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标题: 高手讲解电源原理图,附:每个元件的功能详解 [打印本页]

作者: admin    时间: 2019-10-9 14:12
标题: 高手讲解电源原理图,附:每个元件的功能详解
本次讲解电源以一个13.2W电源为例3 h9 t# N$ x: e/ t9 q
输入:AC90~264V* L* s6 Q  g, j/ Q* M. N) B& h
输出:3.3V/4A& {- Z/ B- ]* O: B

! `) @& N! I8 U6 o, V4 ^% l' C1 G5 D( q5 z: a/ ]$ K& t  C  t" M
原理图: ?/ c5 C3 @$ u
6 I. D2 t0 A3 @& Q) ]5 k# R
变压器是整个电源供应器的重要核心,所以变压器的计算及验证是很重要的。0 y* y; N/ r# x6 S, {
决定变压器的材质及尺寸:& t* n# s& r6 z6 l. |
依据变压器计算公式
0 d! }* t( p  S3 s: b( g6 V+ M2 l7 _( ^2 [8 `7 j9 z

# ?4 m7 s$ h. j# G* E" N
8 J, m4 j7 y) U: y/ K4 b6 M/ T6 m# q  w1 T; }# K
决定一次侧滤波电容:* K( n  j+ u, l9 y
滤波电容的决定,可以决定电容器上的Vin(min),滤波电容越大,Vin(win)越高,可以做较大瓦数的Power,但相对价格亦较高。
8 C& i( S/ j: O: {) M# B
: ]9 f6 o8 m6 r- e& u) e& G) O; C
6 ~# C. G8 M' O/ k决定变压器线径及线数:
& U! I1 k1 s- i' b当变压器决定后,变压器的Bobbin即可决定,依据Bobbin的槽宽,可决定变压器的线径及线数,亦可计算出线径的电流密度,电流密度一般以6A/mm2为参考,电流密度对变压器的设计而言,只能当做参考值,最终应以温升记录为准。
! W" v- j; w5 `! `$ G' C  _/ n/ P/ O0 W# U$ a- k

- |* H) O) Z" @1 i; e& G决定Duty cycle (工作周期):% W, [% G7 G7 H7 L3 C
由以下公式可决定Duty cycle ,Duty cycle的设计一般以50%为基准,Duty cycle若超过50%易导致振荡的发生。
" S; a0 T$ b2 Q5 Y/ Y
7 d2 z: k/ s8 i6 S3 f. t; E. }3 e& e# }; p4 _, H
决定Ip值:
$ b% I+ Z& _/ O; Z
- F1 {# J5 a# x1 z1 r. ?3 G% u
$ w, W) l8 t! w8 ?! C  A
' r! N0 X$ N0 F$ f决定辅助电源的圈数:. W/ \* `! o: b8 c9 q8 l
依据变压器的圈比关系,可决定辅助电源的圈数及电压。% d: \$ e4 F. x  Z4 V
决定MOSFET及二次侧二极管的Stress(应力):
7 |5 |/ Q6 _  N, z依据变压器的圈比关系,可以初步计算出变压器的应力(Stress)是否符合选用零件的规格,计算时以输入电压264V(电容器上为380V)为基准。. N; t& Z3 ?  n, V3 t

9 t1 D- ?. Y" K# \- N: F
' e. _4 e2 W" Y5 x& t其它:8 {! `+ N9 ~4 e* [
若输出电压为5V以下,且必须使用TL431而非TL432时,须考虑多一组绕组提供Photo coupler及TL431使用。
" s! O* e, D# ~$ C1 Z% v+ J8 H将所得资料代入% {8 l" B& J# ~5 ]/ @

( C5 y6 G4 C7 c8 x公式中,如此可得出B(max),若B(max)值太高或太低则参数必须重新调整。* v2 [1 w' ]7 N; ^$ D: ?# O
( H! X' N. ?0 {( b$ U, y" w
  H  o* _, k- l. T2 l' P& n8 P
变压器计算:0 z9 O. b$ p3 _1 u2 L
输出瓦数13.2W(3.3V/4A),Core = EI-28,可绕面积(槽宽)=10mm,Margin Tape = 2.8mm(每边),剩余可绕面积=4.4mm.. d! e1 m8 `- }9 \9 g; a. j
; l0 A" D. V' J6 J) D
, x# y: J2 N& \3 Y& W/ \: q6 m
计算式:7 F, u$ E8 [" K" j
变压器材质及尺寸:
( K# V+ l# _8 Y! h2 j由以上假设可知材质为PC-40,尺寸=EI-28,Ae=0.86cm2,可绕面积(槽宽)=10mm,因Margin Tape使用2.8mm,所以剩余可绕面积为4.4mm.% c9 {* H! o) S1 s1 K/ B
假设滤波电容使用47uF/400V,Vin(min)暂定90V。
! i6 e4 o5 t$ n; j! I, M+ `7 \- L2 `  E3 W- E6 V# S# H& }
6 P4 |* k, f) O" ?% U6 N
决定变压器的线径及线数:
9 U4 }: n: I7 U3 {5 w3 @( e5 F4 X% M+ j) s
/ Y; G& F5 I8 |
决定Duty cycle:9 W, l1 z  S3 `

