|
|
三星内存颗粒
, \9 G2 w+ S/ {( h8 T7 s8 l1 _$ U编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X . Y8 g' T9 Q5 M, o+ \2 L
8 L+ K9 x2 i7 c8 [( N+ f
主要含义： 4 }8 c* R' [/ H8 l
' [- Y$ ?9 h0 O第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
- I+ Y# h6 S7 [# r5 t# l' R5 g0 w; Q4 P
! c: _( I) j9 N) R9 |) ]. c第2位——芯片类型4，代表DRAM。
+ w' b9 g8 k$ `4 h9 u- G# L& C; G
. H1 q5 E4 J/ m" K2 H5 p4 M1 D第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
1 @1 Y% L- S, Y/ H; j& ]3 [
7 v# d5 F2 ~, Q+ _% s" h, F第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 & d) _: _! i: R
: u* J ]# Z# R: d$ C- ?" }7 R
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 ( i* j b+ Z$ S4 }$ ^
4 r& C) p8 z% |( x6 }
第11位——连线“-”。
: @3 @, ^ K4 h8 j) R$ I* ~/ ~5 n8 g, h1 E, b, T
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
; r* }' `! [+ i. s$ A8 W
4 l! G. C) E. ]4 `* K r知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。 2 L9 W- `$ ?0 ~5 X g% k, X7 I
* y, _8 o' D2 i3 n注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 $ q5 ?% T6 A. H1 i+ J
+ ~# e$ X M1 B3 l3 [9 _ u
/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
% X. j8 @* w: [: b S* @! x
3 q. g1 U) h! N& O9 ~" o1 i/ b. [Micron内存颗粒
M D. |& K( ~$ G, c" Q( V
1 D+ K9 q& X9 x! |& F5 {9 a9 C. NMicron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
6 h: p2 E- x) `5 {; k' w D% A$ \; g% M
含义： " V* u! @2 {- N
9 s; T+ T, Z- m4 S/ ^MT——Micron的厂商名称。 Z. ?8 q& k D3 g
1 \6 v& Z9 f: F! [! Z A
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
3 e$ S$ O2 `' U+ D8 L* K' m8 N3 I5 m I4 z
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。 ; f. |8 T! Y3 X% j
: e% J; W5 |: a/ ^% T" ]
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。 6 i9 A: Z$ C! |, {+ b2 u! p
& V* ]4 E7 y" B( }& C& OA2——内存内核版本号。
; m3 O7 L5 o# K4 [, G4 K& c8 T" _) [; q! a- p( z' s3 L
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
7 \% ?# s# c" \, m+ K
/ h% m( q7 @) N- U8 k, [# ?. {-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 % [' B* q' ?3 ^4 j/ T4 z( n
" M4 k. |+ M% c) T; j
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
2 L X |% \6 i( ^: ^9 s
% g7 X( {9 }! S6 @其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。 ( v3 e9 r1 d/ k3 m
$ F7 f. w( i. q( s5 S
/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
?( T$ [ \# K* S. Z3 Q' G" l2 R& }# w, N5 T
西门子内存颗粒 & Z* n* I' o! [, H7 J/ n
/ ]7 @7 P* |9 u# _) D; g0 t- K
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
9 B% K: t7 B% B$ R8 P c. V9 V% t7 ]' _+ p: \ y) ]; t0 H
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
5 _; p5 C" x9 R7 m
5 P- u$ I! ^ a% o2 q5 QInfineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
4 b2 B3 B L) f7 h6 p" F* `' O) K0 r
! m4 a! j# f0 D9 @2 i-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz； + L% i* s* F1 }4 w3 @
) L d: |. Y) l" L" ^- {/ L2 g; H! u/ l: J
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
! L- x. f; b8 G1 O: H# O; \$ b4 \. X* l$ |+ W8 O
例如： / ~) y }1 t! `& a" W6 \. J4 a
$ l9 {0 P2 v- k* o1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。 / o( Z- n, y* i* r
- o- a1 V0 Q4 ^% P5 @1 A
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
7 ~7 G0 y2 v0 ~) p3 F3 V
0 O5 J. G6 h6 }) O" k7 `/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
8 n: a4 Q8 k) ~* U
: R. B; k# P7 \# Z' _1 S% nKingmax内存颗粒 3 T8 c5 p9 A3 s4 w7 r! B' T
8 L' P6 D2 t# ]2 b7 o7 I! b& `4 RKingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 % H' N! d4 v( {
! g+ Q# y/ a5 x! [! G1 s
容量备注： + d/ A' G$ X, r
$ q- t* I4 l6 }# V6 U
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
]) P% M! W. f _; b' O- m) v. ~
- h7 K2 y: a. G0 HKSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
! n9 F5 h0 I0 L9 L" N5 Y5 Y3 B% S1 r7 V- [8 {6 V( B' k
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
; e' B$ t/ o" v. Z+ _1 @3 ?1 D* J( }6 i& T
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度； ! z4 S0 k, I6 _* E: V: H5 W
/ |- t% A9 S" a. D4 E% _+ dKSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。 ' H$ E1 w5 h3 v
