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原理图说明:" W7 o/ \# N3 {( L6 g( @/ B; v! D
' |6 K) X) ^, g/ |( M" ]! M/ u- S! V
3 r; e1 t; g: b* O3 d上图DDR_I电路中需要注意到信号线有CLK+/-,DQS0/1等.% M( j2 X2 ]6 U
4 s! D% O/ F5 J1 B1 G$ @
- ]+ z- s+ I8 T* A. v7 ~: gPCB图说明:
4 s1 }5 a4 [& l/ }3 n; D; A; z4 {7 `/ b$ N9 f0 k
1: 13位地址线与16位数据线的宽度走6MIL就可以,每根线的间距为9MIL.3 m+ ]/ D: g+ Y
2:时钟走线宽度12MIL,两边包地处理,尽可能多打过孔.时钟线一定不要有过孔.% E% ` e5 d4 a8 {* ]
3 QS0/1线的线宽12MIL,两边包地处理,尽可能多打过孔一定不要打过孔.& l6 e1 ?) H1 M# L. x3 n. ^
4DR芯片的高频电容要靠近相应的供电脚放置,连线宽度>=12MIL.其供电线宽度>=30MIL.单元供电LDO靠近DDR芯片放置.. T& T9 J6 R3 @. G* t7 E- [$ I
5:REF电路需要靠近芯片的引脚放置,线宽>=12MIL.
8 m. d, v7 E- ?; ?$ j) q6:整个DDR单元电路与外界需要用地线隔离.
$ J$ a7 y" Y+ `- C; \0 R" F5 c, C2 v; H* n0 z) \3 l
# c j4 d4 V; e7 `& i) Z |
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发表于 2011-8-12 16:56
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