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本次讲解电源以一个13.2W电源为例
( F$ u3 P4 l' r! g输入:AC90~264V
" |2 x; n+ s8 J9 r/ u V# S输出:3.3V/4A
4 i# @) O3 }, s4 q7 W6 w+ x6 x4 `5 J8 f) }* o
8 U8 E- h4 M3 y; }$ x* J! C原理图3 Q" g) }' y$ H& z; t/ P
+ ~- p4 F1 F" ?( ?/ H' t, q) L8 ]
变压器是整个电源供应器的重要核心,所以变压器的计算及验证是很重要的。
# W, u% p% B' l8 O* p决定变压器的材质及尺寸:
% ?4 a: }/ [1 X2 o' h- X依据变压器计算公式' J' i" E( G# G1 v
![]()
0 N! G+ g2 Q0 y, q $ G$ v _8 }) Z$ R1 x$ x
; S1 h4 g1 r6 Y5 O' m8 e; f
G7 N- a' G( |决定一次侧滤波电容:
# \4 ]! D. @ w! k5 {* ]7 y" h W8 S滤波电容的决定,可以决定电容器上的Vin(min),滤波电容越大,Vin(win)越高,可以做较大瓦数的Power,但相对价格亦较高。
+ w* s9 `) u' Z; Y1 i/ e6 H& e" h) M/ G& i# U* W+ z
4 |7 E8 e3 q* @3 M) K- Q5 {
决定变压器线径及线数:
; \8 Z; f6 Q+ _3 c8 m$ }当变压器决定后,变压器的Bobbin即可决定,依据Bobbin的槽宽,可决定变压器的线径及线数,亦可计算出线径的电流密度,电流密度一般以6A/mm2为参考,电流密度对变压器的设计而言,只能当做参考值,最终应以温升记录为准。9 V$ H2 B/ r, a/ q6 L: i
( h$ w1 ?7 J _4 Y2 w
6 d" e9 R3 p1 e8 \) p5 L& L决定Duty cycle (工作周期):
+ P) s7 \( ?, Z( V; ?% ]4 |由以下公式可决定Duty cycle ,Duty cycle的设计一般以50%为基准,Duty cycle若超过50%易导致振荡的发生。
! R. Y4 ^! }# I7 V+ c# H) d; S![]()
T- J% S' l& a' G3 \. ?8 y/ f! B7 e![]()
! w; y& p4 y; T3 ~决定Ip值:
2 g6 q3 a8 `) f0 k( o4 D2 P4 L![]()
# ?8 s+ N# D% F# W: ?0 f4 A. F, H) N4 _4 C7 {
1 V! S0 c1 t! I5 o5 j决定辅助电源的圈数:
5 e9 Z+ a" a' v/ U2 V( X依据变压器的圈比关系,可决定辅助电源的圈数及电压。# S! A: w+ [1 u$ O3 @# {
决定MOSFET及二次侧二极管的Stress(应力):+ n" X- v0 j+ p' N& [
依据变压器的圈比关系,可以初步计算出变压器的应力(Stress)是否符合选用零件的规格,计算时以输入电压264V(电容器上为380V)为基准。
9 k/ X+ E( N- W5 q$ Y- V) x5 ^ Z \/ O( |% L: X1 S
+ X/ e8 S- H U) w% V其它:
+ q2 F9 D5 N( ]若输出电压为5V以下,且必须使用TL431而非TL432时,须考虑多一组绕组提供Photo coupler及TL431使用。2 k8 j/ n! g7 {9 b
将所得资料代入8 o/ | [% W& \4 N2 [# T
![]()
) @: \1 J' V% d# _: B, W. W, j公式中,如此可得出B(max),若B(max)值太高或太低则参数必须重新调整。8 h# D# G* R8 t5 v$ m5 H! j
, O' @8 G2 y# W6 O
! @3 e- c9 U/ I& ^9 n变压器计算:
$ g4 ~7 \$ A! I0 o* a输出瓦数13.2W(3.3V/4A),Core = EI-28,可绕面积(槽宽)=10mm,Margin Tape = 2.8mm(每边),剩余可绕面积=4.4mm.3 g$ P! {( T. `' t
; } B' v3 j5 W: u" b
/ z2 P k9 n$ ? g& {+ }2 M* d
计算式: i& C! B* t3 f* M, C
变压器材质及尺寸:
: @# b6 }" F- G# z由以上假设可知材质为PC-40,尺寸=EI-28,Ae=0.86cm2,可绕面积(槽宽)=10mm,因Margin Tape使用2.8mm,所以剩余可绕面积为4.4mm.
