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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑 5 b/ |! O! a( W1 v
" o/ K- ^2 I/ k+ c& ?- f b+ m
做一个六层板% ? z0 s) L# y! g) W
主芯片是DM642& d; V/ G% j, g
在做SDRAM信号线仿真& X9 o8 K4 y8 z! b- W
) V5 _, L" j0 u" T
看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻) `" V$ K4 R" s9 e) a% f
- D4 g' y) u$ ]) h2 P
我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil，阻抗为73欧姆0 ?0 n' A3 r9 E0 G
匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil，阻抗为66欧姆
' S, X4 N. u7 n) a! r- r+ M. V
& A H+ h( P; T但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V
9 a' N- m' e3 I7 m+ I3 ]2 y: L$ H
改为68欧姆的匹配电阻做仿真，波形大为改善
/ l- o( v' |0 ]( [3 x8 j4 A8 G
2 O$ s( X! P$ {/ F# Z请问我应该用哪一个组织的电阻呢？
, z, x0 @6 H1 m! a用68欧姆的电阻波形好点，但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢？
+ }( }. j+ } G; r4 z3 \( K$ z
( W% M0 A' P% q, _! Q, H还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长，是不是起不到匹配的作用呀？2 y& J* \+ ~1 [% Z, E
请大家不吝赐教，我都快急死了" t5 D1 ^8 `. i6 |- `
拜托了！ |
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发表于 2009-11-28 21:28
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