- b( A2 k" V( G! w$ l  @决定Ip值:
. q- V( k8 W: V( F7 v& Q8 p, |3 O9 m  \$ ^7 O9 A
$ k$ I4 f( t) s/ n4 }4 U4 t  q- K

8 T9 R! V, x( |- c8 `* Y: Y决定辅助电源的圈数:
; k: L6 Y3 m# M3 T0 q
5 R$ s' |/ ?5 x, ?, Y0 Q) @7 |1 Z2 _( O+ L  T
" N( e$ r" a. I' O: R4 A5 p  U

5 U  W) C" D# i. E9 g1 k决定MOSFET及二次侧二极管的Stress(应力):
  A( Y# x! v, Y$ M& f3 K2 g/ m% X$ A
其它:
; t1 k- j# {3 T0 Y; A- ~! F4 t因为输出为3.3V,而TL431的Vref值为2.5V,若再加上photo coupler上的压降约1.2V,将使得输出电压无法推动Photo coupler及TL431,所以必须另外增加一组线圈提供回授路径所需的电压。
$ j4 l/ l% t* L! }
2 y: U; u: j2 _0 Q0 v; z  h" {# U+ j; c  r5 }
* O  R; |, H6 E& P6 m  U4 n3 e) t0 B
变压器的接线图:8 [/ _( M. @& b9 Z- l3 }! _  J+ E
: ~# Q/ t+ C' l
零件选用:
7 a0 [# n$ b$ A4 U
* e# ?8 q9 `% O/ E●FS1:7 `# \3 N4 k/ I* p- F
由变压器计算得到Iin值,以此Iin值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V,设计时亦须考虑Pin(max)时的Iin是否会超过保险丝的额定值。- r" H& b% u8 P8 V: {
●TR1(热敏电阻):( q. L" b" l: w6 F$ v" ?0 P
电源激活的瞬间,由于C1(一次侧滤波电容)短路,导致Iin电流很大,虽然时间很短暂,但亦可能对Power产生伤害,所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻,以限制开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A,230V/60A),但因热敏电阻亦会消耗功率,所以不可放太大的阻值(否则会影响效率),一般使用SCK053(3A/5Ω),若C1电容使用较大的值,则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的Power上)。
/ v6 z# F5 k0 \$ J% N8 F! I: W●VDR1(突波吸收器):
$ u2 r' ~, d& w5 K& T当雷极发生时,可能会损坏零件,进而影响Power的正常动作,所以必须在靠AC输入端 (Fuse之后),加上突波吸收器来保护Power(一般常用07D471K),但若有价格上的考量,可先忽略不装。; j( u* h% m5 E
●CY1,CY2(Y-Cap):
7 }/ H' b* }; c* B7 XY-Cap一般可分为Y1及Y2电容,若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap , AC Input若为2Pin(只有L,N)一般使用Y1-Cap,Y1与Y2的差异,除了价格外(Y1较昂贵),绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为双重绝缘,绝缘耐压约为Y2的两倍,且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1),此电路因为有FG所以使用Y2-Cap,Y-Cap会影响EMI特性,一般而言越大越好,但须考虑漏电及价格问题,漏电(Leakage Current )必须符合安规须求(3Pin公司标准为750uA max)。; p& a; t+ R: b& A# I7 L' b
●CX1(X-Cap)、RX1:) ?, p- W- F4 ?+ \6 }9 `
X-Cap为防制EMI零件,EMI可分为Conduction及Radiation两部分,Conduction规范一般可分为: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 两种 , FCC测试频率在450K~30MHz,CISPR 22测试频率在150K~30MHz, Conduction可在厂内以频谱分析仪验证,Radiation 则必须到实验室验证,X-Cap 一般对低频段(150K ~ 数M之间)的EMI防制有效,一般而言X-Cap愈大,EMI防制效果愈好(但价格愈高),若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf),安规规定必须要有泄放电阻(RX1,一般为1.2MΩ 1/4W)。$ b: \5 \5 G. t1 Q6 k6 `& a9 N