6 W7 j/ @2 C; e; n" k' [6 e假设滤波电容使用47uF/400V,Vin(min)暂定90V。
' p+ k# ^" A3 R
; d) p' f5 M. X4 X( A. G2 G
. o+ [# m4 X/ j5 C) i& E# @ G决定变压器的线径及线数:2 v4 q* t1 I9 a/ g
5 O; L) ^1 W* K p
- r6 [& z! b% u+ I3 ? n
决定Duty cycle:
2 h4 q, O$ ^" x8 i) s![]()
0 }$ `' Z! y8 k" v决定Ip值:+ E- P$ x3 J: ~: A7 ?/ r: C
7 d* {0 K/ W2 b b& g/ f
7 z ?: [) X) E7 N( c
0 |; J; E/ o; z' z决定辅助电源的圈数:9 b2 a; x: ?- u4 S' J* f
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5 b) R& @! @$ D: H ' ~6 G/ F/ A0 L. Q- g; Q/ u1 H
- a: a5 U8 F$ e% K# Y+ d
% f# R8 N5 u# p4 u; R+ Z
决定MOSFET及二次侧二极管的Stress(应力):
; R4 y6 b; \" l& [# P2 c - w2 d/ A& |4 s; X* _
其它:+ Z: g( i/ B! L I: ~+ y
因为输出为3.3V,而TL431的Vref值为2.5V,若再加上photo coupler上的压降约1.2V,将使得输出电压无法推动Photo coupler及TL431,所以必须另外增加一组线圈提供回授路径所需的电压。2 i" W9 W7 [0 j: q; G
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3 {6 i+ `4 f: j$ N8 V9 G8 R! g! i
# V1 I, r. x# o4 c3 S7 \8 I4 z$ g5 e& B3 y3 C/ q* @
变压器的接线图:
t4 {0 b9 q7 a! d: v4 ~4 @7 V # @5 `1 o3 A; \& L F: X, B! \& f
零件选用:9 N2 ^8 Y' b: `( R! p
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$ E* g, W& o! d9 a/ X# O, {3 R●FS1:
4 ^/ z' |8 \1 b o: l {! S由变压器计算得到Iin值,以此Iin值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V,设计时亦须考虑Pin(max)时的Iin是否会超过保险丝的额定值。+ w! q8 H% `# `
●TR1(热敏电阻):! T; Y) ^* L6 G3 g" k" z% o# T" D2 d, _
电源激活的瞬间,由于C1(一次侧滤波电容)短路,导致Iin电流很大,虽然时间很短暂,但亦可能对Power产生伤害,所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻,以限制开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A,230V/60A),但因热敏电阻亦会消耗功率,所以不可放太大的阻值(否则会影响效率),一般使用SCK053(3A/5Ω),若C1电容使用较大的值,则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的Power上)。
, P* l- b/ l5 W0 r0 C. R0 }●VDR1(突波吸收器):! e$ y% j4 M* m: [& _! O, L
当雷极发生时,可能会损坏零件,进而影响Power的正常动作,所以必须在靠AC输入端 (Fuse之后),加上突波吸收器来保护Power(一般常用07D471K),但若有价格上的考量,可先忽略不装。$ e( B* H$ m+ D' ?8 v
●CY1,CY2(Y-Cap):, q' R5 ^# ~& X7 t8 v. p" K
