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[仿真讨论] 系统级时序仿真

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发表于 2014-1-9 20:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-9 20:39 编辑 " L# G2 V, l" W' n6 A1 v& n% {

9 e2 a' E4 z& ^9 L; f0 O: K说仿真,其实也不真实算。对于时序的仿真暂时来看没有哪个工具做得很好,往往一些参数就把我们搞晕,更不用说时序参数的代入了,这次有机会对系统级的各方面影响大概了解了下。与大家一块学习讨论。( X. E- v! l3 _# t3 m  \

7 _; R/ [/ o8 b: x- r6 ?# ?1.芯片级的影响因素:7 i" D1 {1 f( I- Y
tco:主要是时钟没有,而其他信号又不一定一致。这个值与芯片逻辑门电路结构有关,STA仿真后可得出具体值。
6 c% H% k6 {1 _4 Utacc:又称为delay element,dll的step长度;对信号最长最短时延有影响。, g9 r9 J+ m2 O) {: j8 {1 M
clk(skew):时钟树结构有影响,一般芯片端会做等长。
3 x% V7 K6 Z, y9 N0 k1 l  }5 y/ v% a( U2 v2 O6 Y; z  w
2.I/O的影响因素:
/ W1 |" p4 {& E" D; idelay:I/O delay,就是各位大大们之前讲的buffer delay,大家先对应下。不同的buffer由于内部结构不一致也会不太一样,也会由于外部条件不一致会不太一样,这个变量芯片手册称为tcom,芯片端一般叫OCV。
( |% W: u" ]% A' }
! }3 N  f7 w4 j$ H1 Q+ H. H" a6 T3.package影响因素:- z6 N+ Z# p1 H) I) Y1 P. `
RLCG,当然用S参数来表征会更精确,因为crosstalk对skew的影响。2 _) Q2 K0 V- {2 v

9 P+ D7 m7 {$ g) ?9 P  z* }4.PCB板走线:2 R- x; }$ E2 _( ]+ A
大家最熟悉的,一般会按照spec要求进行等长处理。
9 e1 P8 Z- y; K5 `7 e0 [1 d4 o# |2 [& O+ r
5.软件调节:( Z6 y+ u& U5 G6 U- S6 i
dq-dqs:tdelay延时,以满足建立时间裕量;% i& S' C+ ]. y
dq readQS偏移1/4tCK;...
. ^7 C& j! Q. L& _' c2 G; w( \. a/ y9 P( b/ s4 \
希望可以让大家对影响时序的各阶段有个了解,能对PCB设计等长策略有更好的理解,可以做到大致估算各时序裕量情况。
" W) _/ B3 q6 a0 p" t& Z, U' Y+ v4 a
$ u7 y% J0 R# ]& z+ r此次讨论希望大家热烈参加,仅讨论静态时序,不讨论操作时序。今天就写到这。
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 楼主| 发表于 2014-1-10 14:30 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-10 14:40 编辑 * B5 T- v" _1 P* D6 f' f9 J

, R7 H) G0 f! N# d, G在芯片级提出如下问题,可以让我们对时序调整的原理进行理解,并知道实际上我们板级考虑不了的内容:  Z7 ]& m; ?9 r
DQ与DQS写操作比较时:setup时dqs一般偏移半个时钟周期,(由于加上setup,计算时为一个时钟周期)而holdup时由于减去tds因此为半个时钟周期;' j6 T) E$ r/ R6 v+ C% h/ G5 n0 W
! U9 @) p" ~; e$ L5 `1 V
DQ与DQS读操作比较时:没有时钟偏移,因此DQS偏移90度,作时序对齐。(初始为0.25时钟周期偏移)
3 ^+ x( Q! n7 J0 I4 \( c
7 t8 d6 \' A2 aDQS与CLK信号写数据时:比较时对tDQSS参数值进行多偏移一个时钟周期,裕量的确会变大,但实际多出的时钟周期的裕量是否会存在,但用0.25tCK进行表格公式时,时序关系不满足要求;tDSS,tDSH参数比较时,有一个DQS_HIGH时序关系(大约半周期),其原因是什么?  F1 t* V6 p( ^# _( c

6 ^. A2 K5 X6 V. l* NDV值与delay element为何有5倍的关系,为何有2*tphase+4 * tPhaseClk_err的关系?数字dll或模拟dll的delay line值是否变化?
! ^, \( v5 A5 I1 `( @0 c" T' {% v( }0 ?3 o" J5 z6 H
芯片级pulse width的各信号如何获取?
# t2 j) `/ S% W$ a* M6 @9 O5 l  b, S& X
ECHO gating, h) u% w( N9 V& w, {( B

$ }  r( W. \) ]
( B$ l% T& x9 _0 Q5 F: j2 w, D' I" i
这张图片最左边为控制器->PHY(IP)->I/O(仿真时的buffer特性)->package&board(图中没有画出)->负载DDR颗粒。
6 s, y$ w5 j! [1 y
+ J5 _* P+ E  i, z从图中大家可以清楚看出影响时序的各个环节,下面先芯片端的影响因素和大家道来。

databahn_ddrphy.gif (54.46 KB, 下载次数: 0)

databahn_ddrphy.gif

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发表于 2014-1-11 08:46 | 只看该作者
好贴,啊,继续啊楼主,学习啊

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 楼主| 发表于 2014-1-13 22:22 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑 $ K0 x. \9 U4 c' j4 S
3 o( r  E; l* I7 l
从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。( L6 z5 J  A& J2 {) z4 `; F4 \
图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。
+ M, x7 U) {9 h* W此处:
; l: i6 ]  \0 G5 Y* }/ n1 ETCO:由寄存器本身参数特性决定;" l/ ~% h+ g( }% _8 `% S
TCOM:主要由芯片layout时走线决定;3 `' n- c, w1 @' C. ^
TSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。6 D/ R& K. [/ I2 ]# ?* s
而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。4 {5 k( m2 n9 ^. p/ F, p$ {2 f( b
对于地址网络,需要满足:# ?9 g/ W; _7 k  F& m/ ~% U; I
max delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;1 ], {9 f8 E) T1 A$ t% }
' K/ k! Q  x! S( @) |0 ?5 W) ?
对于数据网络,需要满足:0 L" s5 i2 J2 H+ d* o# {. \) [
max delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。  K6 i3 v  L0 f6 Q% K! A8 L9 @6 P$ M

' r0 i: [/ r; l6 u& L9 x3 P) e7 d上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。1 F$ b3 u: \- X* q0 K. j& Y0 Z
6 g3 n, {+ G) J$ p
而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。

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