自举电路工作原理

yyzwj99 · 发表于 2012-7-6 14:58

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哪位高手帮忙解释一下这个电路的工作原理。

从图片上面得知Vout来是由FB电路所控制的，那么Rboot，C2，Q1，Q2这部分电路的工作原理是怎么样的。
尤其是自举电路，是不是电容选择不当，电路工作可能就有问题了。

skatecom · 发表于 2012-7-7 23:02

粗劣的解释一下吧，不对的，求喷，呵呵

RT9214是一颗同步降压的DC-DC芯片，自举电路也叫升压电路，D1 ， Rboost，C2构成自举电路。当1脚高电平的时候，D1截止，C2充电，当1脚低电平的时候，D1导通，C2放电，由于电容两端电压不能突变，放电的时候8脚电位被拉高，从而达到自举升压的目的。
8脚的高电位主要Q1，Q2的驱动能力。Q1打开的时候，电感L1储能。8脚电压=Vin，此时Q2是截止的。C2处于充电过程中。Q1截止，Q2打开，电感L1电流增大，由于电感两端的电流不能突变，所以Vout电压被拉低，故达到降压的目的。8脚的高电平主要用于加速Q1的截止，Q2的迅速打开。

skatecom · 发表于 2012-7-7 23:04

8脚的高电位主要用于增强Q1，Q2的驱动能力

yyzwj99 · 发表于 2012-7-9 00:23

skatecom 发表于 2012-7-7 23:02 1 s$ N( Z/ [2 D1 _) u1 j0 D
粗劣的解释一下吧，不对的，求喷，呵呵
) e: {6 T. d; J+ ~

呵呵！接着讨论哈！
有些疑问：
1、这个芯片不是DC-DC的降压芯片；
2、请问BOOT何时会是低呢？并没有软件控制。再说D1的正极永远都会是有电压的。
3、D1导通，C2放电，由于电容两端电压不能突变，放电的时候8脚电位被拉高。[D1什么时候会截至，谁会让它截至呢？]
4、Vout 的输出电压是有FB电阻控制的，这是芯片的DS上面写到的。

wushimin6 · 发表于 2012-7-9 10:25

:):):):):)

skatecom · 发表于 2012-7-9 13:23

我把RT9214的datasheet发出来吧，呵呵

jacklee_47pn · 发表于 2012-7-9 15:29

yyzwj99 发表于 2012-7-9 00:23
" K A1 X1 B7 L, J/ R呵呵！接着讨论哈！, v: Q- T( r/ I0 n6 a$ i* ]& g
有些疑问：, d( B$ D' y% O
1、这个芯片不是DC-DC的降压芯片；

嗯? datasheet 標題 Synchronous Buck PWM DC/DC Controller ，怎麼不會是降壓芯片呢?

qiangqssong · 发表于 2012-7-9 16:59

对于2楼说的不太理解！！！

yyzwj99 · 发表于 2012-7-9 17:21

jacklee_47pn 发表于 2012-7-9 15:29
9 l! t* B0 y4 V* N- ]4 e嗯? datasheet 標題 Synchronous Buck PWM DC/DC Controller ，怎麼不會是降壓芯片呢?

是的，是PWM降压芯片。不过对于2楼的讲解仍然不清楚。

1、我想要知道的是 PWM是固定的，那VIN和+5V to +12V 和VOUT 有什么关系？ Vout 应该是由FB控制的，但和PWM控制还是有关系的，只是PWM又是固定不变的所以……
2、boot 的电容工作原理以及对于输出的作用……

tony_wuy · 发表于 2012-7-28 09:27

唉，注意是ＰＷＭ　controller ,看内部方框图，也即是现在大多的DC-DC把两个MOS集成内部了！

ecbios · 发表于 2012-7-29 08:04

PWM不的恒定的，芯片通过反馈知道输出电压异常的时候调整PWM来调整输出电压

ecbios · 发表于 2012-7-29 08:06

自举电路是中的C2是否可以理解成耦合作用？

zhangyang008 · 发表于 2012-7-31 17:11

C2 在下管开通时，充电到前面2及管前的输入电压。下管关断，C2通过芯片，Rugate对Q1充电，Q1开通。如果Rboot电阻大，导致C2开始时的电压不足开通上管。可能发生输出电感电流饱和而导致输出过压保护哦

kevin890505 · 发表于 2012-8-2 16:10

看了大家说法，貌似都知道，但说的不清晰，我就我的理解来解释下，不对的还望大家多多指点：
1，首先大家必须知道一点，就是DCDC中，基本用的都是NMOS，打开（大多是NMOS，PMOS的导通电阻很大）时候Vgs要大于开启电压。（PMOS其实也一样）
2，而S端的电压在DCDC中可以理解为输入电压，有可能会很高（这里是12V，当然有的可能会有三五十V），那就是说栅极电压必须要高于12V才可以打开MOS，而且需要一定的电流（MOS的GS电容充电）
3，如果全部靠DCDC转换的IC提供，显然是不合理的，因为IC的栅极驱动端不可能提供高达12甚至30V或者更高的电压，而且提供的电流也不会很大很迅速
4，此时就需要自举电容，在NMOS关断（低电平不存在问题）的时候，电容会通过自举二极管迅速充电，也就是图中的1N4148,电容的最终电压就是S,D端的压差，接近于输入电压。
5，当要打开NMOS（高电平）的时候，栅极电压从0开始升高，此时由于电容电压不能突变，Vgs=电容两端的电压=此处约为12V，从而保证电压满足导通条件
6，同时，电容放电时会给栅极提供电流，给MOS的GS间电容充电，从而有效驱动MOS的开关
7，自举电容串联的电阻是为了延长MOSFET的导通过渡时间。这有助于EMI。但很显然，它会增加开关损耗，所以很少使用。
8，对于这个电路的Q1,Q2是构成半桥拓扑，在原理上和单端的没有太大区别。

clp783 · 发表于 2012-8-2 17:02

高人出现了

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