Y-Cap一般可分为Y1及Y2电容,若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap , AC Input若为2Pin(只有L,N)一般使用Y1-Cap,Y1与Y2的差异,除了价格外(Y1较昂贵),绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为双重绝缘,绝缘耐压约为Y2的两倍,且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1),此电路因为有FG所以使用Y2-Cap,Y-Cap会影响EMI特性,一般而言越大越好,但须考虑漏电及价格问题,漏电(Leakage Current )必须符合安规须求(3Pin公司标准为750uA max)。
& }6 D6 }2 j5 D& z+ E●CX1(X-Cap)、RX1:* r" d6 W- C5 |# \ T6 Y1 l
X-Cap为防制EMI零件,EMI可分为Conduction及Radiation两部分,Conduction规范一般可分为: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 两种 , FCC测试频率在450K~30MHz,CISPR 22测试频率在150K~30MHz, Conduction可在厂内以频谱分析仪验证,Radiation 则必须到实验室验证,X-Cap 一般对低频段(150K ~ 数M之间)的EMI防制有效,一般而言X-Cap愈大,EMI防制效果愈好(但价格愈高),若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf),安规规定必须要有泄放电阻(RX1,一般为1.2MΩ 1/4W)。, i. z8 y5 F! S6 C
●LF1(Common Choke):0 h; J& c* [" b" d3 b2 {1 y
EMI防制零件,主要影响Conduction 的中、低频段,设计时必须同时考虑EMI特性及温升,以同样尺寸的Common Choke而言,线圈数愈多(相对的线径愈细),EMI防制效果愈好,但温升可能较高。
/ Z5 ?4 @% j9 @! \$ T●BD1(整流二极管):) Z2 W3 J: Q3 Q% G4 Z6 |1 l
AC电源以全波整流的方式转换为DC,由变压器所计算出的Iin值,可知只要使用1A/600V的整流二极管,因为是全波整流所以耐压只要600V即可。
" Y' o1 B# Z* T# h( v, u●C1(滤波电容):
0 ~5 f1 Z# D( d8 D6 E由C1的大小(电容值)可决定变压器计算中的Vin(min)值,电容量愈大,Vin(min)愈高但价格亦愈高,此部分可在电路中实际验证Vin(min)是否正确,若AC Input 范围在90V~132V (Vc1 电压最高约190V),可使用耐压200V的电容;若AC Input 范围在90V~264V(或180V~264V),因Vc1电压最高约380V,所以必须使用耐压400V的电容。) c2 X8 G/ r- `1 [
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' X# J! A; |7 ^; t8 o●D2(辅助电源二极管):
! v B/ O5 A+ W0 X" _" o. q( B9 `整流二极管,一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V),两者主要差异:
6 Y6 Z3 x/ g9 N1 {- I1. 耐压不同(在此处使用差异无所谓)
, |7 R( i7 M3 k# ]/ I2 w5 \3 c2. VF不同(FR105=1.2V,BYT42M=1.4V)5 s% k; [/ v8 Y
●R10(辅助电源电阻):
5 J6 v [* g2 g; C$ y0 j主要用于调整PWM IC的VCC电压,以目前使用的3843而言,设计时VCC必须大于8.4V(Min. Load时),但为考虑输出短路的情况,VCC电压不可设计的太高,以免当输出短路时不保护(或输入瓦数过大)。
) q2 h( Z( Q- V/ h# I●C7(滤波电容):
$ {' m0 x8 B5 f0 P辅助电源的滤波电容,提供PWM IC较稳定的直流电压,一般使用100uf/25V电容。. c/ g' S( s: c
●Z1(Zener 二极管):) ]" b, Q5 u; E w K
当回授失效时的保护电路,回授失效时输出电压冲高,辅助电源电压相对提高,此时若没有保护电路,可能会造成零件损坏,若在3843 VCC与3843 Pin3脚之间加一个Zener Diode,当回授失效时Zener Diode会崩溃,使得Pin3脚提前到达1V,以此可限制输出电压,达到保护零件的目的.Z1值的大小取决于辅助电源的高低,Z1的决定亦须考虑是否超过Q1的VGS耐压值,原则上使用公司的现有料(一般使用1/2W即可).
