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本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑 $ K0 x. \9 U4 c' j4 S
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从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。( L6 z5 J A& J2 {) z4 `; F4 \
图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。
+ M, x7 U) {9 h* W此处:
; l: i6 ] \0 G5 Y* }/ n1 ETCO:由寄存器本身参数特性决定;" l/ ~% h+ g( }% _8 `% S
TCOM:主要由芯片layout时走线决定;3 `' n- c, w1 @' C. ^
TSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。6 D/ R& K. [/ I2 ]# ?* s
而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。4 {5 k( m2 n9 ^. p/ F, p$ {2 f( b
对于地址网络,需要满足:# ?9 g/ W; _7 k F& m/ ~% U; I
max delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;1 ], {9 f8 E) T1 A$ t% }
' K/ k! Q x! S( @) |0 ?5 W) ?
对于数据网络,需要满足:0 L" s5 i2 J2 H+ d* o# {. \) [
max delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。 K6 i3 v L0 f6 Q% K! A8 L9 @6 P$ M
' r0 i: [/ r; l6 u& L9 x3 P) e7 d上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。1 F$ b3 u: \- X* q0 K. j& Y0 Z
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而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。 |
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