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Multisim仿真为何跟实际电路不同

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发表于 2013-2-16 17:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图所示这个是按实际电路连结的,实际MOS管用的是SI 2307,Multisim库中没有SI2307就用这个ZVP3306F代替,MOS管是P沟道的,理论上只要G PIN是底电平MOS管就是完全导通,现在仿真出来的好像没有导通,万用表测试出来的是3.551V,另外把J1开关合上使MOS管的G变为高电平,MOS管也不能截止,请问为何跟实际的电路不同。

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发表于 2013-2-16 21:04 | 只看该作者
源极漏极接反了。

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 楼主| 发表于 2013-2-17 12:36 | 只看该作者
没有接错,实际电路也是这样接的

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发表于 2013-2-17 14:14 | 只看该作者
我不知道你用这个电路干什么?反正觉得没必要这么复杂,而且如楼上所说,你漏源的两个脚是不是画得有些问题,你设计的思想是啥?

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发表于 2013-2-17 14:44 | 只看该作者
  你把MOS接反了测个毛线  MOS肯定一直是导通的 相当于一个二极管   SD 对调一下就OK了

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 楼主| 发表于 2013-2-17 15:03 | 只看该作者
楼上的同学你有没有做过具体的仿真试过,反正接法我都做过仿真就是跟实际线路不同,大虾能说一下为什么吗?

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发表于 2013-2-17 15:15 | 只看该作者
楼上的同学你确实接反了,4.2-0.6V=3.6V的样子,刚好的!要反向一下才好!

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发表于 2013-2-17 22:52 | 只看该作者
MOS管内部的二极管直接导通了,点亮了LED。所以万用表上会测到3.5V的电压

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正解啊!  发表于 2013-5-14 21:25

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发表于 2013-2-18 09:32 | 只看该作者
LZ 仿真没有错,LZ还得好好学习下基础知识
* k+ k% J3 _& [* J( [0 G( m- r* n# e  c- y" f: h0 [
LZ这样的接法,导通和戒指结果都一样的!

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 楼主| 发表于 2013-2-18 16:52 | 只看该作者
你们都说电路接法有问题,我把实际电路贴出来,DC5V处是接充电器,PB5是4.2V电池,电路原理是当有DC5V(充电器)进来时,Q16截止,用充电器供电,此电路已量产很多,我也做过测试,当没有充电器时,Q16的2脚和3脚电压一样。请你们说说这是为什么呢。

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发表于 2013-2-19 22:37 | 只看该作者
充电器的输入PMOS就是反着用的,你早说是充电用的不就清楚了吗

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发表于 2013-2-19 23:11 | 只看该作者
建议你看看模电书或者其他资料关于MOS原理的介绍。9 h$ B3 d; E* q. x
简单说:单独的MOSFET由于工艺问题,必然存在寄生二极管,如图.其中第一个为正向接入,第二个为反向接入。
: d. r) ]' r1 \) G* V只有第一种情况下才有低电平导通,高电平截至的效果。第二种反向接法,由于寄生的体二极管,可以看出,有这个二极管,从前到后就是直接导通的,此时MOS不受控制的。这是电池充电电路的基本原理。

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 楼主| 发表于 2013-2-20 11:14 | 只看该作者
kevin890505 发表于 2013-2-19 23:11 1 z1 }2 |. v; |5 l% h" ?
建议你看看模电书或者其他资料关于MOS原理的介绍。% h& }$ v% ^6 A- h4 T, ^
简单说:单独的MOSFET由于工艺问题,必然存在寄生二极管 ...
3 x5 w6 ?+ P1 d9 G' ~
只所以发这个贴子,在前期设计这个电路的时候没有加R93这个电阻,所以当接充电器的时间充电电流很大,没有经过充电IC ,充电电流直接经过MOS管到电池上。我的那个电路跟你第二个图接法一样,按你这种说我不加班R93的时候充电也会经过充电IC,而不会直接从MOS管到电池上,还有按这种接法MOS管存在寄生二极管会有一个压降,但我在实际电路上也做过具体测试,电池过经MOS管几乎没有压降,这一点又怎么解释呢,

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发表于 2013-2-21 08:42 | 只看该作者
tdjfnwxf 发表于 2013-2-20 11:14
0 Q8 Q7 `" o  C& d  Y3 ]只所以发这个贴子,在前期设计这个电路的时候没有加R93这个电阻,所以当接充电器的时间充电电流很大,没有 ...

0 {* ?  p- S+ v  Q8 v- k+ q你对比下第二个情况下,有Vgs和没有Vgs不难明白了。
; E1 m% N8 q1 C4 }  w! |第二个情况在没有Vgs或者Vgs达不到开启电压的时候,体二极管就导通了,自然会有0.4左右的压降。  }! C3 `! D  I# w  D- y) [
但是如果Vgs是低电平的话,MOS完全导通了,自然就没有体二极管了,此时的压降是由MOS得Rds决定的,压降=Rds*I,由于NMOS的导通电阻一般都是40m欧左右,所以这个压降基本是没有的。2 B1 M5 q# s. r' {5 m, ?
所以,正接和反接区别在于没有导通的时候。如果Vgs达到门限了,D,S是没有区别的,电流从那边流向那边是取决于电压的高低。

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 楼主| 发表于 2013-2-21 10:22 | 只看该作者
明白了,感谢,一直对MOS管原理不太了解,在学校基本没有学过,呵呵
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