L/ y4 E$ V0 N% A! o5 oKingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
, X. `# w- D* p( P9 g1 a2 T/ k. N& s( l$ `4 o, a- o9 z$ n$ T
-7A——PC133 /CL=2； " ?3 M& {$ ^" t) z: ^
5 O2 ]4 M8 O5 R+ N! J- N
-7——PC133 /CL=3； : v! Q( |$ M( G4 a% {1 m
+ e* {1 h; z. j, U, | I+ K-8A——PC100/ CL=2； & T+ {1 s& S( L" k% {3 D7 X
2 T' H6 b: B) v* K-8——PC100 /CL=3。 / H# a7 J6 }8 j k- H2 |
$ h& D' r9 H1 V( Z# Y' P! R# t
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。 1 _2 |, ?* @: m' m
0 X/ F6 {7 J' i- W+ S7 {
内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
8 C3 y3 ?% ]3 ?9 m6 M通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量 3 _' Z4 N0 G/ _
5 V3 L6 v. K; _8 r# w9 J
/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
3 G, [% U& v' T+ M ?6 A! |9 \
# t* f2 S- r6 OHY颗粒编号 9 {& P; ^/ m) j2 W
# B1 V: k! s- s' W: K' Y$ A
: l" i# {! f& r6 [1 RHY XX X XX XX XX X X X X X XX 5 ]' C6 A0 P3 i+ U) E! T& o8 E. D
1 H p7 U8 F: L- S" ~1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
& ^$ O4 ?0 I: R `
5 G9 o3 T/ f# X2 ~1、HY代表是现代的产品 3 Z6 [; `9 J: ]% w
. ]% Z% k3 H3 B5 f# O' D
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； # z: f2 b8 F9 {2 o- J% _
# V! v; k) j/ A
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
5 j# L+ l& _* l
6 P7 o- O; C/ k- x. a 4、芯片容量和刷新速率：64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
1 K( `5 M: }) J/ P+ z- X7 H- v) n' s t) W. I8 A6 O" `
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 + u* P; p" ?* X3 N$ e! y5 o/ h
2 `8 b" k# ?1 J7 K( g
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
( B3 r0 _3 R( n2 P% n; t2 o8 x. P' `( U8 K7 d
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
; ?2 V, N; O8 z' m3 e1 X) s$ E y# U" R9 p3 p% p F4 V
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
" O; S' a5 j/ y, E. I
8 B* H. W; F. ~9 i9 X 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
: f; O0 j' a# G% ] k; p( g# C$ D8 _0 y9 v
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
5 F0 I Q; D8 }
7 j$ d0 M! t: E; D 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A
5 d* x/ a( y3 R( H, D2 |$ Q. {4 H" q% I; k, n' f" f9 e* |/ Z$ N
///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// / ]0 B+ w3 @$ Z$ ~
0 ~" G. b+ G' u8 V
TOSHIBA DDR内存: 9 y0 h5 Q$ \0 E
1 j, u9 K; z& q: D. nTC XX X XX XX X XX X XX
% o+ ^4 _9 ]' |6 U- _
+ H/ s. T+ L- j1 2 3 4 5 6 7 8 9
/ P/ Z8 \% @1 _# l, W3 @3 w3 h
& [5 x7 m6 {$ l# T" `' h
1、TC代表是东芝的产品 & l& ~. {. Y# c/ _
?7 h4 E9 c* a6 C 2、59代表SDRAM代表是SDRAM " ^ m; v' f$ R$ X
5 n& W% s% h# K9 `; D 3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM
8 ~3 X# Z2 R$ r+ k
! \7 g# g; r% h( Z4 J8 U* R 4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb $ @$ `+ r9 g/ h; X7 y+ ~
/ x' n5 f8 F7 P8 }- z
5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
$ x( a% E" N+ j" C% f
! v- d1 o7 c/ l, C' W 6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新
, k3 W! ]% f- C
4 |" _, ?6 U) |. O2 Z- {; h 7、代表封装：FT为TSO II封装 ; f2 e M' r4 M' g5 k
1 u7 G. L$ A8 b% `5 ?$ _
8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通
; V6 w2 B: R! K4 g+ f% o4 Z- | j3 p% h; F# g
9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3
: s2 E9 s/ u0 T w; ~: D$ ^' m; {3 n6 D" w6 U/ Q) g7 Y$ Q
///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// ! _3 M8 ?2 U# N0 X1 p! E
+ p- O6 Q6 f% R" P8 o3 I6 [宇瞻DDR内存: 9 ] h9 a; L# Q' l: z3 t
% x- [& z7 u/ N& E6 R# {4 y
W XX XX XX XX
( S# E5 {! f$ J0 a8 v3 N
% C( ?0 M+ S% d/ K1 2 3 4 5
+ b- p! {: ]& j* G2 H# s) d
3 a3 ]* T2 o" y$ ^5 X
; J! x4 z- M$ t4 j- o8 G 1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
1 z3 W, D6 k- g+ R: G N5 l$ C* y& J9 F( h- b
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM
: T* I% ]& Z( |. h/ n+ b1 b$ t5 W2 ~" q( y0 k# \
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
! e3 w- m% l8 P0 ]( t. Q6 O7 `4 m" N
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
" @& v7 i2 M j% `$ E
5 p$ b/ s, I( L+ R# r3 O$ d) k0 ] 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz |
评分
-
查看全部评分
|
/1 
发表于 2010-4-29 17:47
QQ好友和群
QQ空间
腾讯微博
腾讯朋友
微信
收藏
支持！
反对！
楼主
