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有奖讨论《为什么IBIS model仅适用于相对低频段》

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发表于 2008-11-5 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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发表于 2008-11-6 10:42 | 只看该作者
论点就错了,还讨论什么啊

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forevercgh + 10 tianya讲的极是

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发表于 2008-11-6 20:48 | 只看该作者
哪错了??

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 楼主| 发表于 2008-11-6 21:51 | 只看该作者
原帖由 tianya 于 2008-11-6 10:42 发表 : P. [' K; P) b: `
论点就错了,还讨论什么啊

8 B. V3 V+ d, L# \4 Z% n0 _4 q* v, C
+ r) Z- Q9 ]  X) I! U* j4 M3 gtianya说的太对了,论点就有问题。 / g  v0 C) ~2 \$ l- A2 j/ u% l  b' c- m" I
并不存在ibis model适用频段的问题,只是看manufacturer愿不愿意花精力搞ibis model了
sagarmatha

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发表于 2008-11-6 22:22 | 只看该作者
对常见并行接口,如DDR2/3,做到精确,也不是很难,像Micron的ibis模型,都很准确;
( o! Y. k! U$ {, l2 Z( R对serdes,之前ibis4.2的AMS,现在ibis5.0的AMI,都可以做到很精确,SiSoft做过AMI和SPICE的对比,可以看一下。

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 楼主| 发表于 2008-11-7 09:36 | 只看该作者
micron在model supply和quality方面做得的确超好。4 P  d5 }$ |6 T$ h% e, |$ E# r6 j
好久没关注IBIS forum了 ' W  j0 L  \* W8 [
看来得过去学习下了
6 i% J6 n" ?: B4 }: h' \感谢tianya
sagarmatha

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发表于 2008-11-7 13:17 | 只看该作者
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发表于 2008-11-9 13:58 | 只看该作者
我觉得一般的Flytime仿真,IBIS 还是挺好的。3 o% R, r, F  g: v8 a# ^
但是Overshoot就不好了。
1 D+ @7 P7 N2 }( L, X: H3 o" T8 |! R) rIBIS对于数字电路的一般就够了。
1 x7 X# x9 l& Z* x# W+ B, h1 Z) ~; T3 u不用太去关心 适用频段。/ S  l) z) O6 k# B! Z
呵呵

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发表于 2008-11-13 01:11 | 只看该作者
IBIS 是可以仿真高频的, 但这要看多高频率,3GHz一下还是可以的,但要想更准确,还是要用Hspice.

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发表于 2008-11-14 11:36 | 只看该作者
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

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 楼主| 发表于 2008-12-2 09:23 | 只看该作者
原帖由 leixiaoyu 于 2008-11-14 11:36 发表 5 p7 s! i1 B" j6 v; g$ ]
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的
  R" m: l" p! n4 R/ R! d( _& t2 W
$ ^+ ~! t/ C3 T2 n4 @
烦劳详细解释
% s. {: `3 S+ x8 ]# Z7 K$ A2 I: B9 ]  |2 B/ K+ `
表格形式和带宽应该没有直接关系吧
& S! ~% ^/ _( T6 ?
8 o* j3 U6 A3 H6 U' N0 w7 f5 n倒是netlist会牵涉到带宽的问题
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发表于 2008-12-2 21:43 | 只看该作者
当器件工作在晶体管的饱和与截止区时,IBIS模型缺乏足够详细的信息来描述,在瞬态响应的非线性区域,用IBIS模型仿真的结果不能像晶体管级模型那样产生精确的响应信息。然而,对于ECL类型器件,可以得到和晶体管级模型仿真结果很吻合的IBIS模型,原因很简单,ECL驱动器工作在晶体管的线性区域,输出波形更接近于理想的波形,按IBIS标准可以得到较为精确的IBIS模型。
: D' X3 Q. k5 }, k
' y! ^  {. K' ?. e8 k! D' Z/ S& n由于IBIS模型不适用于描述有源电路,对于许多有预加重电路进行损耗补偿的Gbps器件,IBIS模型并不合适。因此,在千兆位系统设计中,IBIS模型只有在下列情况下才可以有效工作: 7 n% q8 i& ~6 L
  1.差分器件工作在放大区(线性V-I曲线)
/ G2 j& c5 j% `" @1 C. X& I: F  2.器件没有有源预加重电路
* Q4 I2 F. B& z, B; R  3.器件有预加重电路但是没有启动(短的互联系统下启动预加重功能可能导致更差的结果) & h' p$ _4 g3 Q7 Y1 a4 h' J
  4.器件有无源预加重电路,但是电路可以从器件的裸片上分离。 ! O. ^9 j$ p$ ^; W
  数据速率在10Gbps或以上时,输出的波形更像正弦波,这时Spice模型就更适用。

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发表于 2008-12-3 21:56 | 只看该作者
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

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 楼主| 发表于 2008-12-5 09:12 | 只看该作者
原帖由 xooo 于 2008-12-3 21:56 发表
' r- f7 u# R6 P3 ^* FIBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

: X, G2 j; q; e' K3 L+ G9 \
- @. C2 Z, \3 _, K7 CIBIS就是个TABLE,表格大小应该不是主要的限制,至于精度,参照IBIS cookbook都晓得,IBIS模型对照spice模型的验证与校正也是建立IBIS模型的关键步骤之一。
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发表于 2008-12-14 14:27 | 只看该作者
个人觉得,对ibis仿真精度影响最大的VT曲线。
& q& G# i! I4 c所以对于接收端的modeling来讲,ibis在很高的频率段仍然能有很好的精度;7 @2 x' B# o$ p" m
而对于发送端模型,
% y( O/ e8 t4 G/ p# j$ P/ S' Z2 j4 t一个是VT曲线的时间长度(T)决定了仿真的最高频率,对于高频仿真,T要很短,很难精确建模。
5 i, K( F9 Z% |另一个就是ibis对真正差分端口的modeling能力有限(特别是PN不够对称得时候),而高速信号又一般是差分信号,并带有预加重和均衡,这些ibis都无能为力。
' N8 x) ~6 U" E7 d
; J$ ]5 O; V( Z0 R但是情况可能在ibis5.0以后会改观,因为AMI扩展使用时频域混合的方法来进行建模仿真,这大大增强了ibis的建模能力。, ~" U4 H% q5 S; X, s# F  v
" x2 V6 Z: o5 J0 W8 J
说句题外话,一个模型重要的是它的质量,而不是格式。ibis模型经过精心设计,同样可以跑很高频率~~

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