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[仿真讨论] 系统级时序仿真

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发表于 2014-1-9 20:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-9 20:39 编辑
% J( ?! u! {0 G
7 q% p2 d5 I. s3 b5 G& }2 q说仿真,其实也不真实算。对于时序的仿真暂时来看没有哪个工具做得很好,往往一些参数就把我们搞晕,更不用说时序参数的代入了,这次有机会对系统级的各方面影响大概了解了下。与大家一块学习讨论。
) p; |5 z2 ?# p: s& |0 ?& R! R! {: Z
1.芯片级的影响因素:
. i* }9 M) [9 b  g# h8 btco:主要是时钟没有,而其他信号又不一定一致。这个值与芯片逻辑门电路结构有关,STA仿真后可得出具体值。# @% J& S3 p  g; l3 R
tacc:又称为delay element,dll的step长度;对信号最长最短时延有影响。
, l; J# C9 [( y) r# Qclk(skew):时钟树结构有影响,一般芯片端会做等长。+ p! r, A) p$ Q. o
$ B5 S- D* f7 |* V! E
2.I/O的影响因素:
8 s7 d) T* I4 Ddelay:I/O delay,就是各位大大们之前讲的buffer delay,大家先对应下。不同的buffer由于内部结构不一致也会不太一样,也会由于外部条件不一致会不太一样,这个变量芯片手册称为tcom,芯片端一般叫OCV。0 q( L9 r$ g; w2 v8 ?" |, A: G" ^3 V
, L2 y! U' H0 K) ~9 t
3.package影响因素:' ^- d+ m- O, y  t
RLCG,当然用S参数来表征会更精确,因为crosstalk对skew的影响。# V$ J$ I7 L/ E1 v; t$ e/ `3 y% O7 R, c
* _) E$ R; t/ k% g$ X
4.PCB板走线:' r* c4 G) R- |6 r- F2 r* J( `+ @
大家最熟悉的,一般会按照spec要求进行等长处理。
. D0 }* P% l  f( r3 p
- A. D9 W# _, r5 x6 H& E+ x5.软件调节:  {( e$ H3 C: a7 O
dq-dqs:tdelay延时,以满足建立时间裕量;
# n; I. [, {& H( \( ndq readQS偏移1/4tCK;..., R; F8 s. H1 a1 d+ ]0 C* M$ n

' G* i4 t, l" E) T8 C6 F希望可以让大家对影响时序的各阶段有个了解,能对PCB设计等长策略有更好的理解,可以做到大致估算各时序裕量情况。3 P' ^* y2 J- H$ p
9 _0 w; Y: i6 `! c6 u! |
此次讨论希望大家热烈参加,仅讨论静态时序,不讨论操作时序。今天就写到这。
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 楼主| 发表于 2014-1-10 14:30 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-10 14:40 编辑 ; \: U: m; u& c+ o! Z* d9 P0 z& o3 b

1 H2 i/ r8 [; t+ Z! U9 ^在芯片级提出如下问题,可以让我们对时序调整的原理进行理解,并知道实际上我们板级考虑不了的内容:
, A* y- U, z* i; q6 }6 sDQ与DQS写操作比较时:setup时dqs一般偏移半个时钟周期,(由于加上setup,计算时为一个时钟周期)而holdup时由于减去tds因此为半个时钟周期;; k( b# A: n& i% f. k. t; w+ B4 W. Q$ w
: I% p( b; ~; s2 Y! ^/ n5 X! M& ~
DQ与DQS读操作比较时:没有时钟偏移,因此DQS偏移90度,作时序对齐。(初始为0.25时钟周期偏移)
2 Y# A7 G- p+ ^/ b' w, n
1 w# f5 `" H" G# QDQS与CLK信号写数据时:比较时对tDQSS参数值进行多偏移一个时钟周期,裕量的确会变大,但实际多出的时钟周期的裕量是否会存在,但用0.25tCK进行表格公式时,时序关系不满足要求;tDSS,tDSH参数比较时,有一个DQS_HIGH时序关系(大约半周期),其原因是什么?
+ r* y% z, C# E7 M5 ?3 ?' o, @
$ g% `  B1 F, ~DV值与delay element为何有5倍的关系,为何有2*tphase+4 * tPhaseClk_err的关系?数字dll或模拟dll的delay line值是否变化?
. H) |, ~$ u! a& |5 G  B) _# i2 n: d! {, h6 B5 b5 H9 F
芯片级pulse width的各信号如何获取?4 Z" a( f+ l8 _# x2 }- H* C. \8 Q
7 k! H3 |; i- X7 Q& Z" ]+ _
ECHO gating, l; z7 ?2 w; [
! T1 ]' q8 y0 B* [

/ H. g' ~- D* P) S+ o
) L0 P: R# h0 `0 D5 R; a这张图片最左边为控制器->PHY(IP)->I/O(仿真时的buffer特性)->package&board(图中没有画出)->负载DDR颗粒。
  w, A3 |# ?5 Z4 V" s
% p4 a0 E3 r$ `6 H- ]6 G从图中大家可以清楚看出影响时序的各个环节,下面先芯片端的影响因素和大家道来。

databahn_ddrphy.gif (54.46 KB, 下载次数: 0)

databahn_ddrphy.gif

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发表于 2014-1-11 08:46 | 只看该作者
好贴,啊,继续啊楼主,学习啊

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 楼主| 发表于 2014-1-13 22:22 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑
6 l  l2 u0 p2 [0 Y+ z7 ^; F# b5 E: ~; D
从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。
; X! i& w' t; V7 E+ v3 D3 e图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。( e, b5 w0 i5 n. u% W% U/ I; S) B7 B
此处:
4 r% h& I6 i2 |# ?5 wTCO:由寄存器本身参数特性决定;2 ]! c% Z- h" K9 D+ c/ X) X
TCOM:主要由芯片layout时走线决定;% @. e4 X# O; I$ d% N8 ~: c- A
TSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。
( n# j) f; X& I  ^% v3 e而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。
! }, }8 O3 N; ~& z2 x' \. W) s对于地址网络,需要满足:* X! h9 Y% z8 h2 h0 F" h1 S9 E
max delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;9 h, W% ^0 t9 d6 z7 y+ T8 z' R

7 \$ u) u/ V" y$ c. ?对于数据网络,需要满足:
5 Q* \6 s  e3 G: Gmax delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。! r& ]1 l1 Y6 z- B

8 Z. T" c0 x: G: U2 X7 g$ N上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。) ?9 o3 z/ E. X7 M8 a
: x) [3 c' `5 H3 d) T7 W2 P
而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。

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