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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑 . F8 @! R# h& m$ G
; n6 ]2 U8 L, R- Y& q
做一个六层板3 s x% V. b5 [
主芯片是DM642
8 `0 ^2 U6 V g0 U- I d在做SDRAM信号线仿真5 k" s% s& o0 v
% @. v7 w9 c6 ~# h1 c, |看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻
; }; F$ O3 X0 s" l
7 q$ t! n! n% b. g5 T0 W我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil，阻抗为73欧姆: U6 v a% t6 Z$ S8 G3 t+ w
匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil，阻抗为66欧姆: Q8 T* w7 W* ?
# n* D. g# J8 Z. I9 \$ c
但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V
) l/ `: g! S2 ~ W- J# X+ [# U
: q- o; ?) W8 w1 c* D改为68欧姆的匹配电阻做仿真，波形大为改善
4 }5 t0 g% `: D R6 d3 C4 V$ k t
! s& x: I1 x# f3 s& v) h请问我应该用哪一个组织的电阻呢？/ t. S- \) h% y7 z5 h8 }
用68欧姆的电阻波形好点，但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢？
) _" h0 O: ^- X& A' ?, g
, r0 @- ]# |8 ^7 C6 }; L还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长，是不是起不到匹配的作用呀？
! l3 x% W3 z/ d& G* O, a请大家不吝赐教，我都快急死了# x7 {. C* L5 M2 n# k
拜托了！ |
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发表于 2009-11-28 21:28
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