●LF1(Common Choke):
9 @9 e5 j. c* ZEMI防制零件,主要影响Conduction 的中、低频段,设计时必须同时考虑EMI特性及温升,以同样尺寸的Common Choke而言,线圈数愈多(相对的线径愈细),EMI防制效果愈好,但温升可能较高。! [# X. ?) \2 ^
●BD1(整流二极管):
2 X( F8 @, V; b$ H6 _6 Y+ }AC电源以全波整流的方式转换为DC,由变压器所计算出的Iin值,可知只要使用1A/600V的整流二极管,因为是全波整流所以耐压只要600V即可。
8 o: o* O; \( q' h% ]( M+ }6 }●C1(滤波电容):
( _, m/ {: a5 B& O3 c9 f6 X由C1的大小(电容值)可决定变压器计算中的Vin(min)值,电容量愈大,Vin(min)愈高但价格亦愈高,此部分可在电路中实际验证Vin(min)是否正确,若AC Input 范围在90V~132V (Vc1 电压最高约190V),可使用耐压200V的电容;若AC Input 范围在90V~264V(或180V~264V),因Vc1电压最高约380V,所以必须使用耐压400V的电容。# n6 h/ ?; b/ b+ X4 _) S5 q( p6 b! @
5 [0 y) w$ }) g* B' H- g
●D2(辅助电源二极管):, D- Q# `# S* N2 T
整流二极管,一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V),两者主要差异:
  [! z0 a2 {9 _1. 耐压不同(在此处使用差异无所谓)" @& F. g" _# o/ z  r
2. VF不同(FR105=1.2V,BYT42M=1.4V)
6 n8 N) r' f/ E; I/ [●R10(辅助电源电阻):
; m  l2 M& S% b& `. c) A主要用于调整PWM IC的VCC电压,以目前使用的3843而言,设计时VCC必须大于8.4V(Min. Load时),但为考虑输出短路的情况,VCC电压不可设计的太高,以免当输出短路时不保护(或输入瓦数过大)。
: J+ k# s! t7 Z5 m7 f●C7(滤波电容):, ]( h: n; h8 a' U0 {. E0 p3 M# P' J
辅助电源的滤波电容,提供PWM IC较稳定的直流电压,一般使用100uf/25V电容。
' E" H2 E/ f$ N8 Y% y, _3 z●Z1(Zener 二极管):
( i* @. [9 E) Z' F: I5 o) [当回授失效时的保护电路,回授失效时输出电压冲高,辅助电源电压相对提高,此时若没有保护电路,可能会造成零件损坏,若在3843 VCC与3843 Pin3脚之间加一个Zener Diode,当回授失效时Zener Diode会崩溃,使得Pin3脚提前到达1V,以此可限制输出电压,达到保护零件的目的.Z1值的大小取决于辅助电源的高低,Z1的决定亦须考虑是否超过Q1的VGS耐压值,原则上使用公司的现有料(一般使用1/2W即可).
& j( q# z% C& k* L3 B8 S7 |●R2(激活电阻):
0 ~9 b% k  a" m提供3843第一次激活的路径,第一次激活时透过R2对C7充电,以提供3843 VCC所需的电压,R2阻值较大时,turn on的时间较长,但短路时Pin瓦数较小,R2阻值较小时,turn on的时间较短,短路时Pin瓦数较大,一般使用220KΩ/2W M.O。.$ `% e" k( b% g
●R4 (Line Compensation):
, N# V% t* e" C( }; a  L/ U% u9 K高、低压补偿用,使3843 Pin3脚在90V/47Hz及264V/63Hz接近一致(一般使用750KΩ~1.5MΩ 1/4W之间)。
2 d+ d8 [: l; Q% O  N  R, }●R3,C6,D1 (Snubber):
) p& S) K- Z! ]; ]& {; ]$ o此三个零件组成Snubber,调整Snubber的目的:1.当Q1 off瞬间会有Spike产生,调整Snubber可以确保Spike不会超过Q1的耐压值,2.调整Snubber可改善EMI.一般而言,D1使用1N4007(1A/1000V)EMI特性会较好.R3使用2W M.O.电阻,C6的耐压值以两端实际压差为准(一般使用耐压500V的陶质电容)。
0 [* Z  P" m% N# {: x9 C3 o. k: W4 l7 A  @; }
●Q1(N-MOS):
