Hyperlynx使用咨询

anjingcoward · 发表于 2010-12-27 19:14

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上传一图片！
请问：
如果我想仿真使用去耦电容对EM辐射的抑制作用，
我们知道去耦电容应该加在IC芯片的电源和地引脚之间，并要尽量靠近，

那在Hyperlynx中按照我上传图片所加的地方对不对？这种加法是加在电地引脚之间吗？

willyeing · 发表于 2010-12-28 14:30

好像不应该加那么大的电容吧一般不会超过30pF的。几个pF应该就可以了。这样加会降低信号沿，也就是降低高频分量也就是那个Fknee频率，应该可以降低EM辐射的。

anjingcoward · 发表于 2010-12-28 18:11

willyeing 发表于 2010-12-28 14:30 & \( `+ C% h2 B
好像不应该加那么大的电容吧一般不会超过30pF的。几个pF应该就可以了。这样加会降低信号沿，也就是降低高频 ...

恩，我只是随便加个电容试试，呵呵！
主要是我想知道，这样加是不是正确的？
你认为是对的吗？

mf3780 · 发表于 2010-12-28 23:23

应该加在微带线后面

anjingcoward · 发表于 2010-12-29 09:24

个人感觉好像不对啊！！
对于IC来说，去耦电容不是应该加在IC的电源和地引脚之间嘛？而按照图上的加法，明显是针对输出信号的啊，这似乎应该属于滤波吧？

anjingcoward · 发表于 2010-12-29 09:27

我总觉得，好像linesim中应该修改驱动芯片的IBIS模型中某些部分，这部分可能会对应去耦电容部分，可是也不会改

willyeing · 发表于 2010-12-29 12:44

个人认为不对，IBIS模型里是DIE+PACKAGE的寄生电容，它代表封装好后芯片的pin的特性。如果加在里面等于改芯片的封装了。个人理解应该加在你加的地方，电容是pF级，一般情况可用串阻的方法来抑制EMI,还有改变驱动电流以及传输线长等！

forevercgh · 发表于 2010-12-30 13:56

回复 anjingcoward 的帖子

参考附图

anjingcoward · 发表于 2010-12-30 14:46

上传一篇文章，其中有块是作者使用Hyperlynx做的去耦电容抑制EMI，
不过没说怎么做

willyeing · 发表于 2010-12-31 16:21

搞电容的目的还是降低信号沿，不管咋样，EMI都是电流发生瞬变产生的，解决EMC就是解决电流的问题！！！

anjingcoward · 发表于 2011-1-5 15:32

我在找些资料看看吧

honejing · 发表于 2011-1-5 18:39

Linesim 無法把電容掛在 Power rail 上。
LZ 的圖示把電容掛在互連線上，並非去藕電容的作用。

anjingcoward · 发表于 2011-1-7 15:17

honejing 发表于 2011-1-5 18:39
; H2 ~0 m0 P; t( zLinesim 無法把電容掛在 Power rail 上。. S- q$ ~* p; y7 d3 R8 h
LZ 的圖示把電容掛在互連線上，並非去藕電容的作用。

那honejing有什么办法做做这方面的仿真没？

honejing · 发表于 2011-1-7 23:14

曾經嘗試，但 Hyperlynx LineSim 似乎無解。不過可以用 BoardSim,
自己抽的 Model 含 Power pin, 把電容掛在上面試試，但是它提供的 IBIS model
就沒有辦法拉出 Power pin, 無法做 Power 的連接，不確定仿真 EMI 是否會有效果。
試試，若有結果，麻煩分享。

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