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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑 7 _* v, U. Y/ c8 r; F, t8 Q9 M: ^
. e6 Y- z2 A+ |6 f0 V u6 z做一个六层板
, ?/ D: p) B- V0 }/ \; S; y& [主芯片是DM642
# U5 A1 ]- ^& c$ e9 c" D3 s- x在做SDRAM信号线仿真
& n3 w3 ?4 j9 |& u
/ x7 z" h3 y) X$ G& d看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻% t) I5 f* l! C/ b9 `, R
# v% x5 O/ E& j* h3 [我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil，阻抗为73欧姆) y8 i7 Y% L w! @: k: Z
匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil，阻抗为66欧姆8 `7 D) r* E% Q& T
u# B/ i0 g7 s
但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V
5 r0 W6 s" z3 R8 ^' @0 X) U' P0 {' l/ V. H$ a8 P
改为68欧姆的匹配电阻做仿真，波形大为改善
6 i9 ]: z0 G( d V" x0 E3 R: T. Z: u) f
请问我应该用哪一个组织的电阻呢？* B* e Q1 g/ r4 M3 n
用68欧姆的电阻波形好点，但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢？) ]9 @! p8 v; Z- d
1 t r/ N* W0 Z# r& ^2 q4 [/ U: U; H
还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长，是不是起不到匹配的作用呀？6 d) ? G( }5 E
请大家不吝赐教，我都快急死了% q3 K" R+ P% Z3 P7 f8 g7 e' m
拜托了！ |
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发表于 2009-11-28 21:28
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