' I* n+ E9 S3 a3 U) T* i目前常使用的为3A/600V及6A/600V两种,6A/600V的RDS(ON)较3A/600V小,所以温升会较低,若IDS电流未超过3A,应该先以3A/600V为考量,并以温升记录来验证,因为6A/600V的价格高于3A/600V许多,Q1的使用亦需考虑VDS是否超过额定值。: M$ R8 d- `- w
●R8:8 Q$ i+ o% h- |$ _0 n/ f
R8的作用在保护Q1,避免Q1呈现浮接状态。
0 h0 O: ]% B: H" U7 [6 y# E& H) B* A●R7(Rs电阻):
, E; i" o2 e- l8 Z; Y, M7 B8 v8 ]- G3843 Pin3脚电压最高为1V,R7的大小须与R4配合,以达到高低压平衡的目的,一般使用2W M.O.电阻,设计时先决定R7后再加上R4补偿,一般将3843 Pin3脚电压设计在0.85V~0.95V之间(视瓦数而定,若瓦数较小则不能太接近1V,以免因零件误差而顶到1V)。4 Z7 X/ y6 u8 G
●R5,C3(RC filter):
- j3 n6 G  M; \% a# m- s( \4 P滤除3843 Pin3脚的噪声,R5一般使用1KΩ 1/8W,C3一般使用102P/50V的陶质电容,C3若使用电容值较小者,重载可能不开机(因为3843 Pin3瞬间顶到1V);若使用电容值较大者,也许会有轻载不开机及短路Pin过大的问题。
' D2 ~, ~: l/ I) Q9 @●R9(Q1 Gate电阻 ):1 X% i, [/ Z$ ^9 x+ M* L( N1 {
R9电阻的大小,会影响到EMI及温升特性,一般而言阻值大,Q1 turn on / turn off的速度较慢,EMI特性较好,但Q1的温升较高、效率较低(主要是因为turn off速度较慢);若阻值较小, Q1 turn on / turn off的速度较快,Q1温升较低、效率较高,但EMI较差,一般使用51Ω-150Ω 1/8W。3 C1 ]! j: |( |2 {
●R6,C4(控制振荡频率):, E: E- ?8 E  R
决定3843的工作频率,可由Data Sheet得到R、C组成的工作频率,C4一般为10nf的电容(误差为5%),R6使用精密电阻,以DA-14B33为例,C4使用103P/50V PE电容,R6为3.74KΩ 1/8W精密电阻,振荡频率约为45 KHz。8 T4 f' t9 ~. F0 |# B3 ^* p7 E
●C5:. x7 x1 p4 P' x! ]
功能类似RC filter,主要功用在于使高压轻载较不易振荡,一般使用101P/50V陶质电容。
2 p3 x9 y7 t- F. J6 F8 B6 i9 l●U1(PWM IC):' S4 P% f2 @. c
3843是PWM IC的一种,由Photo Coupler (U2)回授信号控制Duty Cycle的大小,Pin3脚具有限流的作用(最高电压1V),目前所用的3843中,有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)两种,两者脚位相同,但产生的振荡频率略有差异,UC3843BN较KA3843快了约2KHz,fT的增加会衍生出一些问题(例如:EMI问题、短路问题),因KA3843较难买,所以新机种设计时,尽量使用UC3843BN。
7 L2 n! N0 @4 d$ O●R1、R11、R12、C2(一次侧回路增益控制):
2 ^/ X4 g& l/ l  o% Q7 t+ u- b3843内部有一个Error AMP(误差放大器),R1、R11、R12、C2及Error AMP组成一个负回授电路,用来调整回路增益的稳定度,回路增益,调整不恰当可能会造成振荡或输出电压不正确,一般C2使用立式积层电容(温度持性较好)。
  G  O  v9 O) ]+ T* P+ ]$ z* U3 ?, N2 N: ^) I
●U2(Photo coupler)
  b- g3 j0 D% r0 m光耦合器(Photo coupler)主要将二次侧的信号转换到一次侧(以电流的方式),当二次侧的TL431导通后,U2即会将二次侧的电流依比例转换到一次侧,此时3843由Pin6 (output)输出off的信号(Low)来关闭Q1,使用Photo coupler的原因,是为了符合安规需求(primacy to secondary的距离至少需5.6mm)。4 Q( p$ c3 ~0 }3 ]0 \/ `: g  T
●R13(二次侧回路增益控制):9 c  L# q& f( Z. q# L
控制流过Photo coupler的电流,R13阻值较小时,流过Photo coupler的电流较大,U2转换电流较大,回路增益较快(需要确认是否会造成振荡),R13阻值较大时,流过Photo coupler的电流较小,U2转换电流较小,回路增益较慢,虽然较不易造成振荡,但需注意输出电压是否正常。( N  f: N1 z& f$ |
●U3(TL431)、R15、R16、R18) h+ Y, J. j$ @+ X# n! g0 k
调整输出电压的大小,1 y2 r+ C* N. X

