按规格描述电路基本正确,具体参数在算算,呵呵。后面那级二阶低通滤波?滤啥子啊?7 a; c, X; w* J5 ?, v0 u3 r

currentcheck.JPG (38.32 KB, 下载次数: 0)

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我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~  详情 回复 发表于 2015-3-26 13:46

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发表于 2015-3-26 10:29 | 只看该作者
fly_pigeon 发表于 2015-3-26 08:441 t+ m0 b9 h* g4 a) a, O5 k1 s! [
图纸应该没有问题,这个是人家已经设计好的,成品模块我都测试了,我们要检测的电流是1uA-150mA,所以这 ...
9 x; [. k! f  P$ V
没有问题?3 h: l; ?4 L5 X- D1 Z
先看电流,1uA-150mA对应4.7R的压降就在4.7uV-0.705V的压降,你在大电流的压降那么大,能正确反映被测IC的电流?0 S4 a+ J( Z, A- F* }* I+ s+ S  N
再看高位电流检测,我看了规格书,我之前说的IN+/IN-的接法是错的,你这个IC确实要反过来接。而且这个输入失调电压就是10uV,你还能测试4.7uV?9 b* _! v" w' {* t0 z% E3 c6 G

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发表于 2015-3-26 09:12 | 只看该作者
fly_pigeon 发表于 2015-3-26 08:45
8 m$ Q) Y: v0 ~$ J我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻,IN+端口没有电阻,有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思?

- m6 y8 S5 ]+ H8 `2 wIN+端口原理图上面的电阻可有可无,那是因为芯片内部是比较器(比较器特点:虚短虚断)。IN+端口加电阻可能是吸收毛刺作用吧(这个我猜的)IOUT = VSENSE/RIN这个公式就可以算出电流了。这个电流的计算也是利用虚短虚断特点计算的。
" c( L4 {5 F0 \+ L. |兄弟
) Z* H9 H1 r" c- e& @- r芯片内部的逻辑结构图也是比较重要的一部分,需要仔细研究下3 j, W5 Q& h$ [- v* V- a' ^

& [; J$ V& h! Q. w8 Q
6 D. S% J5 b/ n# _
写了这么多希望对你有帮助
& Y& j' S. t' c# M3 m4 D
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 楼主| 发表于 2015-3-26 08:45 | 只看该作者
zlpkcnm 发表于 2015-3-25 15:287 j- U: e5 U5 Q7 _( T( Z2 A
图2,通过R701两端压差可以计算电流4.7*I=△V
; M0 ~' c* G# T( a  k# v. ?再仔细对照下图1中那个芯片资料,应该就有你要的答案了。

" ]: Z9 H' j6 Z我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻,IN+端口没有电阻,有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思?; ?% P8 e: p) }

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IN+端口原理图上面的电阻可有可无,那是因为芯片内部是比较器(比较器特点:虚短虚断)。IN+端口加电阻可能是吸收毛刺作用吧(这个我猜的)IOUT = VSENSE/RIN这个公式就可以算出电流了。这个电流的计算也是利用虚短  详情 回复 发表于 2015-3-26 09:12

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 楼主| 发表于 2015-3-26 08:44 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-3-25 15:38, ?$ u# P/ [3 \- y
典型的高位电流检测,而且你的图纸有问题,IN+是接R,IN-接S,R701也过大,一般都是0.4R以下,看电流。

/ D' O2 D, y+ g图纸应该没有问题,这个是人家已经设计好的,成品模块我都测试了,我们要检测的电流是1uA-150mA,所以这个电阻也不算大
) [, `/ ?( F6 h- c

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没有问题? 先看电流,1uA-150mA对应4.7R的压降就在4.7uV-0.705V的压降,你在大电流的压降那么大,能正确反映被测IC的电流? 再看高位电流检测,我看了规格书,我之前说的IN+/IN-的接法是错的,你这个IC确实要反过  详情 回复 发表于 2015-3-26 10:29

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发表于 2015-3-25 15:38 | 只看该作者
典型的高位电流检测,而且你的图纸有问题,IN+是接R,IN-接S,R701也过大,一般都是0.4R以下,看电流。

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图纸应该没有问题,这个是人家已经设计好的,成品模块我都测试了,我们要检测的电流是1uA-150mA,所以这个电阻也不算大  详情 回复 发表于 2015-3-26 08:44

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发表于 2015-3-25 15:28 | 只看该作者
图2,通过R701两端压差可以计算电流4.7*I=△V
" B0 `6 z3 {, P1 u, ^1 ~6 j2 a: @再仔细对照下图1中那个芯片资料,应该就有你要的答案了。

点评

我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻,IN+端口没有电阻,有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思?  详情 回复 发表于 2015-3-26 08:45
If by life,you were deceived.
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