- S! W, S* N; I●R2(激活电阻):: P3 ^- @' @7 r. [' j' n, i: G
提供3843第一次激活的路径,第一次激活时透过R2对C7充电,以提供3843 VCC所需的电压,R2阻值较大时,turn on的时间较长,但短路时Pin瓦数较小,R2阻值较小时,turn on的时间较短,短路时Pin瓦数较大,一般使用220KΩ/2W M.O。., I/ S( p* i5 w: m* k3 C
●R4 (Line Compensation):
/ \5 D( J4 Z \4 |5 `高、低压补偿用,使3843 Pin3脚在90V/47Hz及264V/63Hz接近一致(一般使用750KΩ~1.5MΩ 1/4W之间)。( b, h2 F, [5 K
●R3,C6,D1 (Snubber):. c3 t, q* m9 _( u# ]# ^' F' n8 G
此三个零件组成Snubber,调整Snubber的目的:1.当Q1 off瞬间会有Spike产生,调整Snubber可以确保Spike不会超过Q1的耐压值,2.调整Snubber可改善EMI.一般而言,D1使用1N4007(1A/1000V)EMI特性会较好.R3使用2W M.O.电阻,C6的耐压值以两端实际压差为准(一般使用耐压500V的陶质电容)。
$ @# j2 A; w1 Y2 d( [![]()
: e9 C. Y: A U●Q1(N-MOS):
* j6 B& R0 J, V4 X目前常使用的为3A/600V及6A/600V两种,6A/600V的RDS(ON)较3A/600V小,所以温升会较低,若IDS电流未超过3A,应该先以3A/600V为考量,并以温升记录来验证,因为6A/600V的价格高于3A/600V许多,Q1的使用亦需考虑VDS是否超过额定值。) z$ I9 Z/ p. D3 [$ {
●R8:
% r6 [9 f$ G- @# wR8的作用在保护Q1,避免Q1呈现浮接状态。
1 T) W" S' \ @% ^* e●R7(Rs电阻):" M7 U4 R8 d1 F2 l3 e) B
3843 Pin3脚电压最高为1V,R7的大小须与R4配合,以达到高低压平衡的目的,一般使用2W M.O.电阻,设计时先决定R7后再加上R4补偿,一般将3843 Pin3脚电压设计在0.85V~0.95V之间(视瓦数而定,若瓦数较小则不能太接近1V,以免因零件误差而顶到1V)。) J2 {3 }( L3 X+ G$ V' l% \$ G
●R5,C3(RC filter):
" C3 o# X; l" F2 Z2 o滤除3843 Pin3脚的噪声,R5一般使用1KΩ 1/8W,C3一般使用102P/50V的陶质电容,C3若使用电容值较小者,重载可能不开机(因为3843 Pin3瞬间顶到1V);若使用电容值较大者,也许会有轻载不开机及短路Pin过大的问题。
- z+ W; Z! m2 l0 h: r●R9(Q1 Gate电阻 ):) R! @# {2 M7 g" f( t8 E
R9电阻的大小,会影响到EMI及温升特性,一般而言阻值大,Q1 turn on / turn off的速度较慢,EMI特性较好,但Q1的温升较高、效率较低(主要是因为turn off速度较慢);若阻值较小, Q1 turn on / turn off的速度较快,Q1温升较低、效率较高,但EMI较差,一般使用51Ω-150Ω 1/8W。, Z& }3 J6 i. ^3 e7 ^% S' X) h
●R6,C4(控制振荡频率):' P0 b1 C/ [% m
决定3843的工作频率,可由Data Sheet得到R、C组成的工作频率,C4一般为10nf的电容(误差为5%),R6使用精密电阻,以DA-14B33为例,C4使用103P/50V PE电容,R6为3.74KΩ 1/8W精密电阻,振荡频率约为45 KHz。, R$ g% R8 C7 u3 L- f
●C5:4 o: H/ M' x3 U! u6 R. w
功能类似RC filter,主要功用在于使高压轻载较不易振荡,一般使用101P/50V陶质电容。. P0 q8 ?! q: z! h
●U1(PWM IC):
1 n t5 G3 G5 M( b% J. E* b0 |! G b3843是PWM IC的一种,由Photo Coupler (U2)回授信号控制Duty Cycle的大小,Pin3脚具有限流的作用(最高电压1V),目前所用的3843中,有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)两种,两者脚位相同,但产生的振荡频率略有差异,UC3843BN较KA3843快了约2KHz,fT的增加会衍生出一些问题(例如:EMI问题、短路问题),因KA3843较难买,所以新机种设计时,尽量使用UC3843BN。3 N; n( e6 |7 ~( x( R
●R1、R11、R12、C2(一次侧回路增益控制):
9 D: X( a* y# n/ ~! E: }3843内部有一个Error AMP(误差放大器),R1、R11、R12、C2及Error AMP组成一个负回授电路,用来调整回路增益的稳定度,回路增益,调整不恰当可能会造成振荡或输出电压不正确,一般C2使用立式积层电容(温度持性较好)。+ U5 j C! N; {: C4 Q7 W* Q( i
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# w5 I* b& m+ t+ }- T●U2(Photo coupler)