3 b# o' q" G# L& \* p,输出电压不可超过38V(因为TL431 VKA最大为36V,若再加Photo coupler的VF值,则Vo应在38V以下较安全),TL431的Vref为2.5V,R15及R16并联的目的使输出电压能微调,且R15与R16并联后的值不可太大(尽量在2KΩ以下),以免造成输出不准。
$ A4 h/ \5 A9 X7 s) C, b●R14,C9(二次侧回路增益控制):4 M8 v  c) I2 T8 W; ^
控制二次侧的回路增益,一般而言将电容放大会使增益变慢;电容放小会使增益变快,电阻的特性则刚好与电容相反,电阻放大增益变快;电阻放小增益变慢,至于何谓增益调整的最佳值,则可以Dynamic load来量测,即可取得一个最佳值。
& O( b( S. \2 T1 I●D4(整流二极管):! f, R0 m9 A9 b* o+ n
因为输出电压为3.3V,而输出电压调整器(Output Voltage Regulator)使用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V),所以必须多增加一组绕组提供Photo coupler及TL431所需的电源,因为U2及U3所需的电流不大(约10mA左右),二极管耐压值100V即可,所以只需使用1N4148(0.15A/100V)。+ |6 ~: k. ?) C4 n8 B* a4 S
●C8(滤波电容):
( Z9 U9 h6 ]5 Q" ^* P# f& O# K因为U2及U3所需的电流不大,所以只要使用1u/50V即可。
; ?% l6 Q3 x6 y' {●D5(整流二极管):9 M; [; J, ^. I: i0 d
输出整流二极管,D5的使用需考虑:2 l/ l5 }# {' g# c; {5 d" {0 k1 h
a. 电流值
0 A0 p$ P1 y, @) |2 \+ R* ~b. 二极管的耐压值
4 @5 Q4 A! w3 r4 c9 P以此为例,输出电流4A,使用10A的二极管(Schottky)应该可以,但经点温升验证后发现D5温度偏高,所以必须换为15A的二极管,因为10A的VF较15A的VF 值大。耐压部分40V经验证后符合,因此最后使用15A/40V Schottky。# l# c" X3 i& H0 v
●C10,R17(二次侧snubber) :0 F( h4 ?5 P. @5 {4 t6 q
D5在截止的瞬间会有spike产生,若spike超过二极管(D5)的耐压值,二极管会有被击穿的危险,调整snubber可适当的减少spike的电压值,除保护二极管外亦可改善EMI,R17一般使用1/2W的电阻,C10一般使用耐压500V的陶质电容,snubber调整的过程(264V/63Hz)需注意R17,C10是否会过热,应避免此种情况发生。
" k2 c+ h1 e2 X$ Z) C+ E●C11,C13(滤波电容):
, }. C% l' c; |) v二次侧第一级滤波电容,应使用内阻较小的电容(LXZ,YXA…),电容选择是否洽当可依以下三点来判定:
8 {- h( N1 ~0 c- R3 Z. ca. 输出Ripple电压是符合规格  H: @# {9 \$ x# z6 ~6 ?
b. 电容温度是否超过额定值1 Q9 f8 L( Q2 n4 r* j. f
c. 电容值两端电压是否超过额定值
9 }- U, G7 X4 H# F4 E& T9 V●R19(假负载):
1 p! j0 Z- W5 B6 t* X2 Z适当的使用假负载可使线路更稳定,但假负载的阻值不可太小,否则会影响效率,使用时亦须注意是否超过电阻的额定值(一般设计只使用额定瓦数的一半)。
5 \+ f2 P( l+ x: u( D  A, U●L3,C12(LC滤波电路):& `( s% y) z* b4 p
LC滤波电路为第二级滤波,在不影响线路稳定的情况下,一般会将L3 放大(电感量较大),如此C12可使用较小的电容值。  }9 f8 }: g+ j5 i
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