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HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件？8 V, j c! j/ `0 @2 J& [1 e0 Y
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+ n& a! R( s# j a' n7 \& N' U! M9 @5 j7 m. R3 @' a
因为之前尝试使用LUMPER PORT端口，辐射边界是包围电路的air腔体
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在使用WAVE PORT，腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小
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: U' k9 o5 k/ l) h1 T: L& J N- |$ i/ Z7 m" c
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, M9 U K8 C7 [! ]请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界？这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗？这样的结果是否是准确的
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因为看hfss的一个full book里面的一个via模型，也是按WAVE PORT设置的，电路板的边界与空气腔体全接触，使用的也是辐射边界
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另外，好像是有PML边界的时候不允许使用端口所在面
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它跟辐射边界有什么区别么？3 p" f' j7 c0 Z/ j) f7 ~3 L
# l' _4 X, b9 H/ _) |: ^! t) v2 [9 \# p! p
; d' O) v& ?& b' {' c! l4 ^
希望有经验的朋友指点指点，一直比较困惑5 C; N! V Q% M' v4 E V
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发表于 2012-4-11 08:39
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