* [6 r$ \9 @0 {4 L$ L光耦合器(Photo coupler)主要将二次侧的信号转换到一次侧(以电流的方式),当二次侧的TL431导通后,U2即会将二次侧的电流依比例转换到一次侧,此时3843由Pin6 (output)输出off的信号(Low)来关闭Q1,使用Photo coupler的原因,是为了符合安规需求(primacy to secondary的距离至少需5.6mm)。
- R$ \/ U2 x- q* ^ C●R13(二次侧回路增益控制):/ R' {, A ^5 d: P! t) @
控制流过Photo coupler的电流,R13阻值较小时,流过Photo coupler的电流较大,U2转换电流较大,回路增益较快(需要确认是否会造成振荡),R13阻值较大时,流过Photo coupler的电流较小,U2转换电流较小,回路增益较慢,虽然较不易造成振荡,但需注意输出电压是否正常。+ Y \8 m4 C/ u+ p% H- {
●U3(TL431)、R15、R16、R18
+ E- A, B$ j) w* t1 S& X调整输出电压的大小,9 P2 B; I, k) }+ y- q
) d$ q# o* z! e. [
,输出电压不可超过38V(因为TL431 VKA最大为36V,若再加Photo coupler的VF值,则Vo应在38V以下较安全),TL431的Vref为2.5V,R15及R16并联的目的使输出电压能微调,且R15与R16并联后的值不可太大(尽量在2KΩ以下),以免造成输出不准。 ]2 D( p1 Y0 d5 g3 I
●R14,C9(二次侧回路增益控制):
* l$ W1 n) H( |9 R( V) v控制二次侧的回路增益,一般而言将电容放大会使增益变慢;电容放小会使增益变快,电阻的特性则刚好与电容相反,电阻放大增益变快;电阻放小增益变慢,至于何谓增益调整的最佳值,则可以Dynamic load来量测,即可取得一个最佳值。
1 |! |2 K* ~; L" K: a" }3 P& Y2 }+ e●D4(整流二极管):
" J7 ]9 I! i. N2 ~- O因为输出电压为3.3V,而输出电压调整器(Output Voltage Regulator)使用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V),所以必须多增加一组绕组提供Photo coupler及TL431所需的电源,因为U2及U3所需的电流不大(约10mA左右),二极管耐压值100V即可,所以只需使用1N4148(0.15A/100V)。
0 O5 _; O- ~6 N: \+ g●C8(滤波电容):
; m( D, i, b& z' X因为U2及U3所需的电流不大,所以只要使用1u/50V即可。1 ^* ?; F( ^. V' v. `, `
●D5(整流二极管):
9 B+ I, q2 d9 H% K4 R. z9 E& m6 P5 h输出整流二极管,D5的使用需考虑:9 ?" N8 k7 {+ c$ N$ T
a. 电流值$ p5 l6 d' i3 U
b. 二极管的耐压值1 M: B( p1 a" F9 E1 Y
以此为例,输出电流4A,使用10A的二极管(Schottky)应该可以,但经点温升验证后发现D5温度偏高,所以必须换为15A的二极管,因为10A的VF较15A的VF 值大。耐压部分40V经验证后符合,因此最后使用15A/40V Schottky。, J; S8 J5 Z# {' r3 {
●C10,R17(二次侧snubber) : c, w& Q. I5 t! X7 o( D
D5在截止的瞬间会有spike产生,若spike超过二极管(D5)的耐压值,二极管会有被击穿的危险,调整snubber可适当的减少spike的电压值,除保护二极管外亦可改善EMI,R17一般使用1/2W的电阻,C10一般使用耐压500V的陶质电容,snubber调整的过程(264V/63Hz)需注意R17,C10是否会过热,应避免此种情况发生。: H7 Y' K: u6 R
●C11,C13(滤波电容):
2 e0 |. V a2 P% {二次侧第一级滤波电容,应使用内阻较小的电容(LXZ,YXA…),电容选择是否洽当可依以下三点来判定:( x8 R2 ^/ E2 }) T+ I& F
a. 输出Ripple电压是符合规格4 m1 a7 l' k. J2 M6 Y5 b# J- T m. K7 m
b. 电容温度是否超过额定值
7 P$ E: Q" G. P( D; s# F {c. 电容值两端电压是否超过额定值
! K8 s! z M3 t/ q7 u●R19(假负载):( ]) \8 Z& p/ U9 R
适当的使用假负载可使线路更稳定,但假负载的阻值不可太小,否则会影响效率,使用时亦须注意是否超过电阻的额定值(一般设计只使用额定瓦数的一半)。
: j5 H8 @% [+ M# \& ~/ I●L3,C12(LC滤波电路):
6 z. M3 D, P; d, vLC滤波电路为第二级滤波,在不影响线路稳定的情况下,一般会将L3 放大(电感量较大),如此C12可使用较小的电容值。
0 V6 B$ X5 r3 {本文转自网络,版权归原作者,如果您觉得不好,请联系我们删除!
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